[發明專利]具有切截區域的熔斷器及具有該熔斷器的熔斷器組件結構

無效

• 申請號: 200910000704.8
• 申請日: 2009-01-07
• 公開（公告）號: CN101488427A
• 公開（公告）日: 2009-07-22
• 發明（設計）人: 宋根洙
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01H85/046
• 分類號: H01H85/046;H01L23/62
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 楊林森;康建峰

相關申請的交叉引用

本申請要求于2008年1月16日提交至韓國專利局的韓國專利申請第 10-2008-0004850號以及于2008年12月5日提交至韓國專利局的韓國專 利申請第10-2008-0122847號的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

技術領域

本文所描述的實施例涉及一種熔斷器(fuse)以及具有該熔斷器的熔 斷器組件結構，并且更具體而言，涉及一種具有多個切截區域的熔斷器以 及具有該熔斷器的熔斷器組件結構。

背景技術

隨著構成半導體集成電路的器件的尺寸變小，集成在單個半導體芯片 內的器件的數量增多，因此缺陷密度也增多。這種缺陷密度的增加降低了 半導體器件的成品率。而在極端情況下，需要丟棄用于制造半導體器件的 晶片。

為減少缺陷密度，已經提出一種冗余電路(redundancy?circuit)以利 用額外的單元來調換有缺陷的單元。在半導體存儲器器件的情況下，可相 應于行互連(例如字線)及列互連(例如位線)來安裝冗余電路(或熔斷器電 路)，且該冗余電路可包括熔斷器組件組以存儲有缺陷的單元的地址信息。 該熔斷器組件組包括多個熔斷器組件陣列，該陣列具有多個熔斷器，并且 每個熔斷器組件的程序可通過選擇性激光切截來執行。

如圖1所示，傳統熔斷器組件40包括以規則的間隔D被設置成彼此 平行的多個熔斷器41至48。熔斷器41至48被設置成線形圖案，并且具 有相同的線寬W和間距p。附圖標記50表示待由激光束切截的區域。

然而，隨著半導體存儲器器件的集成密度增高，集成在存儲體內的半 導體存儲器單元的數量增加并且存儲體的尺寸縮小。不過，又必須確保熔 斷器41至48之間的間距p，以獲得熔斷器組件40的切截間距，由此在 降低包括熔斷器組件40的電路區塊的面積時造成困難。

更詳細地說，由于熔斷器41至48之間的間距p是由該激光束設備的 能力即激光對準容差來決定，因此如果無法確保熔斷器41至48之間的間 距p對應于激光對準容差，則在通過激光切截熔斷器41至48時，可能會 損害到鄰近的熔斷器41至48。因而，在正常的存儲器單元上進行冗余操 作，使得即使檢測到有缺陷的單元也不會替換該有缺陷的單元。

因而，無法按與半導體集成電路的集成密度成比例的方式來簡易地縮 小熔斷器組件的面積。由此，熔斷器組件的占據面積逐漸地增加，從而對 半導體集成電路的小型化造成限制。

發明內容

本文公開了一種熔斷器以及一種具有該熔斷器的熔斷器組件結構，其 中熔斷器的面積與半導體器件的集成密度成比例地減少。

根據一方面，熔斷器包括：主熔斷器區域，以及從主熔斷器區域延伸 的多個切截區域。

根據另一方面，熔斷器組件包括多個熔斷器，該熔斷器包括主熔斷器 區域以及從主熔斷器區域延伸的多個切截區域，其中鄰近熔斷器相對彼此 被反向轉動約180度且在鄰近熔斷器之間保持預定間隔。

在后文的具體實施方式中將描述這些以及其它的特征、方面與實施 例。

附圖說明

通過以下結合附圖的詳細描述，可以更清楚地理解本發明主題的上述 和其它的方面、特征以及其它優點，其中：

圖1是示出傳統半導體集成電路的熔斷器組件的平面視圖；

圖2是示出根據本發明第一實施例的熔斷器的結構的例子的平面視 圖；

圖3是平面視圖，示出其中設置了根據本發明第一實施例的熔斷器的 熔斷器組件的結構的例子；

圖4是示出根據本發明第二實施例的熔斷器的結構的例子的平面視 圖；

圖5是平面視圖，示出其中設置了根據本發明第二實施例的熔斷器的 熔斷器組件的結構的例子；

圖6是示出根據本發明第三實施例的熔斷器的結構的例子的平面視 圖；

圖7是平面視圖，示出其中設置了根據本發明第三實施例的熔斷器的 熔斷器組件的結構的例子；

圖8是示出根據本發明第四實施例的熔斷器的結構的例子的平面視 圖；

圖9是平面視圖，示出其中設置了根據本發明第四實施例的熔斷器的 熔斷器組件的結構的例子；

圖10是示出根據本發明第五實施例的熔斷器的結構的例子的平面視 圖；

圖11是平面視圖，示出其中設置了根據本發明第五實施例的熔斷器 的熔斷器組件的結構的例子；以及