[發明專利]半導體激光裝置

無效

• 申請號: 200910001611.7
• 申請日: 2009-01-09
• 公開（公告）號: CN101483318A
• 公開（公告）日: 2009-07-15
• 發明（設計）人: 藤本康弘;中谷東吾;高山徹;木戶口勛
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01S5/40
• 分類號: H01S5/40;H01S5/22
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 汪惠民

1.一種半導體激光裝置，具備：在半導體基板上相互隔著分離槽而 形成，具有第一脊條部的第一半導體激光器構造和具有與所述第一脊條部 平行設置的第二脊條部的第二半導體激光器構造，

所述第一半導體激光器構造具有在所述半導體基板上依次形成的第 一金屬包層、第一活性層、第二金屬包層及第一電流阻礙層，

所述第二半導體激光器構造在所述半導體基板上具有隔著所述分離 槽依次形成的第三金屬包層、第二活性層、第四金屬包層及第二電流阻礙 層，

在所述第二金屬包層中的所述第一脊條部的與所述第二半導體激光 器構造相反側的側面上及側方的區域上形成有第一應變緩和層，

在所述第四金屬包層中的所述第二脊條部的與所述第一半導體激光 器構造相反側的側面上及側方的區域上形成有第二應變緩和層，

當設所述第二金屬包層及第四金屬包層的熱膨脹系數為Tc、所述第一 電流阻礙層及第二電流阻礙層的熱膨脹系數為Tb、所述第一應變緩和層 及第二應變緩和層的熱膨脹系數為Ts時，滿足Tb＜Tc＜Ts的關系。

2.一種半導體激光裝置，具備：在半導體基板上相互隔著分離槽而 形成，具有第一脊條部的第一半導體激光器構造和具有與所述第一脊條部 平行設置的第二脊條部的第二半導體激光器構造，

所述第一半導體激光器構造具有在所述半導體基板上依次形成的第 一金屬包層、第一活性層、第二金屬包層及第一電流阻礙層，

所述第二半導體激光器構造在所述半導體基板上具有隔著所述分離 槽依次形成的第三金屬包層、第二活性層、第四金屬包層及第二電流阻礙 層，

在所述第二金屬包層中的所述第一脊條部的與所述第二半導體激光 器構造對置側的側面上及側方的區域上形成有第一應變緩和層，

在所述第四金屬包層中的所述第二脊條部的與所述第一半導體激光 器構造對置側的側面上及側方的區域上形成有第二應變緩和層，

當設所述第二金屬包層及第四金屬包層的熱膨脹系數為Tc、所述第一 電流阻礙層及第二電流阻礙層的熱膨脹系數為Tb、所述第一應變緩和層 及第二應變緩和層的熱膨脹系數為Ts時，滿足Ts＜Tc＜Tb的關系。

3.根據權利要求1或2所述的半導體激光裝置，其特征在于，

所述第一脊條部及第二脊條部相對所述半導體基板中的與所述各脊 條部延伸的方向垂直的寬度方向的中心線對稱形成。

4.根據權利要求1或2所述的半導體激光裝置，其特征在于，

所述第一電流阻礙層、第二電流阻礙層、第一應變緩和層及第二應變 緩和層由以氮化硅、氧化鋯、氧化鋁、氧化硅或氫化無定形硅為主要成分 的材料構成。

5.根據權利要求1或2所述的半導體激光裝置，其特征在于，

當設所述第一電流阻礙層及第二電流阻礙層的膜厚為d1、所述第一應 變緩和層及第二應變緩和層的膜厚為d2時，

100nm≤d1≤450nm且10nm≤d2≤300nm。

6.一種半導體激光裝置，具備：在半導體基板上相互隔著分離槽而 形成，具有第一脊條部的第一半導體激光器構造和具有與所述第一脊條部 平行設置的第二脊條部的第二半導體激光器構造，

所述第一半導體激光器構造具有在所述半導體基板上依次形成的第 一金屬包層、第一活性層、第二金屬包層及第一電流阻礙層，

所述第二半導體激光器構造在所述半導體基板上具有隔著所述分離 槽依次形成的第三金屬包層、第二活性層、第四金屬包層及第二電流阻礙 層，

在所述第二金屬包層中的所述第一脊條部兩側面上及兩側方的區域 上形成有應變緩和層，

當設所述第二金屬包層的熱膨脹系數為Tc、所述第一電流阻礙層的熱 膨脹系數為Tb、所述應變緩和層的熱膨脹系數為Ts時，滿足Tb＜Tc＜Ts 的關系。

7.根據權利要求1、2及6中任意一項所述的半導體激光裝置，其特 征在于，

所述分離槽中的該分離槽延伸的方向的中心線形成為，與所述半導體 基板中的和所述各脊條部延伸的方向垂直的寬度方向的中心線一致。