[發(fā)明專利]集成電路裝置與電容器對(duì)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910001320.8 | 申請(qǐng)日: | 2007-09-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101488498A | 公開(公告)日: | 2009-07-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳家逸;張家龍;趙治平 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/02 | 分類號(hào): | H01L27/02;H01L23/522;H01L23/528;H01G4/38 |
| 代理公司: | 隆天國際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 陳 晨;張?jiān)≡?/td> |
| 地址: | 中國臺(tái)*** | 國省代碼: | 中國臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成電路 裝置 電容器 | ||
本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2007年9月19日、申請(qǐng)?zhí)枮?00710153396.3(優(yōu)先權(quán)號(hào)為:US11/591,643)、發(fā)明名稱為“集成電路裝置與電容器對(duì)”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種集成電路裝置,特別涉及一種具有特定電容比例的電容器對(duì)的布局。
背景技術(shù)
在現(xiàn)今集成電路,例如混合模式(mixed-mode)與射頻(radio?frequency)電路的應(yīng)用,通常需要一組具有特定電容比例(通常指的是1∶N的電容器,其中N為大于零的整數(shù))的電容器。電容的比例通常需要具有高準(zhǔn)確性以確保集成電路能準(zhǔn)確地運(yùn)作。例如,在模擬/數(shù)字(A/D)轉(zhuǎn)換器,電容器對(duì)的準(zhǔn)確性決定產(chǎn)生的數(shù)字信號(hào)的準(zhǔn)確性,因此需要非常高準(zhǔn)確度的電容器比例。
圖1為顯示一傳統(tǒng)提供1∶N電容比例的電容器對(duì)電路。此電路包含設(shè)計(jì)成具有完全相同電容的單位電容器10陣列。X-譯碼器與Y-譯碼器耦接到電容器陣列且被用于自電容器陣列中選擇一些單元電容。并聯(lián)所選擇的單位電容器10,可形成具有更高電容的電容器。圖1中所顯示的陣列具有九個(gè)單位電容,因此可以被用于達(dá)到任何介于1∶1至1∶9的電容比例,其中數(shù)字1代表一單位電容器,數(shù)字9代表代表通過并聯(lián)所有9個(gè)單位電容器10的電容器。
圖1中所顯示的電路具有可動(dòng)態(tài)提供電容器對(duì)的優(yōu)點(diǎn)特征。然而一些缺點(diǎn)局限了其使用。例如,電容器陣列的結(jié)構(gòu)易受工藝影響。雖然所有單位電容被設(shè)計(jì)成完全相同,實(shí)際上,一些單位電容器可能靠近圖案稀少的區(qū)域,一些單位電容器可能靠近圖案稠密的區(qū)域。因此,單位電容器的電容具有變動(dòng)性,此變動(dòng)性會(huì)影響電容器對(duì)的準(zhǔn)確性。通常具有較高數(shù)量單位電容器的電容器陣列會(huì)具有更多的電容變動(dòng)。
另一個(gè)缺點(diǎn)為X-譯碼器與Y-譯碼器會(huì)占用芯片面積。特別是對(duì)于1∶N電容器,其中當(dāng)N為小數(shù)目時(shí),譯碼器所占用的芯片面積相比較于單位電容器所占用的小面積為更顯著的消耗。因此,需要一種改進(jìn)準(zhǔn)確性以及減少芯片面積消耗的電容器對(duì)。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,一種集成電路裝置包括,一電容器陣列,具有排列成行與列的單位電容器,其中每個(gè)單位電容器由兩電性絕緣的電容板組成,一至少一第一單位電容器,位于電容器陣列的每一列與每一行中并且彼此互相電性連接,其中電容器陣列的每一行如同其它行與列,具有相同數(shù)量的至少一第一單位電容器,并且其中電容器陣列的每一列如同其它列與行,具有相同數(shù)量的至少一第一單位電容器,以及一至少一第二單位電容器,位于電容器陣列的每一列與每一行中并且彼此互相電性連接,其中電容器陣列的每一行如同其它行與列,具有相同數(shù)量的至少一第二單位電容器,并且其中電容器陣列的每一列如同其它列與行,具有相同數(shù)量的至少一第二單位電容器。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例,一種集成電路裝置包括一共同節(jié)點(diǎn),具有一第一傳導(dǎo)總線與多個(gè)第一指狀結(jié)構(gòu),第一指狀結(jié)構(gòu)耦接至第一傳導(dǎo)總線,多個(gè)第二指狀結(jié)構(gòu),每個(gè)第二指狀結(jié)構(gòu)介于兩個(gè)平行且相鄰的第一指狀結(jié)構(gòu)之間,并與兩個(gè)第一指狀結(jié)構(gòu)電性絕緣,一第二傳導(dǎo)總線,與第二指狀結(jié)構(gòu)互相電性連接,多個(gè)第三指狀結(jié)構(gòu),每個(gè)第三指狀結(jié)構(gòu)介于平行且相鄰的兩個(gè)第一指狀結(jié)構(gòu)之間,并與兩個(gè)第一指狀結(jié)構(gòu)電性絕緣,一第三傳導(dǎo)總線,與第三指狀結(jié)構(gòu)互相電性連接,其中第一指狀結(jié)構(gòu)、第二指狀結(jié)構(gòu)與第三指狀結(jié)構(gòu)為位于一金屬層中的金屬線,并且上述第二傳導(dǎo)總線與上述第三傳導(dǎo)總線電性絕緣,并且其中第二指狀結(jié)構(gòu)與第三指狀結(jié)構(gòu)形成具有多列與多行的一陣列,其中在每一列與每一行中,第二指狀結(jié)構(gòu)的數(shù)量等于在其它列與其它行中的第二指狀結(jié)構(gòu)的數(shù)量,并且其中在每一列與每一行中,第三指狀結(jié)構(gòu)的數(shù)量等于在其它列與其它行中的第三指狀結(jié)構(gòu)的數(shù)量,其中上述兩個(gè)平行且相鄰的上述第一指狀結(jié)構(gòu)之間僅有一個(gè)第二指狀結(jié)構(gòu)或第三指狀結(jié)構(gòu)。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





