[發明專利]集成電路裝置與電容器對有效
| 申請號: | 200910001320.8 | 申請日: | 2007-09-19 |
| 公開(公告)號: | CN101488498A | 公開(公告)日: | 2009-07-22 |
| 發明(設計)人: | 陳家逸;張家龍;趙治平 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L23/522;H01L23/528;H01G4/38 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 | 代理人: | 陳 晨;張浴月 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 裝置 電容器 | ||
1.一種集成電路裝置,包括:
一共同節點,具有一第一傳導總線與多個第一指狀結構,上述第一指狀結構耦接至上述第一傳導總線;
多個第二指狀結構,每個上述第二指狀結構介于兩個平行且相鄰的上述第一指狀結構之間,并與上述兩個第一指狀結構電性絕緣;
一第二傳導總線,與上述第二指狀結構互相電性連接;
多個第三指狀結構,每個上述第三指狀結構介于兩個平行且相鄰的上述第一指狀結構之間,并與上述兩個第一指狀結構電性絕緣;
一第三傳導總線,與上述第三指狀結構互相電性連接,其中上述第一指狀結構、上述第二指狀結構與上述第三指狀結構為位于一金屬層中的金屬線,并且上述第二傳導總線與上述第三傳導總線電性絕緣;并且
其中上述第二指狀結構與上述第三指狀結構形成具有多列與多行的一陣列,其中在每一列與每一行中,上述第二指狀結構的數量等于在其它列與其它行中的上述第二指狀結構的數量,并且其中在每一列與每一行中,上述第三指狀結構的數量等于在其它列與其它行中的上述第三指狀結構的數量,
其中上述兩個平行且相鄰的上述第一指狀結構之間僅有一個第二指狀結構或第三指狀結構。
2.如權利要求1所述的集成電路裝置,其特征是至少一部分的上述第二傳導總線與至少一部分的上述第三傳導總線形成于與上述第一指狀結構以及上述第二指狀結構不同的金屬層中。
3.如權利要求1所述的集成電路裝置,其特征是在每一列與每一行中只有一個上述第二指狀結構,并且在每一列與每一行中具有多個上述第三指狀結構。
4.如權利要求1所述的集成電路裝置,還包括多個第四指狀結構,其中每個上述第四指狀結構介于兩個平行且相鄰的上述第一指狀結構之間,并與上述兩個第一指狀結構電性絕緣,并且其中在每一列與每一行中,上述第四指狀結構的數量等于在其它列與其它行的上述第四指狀結構的數量。
5.一種電容器對,包括:
一共同節點,具有一第一傳導總線與多個第一指狀結構,上述第一指狀結構耦接至上述第一傳導總線;
多個第二指狀結構,數量為M*(M+N),每個上述第二指狀結構介于兩個平行且相鄰的上述第一指狀結構之間,并與上述兩個第一指狀結構電性絕緣,其中M與N為非零的整數;
一第二傳導總線,與上述第二指狀結構互相電性連接;
多個第三指狀結構,數量為N*(M+N),每個上述第三指狀結構介于兩個平行且相鄰的上述第一指狀結構之間,并與上述兩個第一指狀結構電性絕緣;
一第三傳導總線,與上述第三指狀結構互相電性連接,其中上述第一指狀結構,上述第二指狀結構以及上述第三指狀結構為位于一金屬層中的金屬線,并且上述第二傳導總線與上述第三傳導總線電性絕緣;以及
其中上述第二指狀結構與上述第三指狀結構形成具有M+N列與M+N行的一陣列,其中在每一列與每一行中,有M個上述第二指狀結構與N個上述第三指狀結構,
其中上述兩個平行且相鄰的上述第一指狀結構之間僅有一個第二指狀結構或第三指狀結構。
6.如權利要求5所述的電容器對,其特征是上述第一指狀結構與上述第二指狀結構的側壁之間所形成的第一單位電容器的質量中心與上述第一指狀結構與上述第三指狀結構的側壁之間所形成的第二單位電容器的質量中心大體重疊。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司,未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910001320.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:有機發光裝置
- 下一篇:形成包封器件和結構的方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





