[發明專利]具有低導通電阻的高電壓功率MOSFET無效
| 申請號： | 200910001886.0 | 申請日： | 2003-02-20 |
| 公開（公告）號： | CN101567384A | 公開（公告）日： | 2009-10-28 |
| 發明（設計）人： | 理查德·A·布朗夏爾 | 申請（專利權）人： | 通用半導體公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 梁曉廣;關兆輝 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 通電 電壓 功率 mosfet | ||
【權利要求書】：
1.一種高電壓MOSFET，其包括：
第一導電類型的襯底；
在所述襯底上淀積的外延層，所述外延層具有第一導電類型；
在外延層中形成的第一和第二體區，漂移區在所述第一和第二體 區之間延伸并且在所述體區下面延伸到所述襯底，所述體區具有第二 導電類型；
分別在所述第一和第二體區中形成的第一導電類型的第一和第二 源區；
在所述體區下面形成的第一和第二溝槽，所述第一和第二溝槽分 別從第一和第二體區朝著襯底延伸；
在所述溝槽的表面上形成的二氧化硅層；
在所述溝槽中的二氧化硅上淀積的摻有第二導電類型的摻雜劑的 多晶硅，所述多晶硅填充所述溝槽；
至少部分所述的摻雜劑從所述溝槽擴散到鄰近溝槽的部分外延層 中；以及
通過再結晶至少部分所述的多晶硅形成的單晶硅。
2.根據權利要求1所述的高電壓MOSFET，其中再結晶所述多晶 硅包括退火所述多晶硅，所述外延層具有在溶解溫度時低于其固溶度 的氧濃度，并且所述二氧化硅溶入所述外延層中。
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