[發(fā)明專利]BGA集成電阻器及其制造方法和設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910001995.2 | 申請(qǐng)日: | 2009-01-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101783342A | 公開(公告)日: | 2010-07-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃創(chuàng)君;劉永波;王宏全 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華為技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/01 | 分類號(hào): | H01L27/01;H01C13/00;H01L21/71;H01C17/00 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 劉芳 |
| 地址: | 518129 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | bga 集成 電阻器 及其 制造 方法 設(shè)備 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明實(shí)施例涉及集成電阻器封裝技術(shù),尤其涉及一種球柵陣列(BallGrid?Array;以下簡稱:BGA)封裝技術(shù)封裝的BGA集成電阻器及其制造方法,以及采用該BGA集成電阻器的通訊設(shè)備、汽車電子設(shè)備。?
背景技術(shù)
表貼式集成電阻器,又稱貼片排阻(Chip?Resistor?Array),被廣泛應(yīng)用在電子電路中,圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種普通表貼式集成電阻器的一路電阻剖面結(jié)構(gòu)示意圖。該集成電阻器主要包括基板12,在基板12上形成有電阻膜3,電阻膜3上覆蓋有第一保護(hù)膜1和第二保護(hù)膜2。基板12兩側(cè)形成有端電極30,通常端電極30可以包括三層結(jié)構(gòu),即從里至外依次為銀漿層、鎳(Ni)層和錫/錫鉛(Sn/SnPb)層。在電阻膜3的兩側(cè)分別形成有導(dǎo)帶4,用于連接電阻膜3和端電極30。在基板12的下側(cè)相應(yīng)的形成有背電極42,其作為表貼封裝時(shí)所需的焊點(diǎn)。為了保持集成電阻器的阻值精度,導(dǎo)帶4需要采用電阻率較低的材料,考慮成本的限制,現(xiàn)有技術(shù)通常采用銀材料來制成導(dǎo)帶4。?
但是,在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的研究過程中,發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在如下問題:普通表貼式集成電阻器的銀質(zhì)導(dǎo)帶4局部會(huì)暴露在空氣中,在含硫,例如含有硫化氫(H2S)的環(huán)境氣氛中銀質(zhì)導(dǎo)帶4易發(fā)生硫化腐蝕而形成硫化銀晶體,圖2為現(xiàn)有技術(shù)中普通表貼式集成電阻器硫化腐蝕的結(jié)構(gòu)示意圖,虛線圈處為集成電阻器易于被硫化腐蝕的位置。導(dǎo)帶4的腐蝕導(dǎo)致集成電阻器的阻值增大或開路失效,縮短了產(chǎn)品的市場壽命。隨著大氣環(huán)境的逐年惡?化,這種集成電阻器在環(huán)境較惡劣地區(qū)約1年或1年半的時(shí)間就會(huì)發(fā)生硫化腐蝕而失效,這顯著增加了集成電阻器的維修和更換的成本。?
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種BGA集成電阻器及其制造方法和設(shè)備,以避免集成電阻器硫化腐蝕失效,延長集成電阻器的使用壽命。?
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種BGA集成電阻器,包括:基板,焊盤,電阻膜,導(dǎo)帶和保護(hù)膜;所述基板上設(shè)有兩個(gè)以上的焊盤;所述基板上設(shè)有至少一塊電阻膜,一電阻膜連接兩個(gè)導(dǎo)帶,電阻膜的邊緣壓覆在導(dǎo)帶的邊緣之上;所述兩個(gè)導(dǎo)帶各自與一焊盤相連;所述電阻膜和所述導(dǎo)帶上覆蓋有保護(hù)膜;所述焊盤從鄰近所述基板至遠(yuǎn)離所述基板方向依次包括銅鍍層、鎳鍍層和錫鉛鍍層;或,所述焊盤為單層,其材質(zhì)為銅。?
本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種BGA集成電阻器的制造方法,包括:?
在基板的表面上形成預(yù)定圖案的導(dǎo)帶;?
在形成導(dǎo)帶后的基板上形成至少一塊電阻膜,分散形成焊盤,所述導(dǎo)帶連接所述電阻膜和所述焊盤,電阻膜的邊緣壓覆在導(dǎo)帶的邊緣之上,其中,所述焊盤從鄰近所述基板至遠(yuǎn)離所述基板方向依次包括銅鍍層、鎳鍍層和錫鉛鍍層;或,所述焊盤為單層,其材質(zhì)為銅;?
在所述電阻膜和導(dǎo)帶上覆蓋保護(hù)膜。?
本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種采用本發(fā)明各實(shí)施例BGA集成電阻器的通信設(shè)備,其中:所述通信設(shè)備包括電路板,所述BGA集成電阻器集成在所述電路板上。?
本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種采用本發(fā)明各實(shí)施例BGA集成電阻器的汽車電子設(shè)備,其中:所述汽車電子設(shè)備包括電路板,所述BGA集成電阻器集成在所述電路板上。?
由以上技術(shù)方案可知,本發(fā)明實(shí)施例采用了包括焊盤結(jié)構(gòu)的BGA封裝技術(shù),使導(dǎo)帶能夠被完全覆蓋在保護(hù)膜之下,從而防止導(dǎo)帶被硫化腐蝕而使集成電阻器失效,延長集成電阻器的使用壽命,降低維修和更換的成本,采用BGA封裝技術(shù)制成的BGA集成電阻器還具有集成度高、體積小的優(yōu)點(diǎn),符合電氣設(shè)備小型化的發(fā)展需要。?
附圖說明
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種普通表貼式集成電阻器的一路電阻剖面結(jié)構(gòu)示意圖;?
圖2為現(xiàn)有技術(shù)中普通表貼式集成電阻器硫化腐蝕的結(jié)構(gòu)示意圖;?
圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的BGA集成電阻器的局部剖視結(jié)構(gòu)示意圖;?
圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的BGA集成電阻器中一種覆蓋關(guān)系的結(jié)構(gòu)示意圖;?
圖5為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的BGA集成電阻器中另一種覆蓋關(guān)系的結(jié)構(gòu)示意圖;?
圖6為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的BGA集成電阻器的局部剖視結(jié)構(gòu)示意圖;?
圖7為本發(fā)明第三實(shí)施例提供的BGA集成電阻器的俯視結(jié)構(gòu)示意圖;?
圖8為圖7中本發(fā)明第三實(shí)施例提供的BGA集成電阻器所形成的電阻電路示意圖;?
圖9為本發(fā)明第四實(shí)施例提供的BGA集成電阻器的制造方法的流程圖。?
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





