[發(fā)明專利]具有切截區(qū)域的熔斷器及具有該熔斷器的熔斷器組件結(jié)構(gòu)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910000704.8 | 申請日： | 2009-01-07 |
| 公開（公告）號： | CN101488427A | 公開（公告）日： | 2009-07-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 宋根洙 | 申請（專利權(quán)）人： | 海力士半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H01H85/046 | 分類號： | H01H85/046;H01L23/62 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 楊林森;康建峰 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 區(qū)域 熔斷器 組件 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種熔斷器，包括：
主熔斷器區(qū)域；以及
從所述主熔斷器區(qū)域延伸的多個切截區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1的熔斷器，其中所述切截區(qū)域以激光對準容差彼此相 隔。
3.如權(quán)利要求1的熔斷器，其中所述多個切截區(qū)域中的每個包括： 以預(yù)定角度從所述主熔斷器區(qū)域形成分支的第一分支區(qū)域及第二分 支區(qū)域；以及
彼此平行地分別從所述第一分支區(qū)域及第二分支區(qū)域延伸的第一平 行區(qū)域及第二平行區(qū)域。
4.如權(quán)利要求3的熔斷器，其中所述第一平行區(qū)域與所述第二平行區(qū) 域相隔所述激光對準容差。
5.如權(quán)利要求3的熔斷器，其中所述第一分支區(qū)域及第二分支區(qū)域從 所述主熔斷器區(qū)域形成分支，且所述第一分支區(qū)域及第二分支區(qū)域之間形 成180度的角度。
6.如權(quán)利要求3的熔斷器，進一步包括在所述第一平行區(qū)域與第二平 行區(qū)域之間以直線形式從所述主熔斷器區(qū)域延伸的第三平行區(qū)域，
其中所述第一平行區(qū)域與所述第三平行區(qū)域相隔所述激光對準容差， 并且其中所述第二平行區(qū)域與所述第三平行區(qū)域相隔所述激光對準容差。
7.如權(quán)利要求1的熔斷器，其中所述切截區(qū)域彼此平行地延伸，并且 其中所述切截區(qū)域中的一個以直線形式從所述主熔斷器區(qū)域延伸。
8.如權(quán)利要求7的熔斷器，進一步包括連接所述主熔斷器區(qū)域至所述 切截區(qū)域的連接區(qū)域，其中所述連接區(qū)域與所述切截區(qū)域及所述主熔斷器 區(qū)域的延伸方向垂直。
9.如權(quán)利要求7的熔斷器，其中所述切截區(qū)域以所述激光對準容差彼 此相隔。
10.一種熔斷器組件，包括：
多個熔斷器，所述熔斷器包括主熔斷器區(qū)域以及從所述主熔斷器區(qū)域 延伸的多個切截區(qū)域，其中鄰近熔斷器相對彼此被反向轉(zhuǎn)動約180度且所 述鄰近熔斷器之間保持預(yù)定間隔。
11.如權(quán)利要求10的熔斷器組件，其中所述鄰近熔斷器在所述熔斷 器的整個區(qū)域上以激光對準容差彼此相隔。
12.如權(quán)利要求10的熔斷器組件，其中所述熔斷器的多個切截區(qū)域 中的每個包括：
以預(yù)定角度從所述主熔斷器區(qū)域形成分支的第一分支區(qū)域及第二分 支區(qū)域；以及
彼此平行地分別從所述第一分支區(qū)域及第二分支區(qū)域延伸的第一平 行區(qū)域及第二平行區(qū)域。
13.如權(quán)利要求12的熔斷器組件，其中所述第一平行區(qū)域與所述第 二平行區(qū)域相隔激光對準容差。
14.如權(quán)利要求12的熔斷器組件，其中所述第一分支區(qū)域及所述第 二分支區(qū)域之間具有180度的角度。
15.如權(quán)利要求12的熔斷器組件，進一步包括在所述第一平行區(qū)域 與第二平行區(qū)域之間以直線形式從所述主熔斷器區(qū)域延伸的第三平行區(qū) 域，
其中所述第一平行區(qū)域與所述第三平行區(qū)域相隔所述激光對準容差， 并且其中所述第二平行區(qū)域與所述第三平行區(qū)域相隔所述激光對準容差。
16.如權(quán)利要求10的熔斷器組件，其中所述多個切截區(qū)域彼此平行 地延伸，并且其中所述多個切截區(qū)域中的一個以直線形式從所述主熔斷器 區(qū)域延伸。
17.如權(quán)利要求16的熔斷器組件，進一步包括連接所述主熔斷器區(qū) 域至所述切截區(qū)域的連接區(qū)域，其中所述連接區(qū)域垂直于所述主熔斷器區(qū) 域及所述切截區(qū)域而延伸。
18.如權(quán)利要求16的熔斷器組件，其中所述切截區(qū)域以激光對準容 差彼此相隔。
19.如權(quán)利要求10的熔斷器組件，其中所述熔斷器被順序地設(shè)置， 使得所述切截區(qū)域的數(shù)量對應(yīng)于區(qū)塊選擇信號的數(shù)量。
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