[發(fā)明專利]形成半導(dǎo)體器件的圖案的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910001020.X
• 申請(qǐng)日: 2009-01-19
• 公開（公告）號(hào): CN101546694A
• 公開（公告）日: 2009-09-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許仲君
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海力士半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/00
• 分類號(hào): H01L21/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 彭久云

1.一種形成半導(dǎo)體器件的圖案的方法，該方法包括：

在底層上形成第一掩模膜和第二掩模膜；

使用光致抗蝕劑掩模圖案作為蝕刻掩模，部分蝕刻該第一掩模膜和第二 掩模膜以在該第一掩模膜的剩余部分上形成中間掩模圖案，該中間掩模圖案 具有凸起形狀且包含第一和第二掩模膜層；

在該中間掩模圖案的側(cè)壁形成第一間隙壁；

使用該第一間隙壁和該中間掩模圖案的第二掩模膜層作為蝕刻掩模，蝕 刻該第一掩模膜的剩余部分和該中間掩模圖案的第一掩模膜層，以露出該底 層并形成包含第一和第二掩模膜層的掩模圖案；

在該掩模圖案的側(cè)壁形成第二間隙壁；以及

除去該掩模圖案以形成對(duì)稱間隙壁圖案。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第一掩模膜包含非晶碳層。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第二掩模膜包含選自由氮氧化硅 膜、氧化硅膜及其組合組成的群組的材料。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中部分蝕刻該第一和第二掩模膜是使 用選自由氧氣、氮?dú)?、溴化氫及其組合組成的群組的蝕刻氣體來(lái)進(jìn)行。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中在該蝕刻氣體存在時(shí)，該第一掩模 膜和該第二掩模膜的蝕刻速度比率為5∶1至10∶1。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該中間掩模圖案的第一掩模膜層的 高度為該第一掩模膜的初始厚度的10％至50％。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成該第一間隙壁包括：

在該中間掩模圖案以及該第一掩模膜的剩余部分上沉積第一絕緣膜；以 及

對(duì)該第一絕緣膜執(zhí)行各向異性蝕刻工藝。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中該第一絕緣膜包含多晶硅層和氮化 物膜。

9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中該第一絕緣膜沉積至該中間掩模圖 案的第一掩模膜層的高度的5％至50％的厚度

10.如權(quán)利要求7所述的方法，其中該各向異性蝕刻工藝使用氫氟碳化 合物氣體來(lái)進(jìn)行。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中在該氫氟碳化合物氣體存在時(shí)， 該第一掩模膜和該第二掩模膜及該第一絕緣膜的蝕刻速度比率為5∶1至 10∶1。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中蝕刻該第一掩模膜的剩余部分和該 中間掩模圖案的第一掩模膜層是通過(guò)各向同性蝕刻工藝來(lái)進(jìn)行。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中該各向同性蝕刻工藝使用選自由 氧氣、氮?dú)狻寤瘹浼捌浣M合組成的群組的蝕刻氣體來(lái)進(jìn)行。

14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中在該各向同性蝕刻工藝之后的該 掩模圖案的第一掩模膜層的臨界尺寸為在該各向同性蝕刻工藝之前的該中 間掩模圖案的第一掩模膜層的臨界尺寸的20％至50％。

15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中形成該第二間隙壁包括：

在該掩模圖案上沉積第二絕緣膜；以及

對(duì)該第二絕緣膜執(zhí)行干法各向異性蝕刻工藝以露出該底層。

16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中該第二絕緣膜包含多晶硅層和氮 化物膜。

17.如權(quán)利要求15所述的方法，其中在該各向同性蝕刻工藝之后，該 第二絕緣膜沉積至該掩模圖案的第一掩模膜層的高度的5％至50％的厚度。

18.如權(quán)利要求15所述的方法，其中該各向異性蝕刻工藝使用氫氟碳 化合物氣體來(lái)進(jìn)行。