[發明專利]BGA集成電阻器及其制造方法和設備有效
| 申請號: | 200910001995.2 | 申請日: | 2009-01-21 |
| 公開(公告)號: | CN101783342A | 公開(公告)日: | 2010-07-21 |
| 發明(設計)人: | 黃創君;劉永波;王宏全 | 申請(專利權)人: | 華為技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/01 | 分類號: | H01L27/01;H01C13/00;H01L21/71;H01C17/00 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 劉芳 |
| 地址: | 518129 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | bga 集成 電阻器 及其 制造 方法 設備 | ||
1.一種BGA集成電阻器,其特征在于,包括:基板,焊盤,電阻膜,導 帶和保護膜;所述基板上設有兩個以上的焊盤;所述基板上設有至少一塊電 阻膜,一電阻膜連接兩個導帶,電阻膜的邊緣壓覆在導帶的邊緣之上;所述 兩個導帶各自與一焊盤相連;所述電阻膜和所述導帶上覆蓋有保護膜;所述 焊盤從鄰近所述基板至遠離所述基板方向依次包括銅鍍層、鎳鍍層和錫鉛鍍 層;或,所述焊盤為單層,其材質為銅。
2.根據權利要求1所述的BGA集成電阻器,其特征在于:所述電阻膜與 所述焊盤設在所述基板的同一表面上;所述焊盤和所述電阻膜的邊緣分別壓 覆在所述導帶的邊緣之上。
3.根據權利要求2所述的BGA集成電阻器,其特征在于:所述保護膜包 括第一保護膜和第二保護膜,所述第一保護膜覆蓋在所述電阻膜和所述導帶 上,所述第二保護膜覆蓋在所述第一保護膜上。
4.根據權利要求1所述的BGA集成電阻器,其特征在于:所述電阻膜與 所述焊盤分設在所述基板的不同表面上;所述基板上設有過孔,所述導帶穿 過所述過孔連接所述焊盤和所述電阻膜;所述焊盤覆蓋在所述過孔的孔口上, 所述導帶連接在所述焊盤的底面上。
5.根據權利要求4所述的BGA集成電阻器,其特征在于:所述保護膜包 括第一保護膜和第二保護膜,所述第一保護膜覆蓋在所述電阻膜上,所述第 二保護膜覆蓋在所述第一保護膜和所述導帶上。
6.根據權利要求3或5所述的BGA集成電阻器,其特征在于:所述第一 保護膜的材質為玻璃,或者所述第二保護膜的材質為高分子樹脂。
7.根據權利要求1~5任一所述的BGA集成電阻器,其特征在于:所述 導帶的材質為銀鈀合金;所述銀鈀合金中鈀的質量百分比為0~20%。
8.根據權利要求1~5任一所述的BGA集成電阻器,其特征在于:所述 導帶的材質為銅;在所述導帶與所述基板之間還設有鈦鈀合金層。
9.根據權利要求1~5任一所述的BGA集成電阻器,其特征在于:各所 述電阻膜在所述基板上呈矩陣形式排列,所述矩陣的列數為3~16,所述矩陣 的行數為2~16;各所述焊盤在所述基板上呈矩陣形式排列,且各所述焊盤上 植入的焊球之間的間距為0.5~1.27毫米,所述焊球的直徑為0.35~0.8毫 米。
10.一種BGA集成電阻器的制造方法,其特征在于,包括:
在基板的表面上形成預定圖案的導帶;
在形成導帶后的基板上形成至少一塊電阻膜,分散形成焊盤,所述導帶 連接所述電阻膜和所述焊盤,電阻膜的邊緣壓覆在導帶的邊緣之上,其中, 所述焊盤從鄰近所述基板至遠離所述基板方向依次包括銅鍍層、鎳鍍層和錫 鉛鍍層;或,所述焊盤為單層,其材質為銅;
在所述電阻膜和導帶上覆蓋保護膜。
11.根據權利要求10所述的BGA集成電阻器的制造方法,其特征在于, 所述形成至少一塊電阻膜,且分散形成焊盤包括:
在所述基板形成所述導帶的表面上,分別形成至少一塊電阻膜和兩個以 上的焊盤,電阻膜和焊盤的邊緣分別壓覆在所述導帶的邊緣之上;或
在所述基板形成所述導帶的表面上形成至少一塊電阻膜,在所述基板的 另一表面上形成兩個以上的焊盤,電阻膜壓覆在所述導帶的邊緣之上,焊盤 覆蓋在基板上的過孔的孔口上,所述導帶穿過所述過孔連接在焊盤的底面上。
12.一種采用權利要求1~9任一所述的BGA集成電阻器的通信設備, 其特征在于:所述通信設備包括電路板,所述BGA集成電阻器集成在所述電 路板上。
13.一種采用權利要求1~9任一所述的BGA集成電阻器的汽車電子設 備,其特征在于:所述汽車電子設備包括電路板,所述BGA集成電阻器集成 在所述電路板上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





