[發明專利]半導體激光裝置

無效

• 申請號: 200910001611.7
• 申請日: 2009-01-09
• 公開（公告）號: CN101483318A
• 公開（公告）日: 2009-07-15
• 發明（設計）人: 藤本康弘;中谷東吾;高山徹;木戶口勛
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01S5/40
• 分類號: H01S5/40;H01S5/22
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 汪惠民

技術領域

本發明涉及半導體激光裝置，尤其涉及可以在光盤裝置、電子裝置或 信息處理裝置等的光源中使用、在一個基板上具備多個發光點的半導體激 光裝置。

背景技術

目前，能夠實現高密度記錄的大容量數字多用途盤(DVD)及其再生 用的DVD裝置已被商品化，作為今后需要進一步發展的商品而備受矚目。 由于DVD是高密度記錄，所以，作為其記錄再生用的激光光源可以使用 發光波長為650nm的AlGaInP系半導體激光裝置。并且，通過使發光波長 短波長化，而大幅提高了記錄密度的、發光波長為405nm的GaN系半導 體激光裝置也備受矚目。這些可見光頻帶的半導體激光裝置的長壽命化及 高輸出化受到限制的主要原因之一是因在半導體激光裝置的活性層中蓄 積的應變(strain)引起的劣化。對于該應變引起的劣化而言，因構成半導 體激光裝置的各半導體層的材料及組成的差異而產生內部應力，基于該內 部應力在活性層中發生結晶缺陷，導致偏光特性劣化且可靠性降低。為了 防止該情況，作為第一現有例，例如專利文獻1中提出了在p型金屬包層 的整個表面層疊兩層絕緣膜，來緩和對該p型金屬包層作用的熱應力，從 而可抑制半導體激光裝置的劣化的方法。

另外，作為第二現有例，例如專利文獻2中提出了下述方案：在一個 基板上集成了紅色激光元件和紅外激光元件的半導體激光裝置中，為了降 低對發光點施加的應力，根據用途從芯片寬度的中心線起以該芯片寬度為 基準單位，將具有規定發光波長的生成光的發光點位置配置在15％以內的 范圍，通過設置這樣的制約從而可以維持紅色激光元件部或紅外激光元件 部的偏光特性。其中，發光點是指構成半導體激光器構造的活性層(發光 層)中的脊條(ridge?stripe)的下側部分、即發光光的實質出射區域。

【專利文獻1】特開2006-012899號公報

【專利文獻2】特開2006-313875號公報

但是，在以上述的緩和熱應力為目的，在p型金屬包層的整個表面設 置兩層絕緣膜的第一現有例的情況下，雖然激光裝置單體(設備單體)的 應力被緩和，但如果在作為散熱器而發揮功能的子基座(sub?mount)上安 裝具有多個發光點、且集成于一個基板上的激光裝置，則基于子基座與激 光裝置的熱膨脹系數的差異，該激光裝置會彎曲，導致對各發光點施加的 應力按發光點而不同、且該應力的非對稱性大，因此，難以兼顧可靠性及 偏光特性雙方，存在著激光裝置的成品率惡化。

另外，在根據用途將生成光的發光點位置相對芯片寬度從中心線開始 配置在15％以內的范圍的第二現有例的情況下，由于利用了芯片寬度的中 心附近的應力小，所以可以只維持特定發光點的偏光特性，但如果像雙波 長半導體激光裝置那樣具有發光點之間的間隔為110μm的制約，則雖然 一方的發光點可以配置在15％以內，但另一方的發光點成為15％以上的 配置，因此，存在著不得不犧牲偏光特性的問題。

發明內容

本發明為了解決上述現有問題而提出，其目的在于，抑制活性層發生 結晶缺陷，并改善對發光點施加的應力的非對稱性，從而可防止可靠性降 低且提高偏光特性。

為了實現上述目的，本發明在對半導體激光裝置進行安裝，例如將形 成有各脊條的激光構造側安裝到子基座、即所謂p側朝下安裝的情況下， 當安裝面相對子基座彎曲為凸狀時，僅在各脊條部的側方的外側部分形成 熱膨脹系數大于電流阻礙層的應變緩和層，相反，當安裝面相對子基座彎 曲為凹狀時，僅在各脊條部的側方的內側部分設置熱膨脹系數小于電流阻 礙層的應變緩和層。另外，在兩個脊條部中的一方遠離激光芯片的寬度方 向的中心線而形成的情況下，僅在從該中心線遠離的脊條的兩側方設置應 變緩和層。