[發明專利]形成包括薄層的光伏電池的方法有效
| 申請號: | 200910000498.0 | 申請日: | 2009-02-05 |
| 公開(公告)號: | CN101504957A | 公開(公告)日: | 2009-08-12 |
| 發明(設計)人: | 斯里尼瓦?!に雇呷鹉?/a>;阿蒂塔亞·阿加瓦爾;S·布萊德·赫內爾;克里斯托弗·J·佩蒂 | 申請(專利權)人: | 特溫克里克技術公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/042 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 趙 飛;南 霆 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 形成 包括 薄層 電池 方法 | ||
技術領域
本發明涉及形成用于光伏電池的薄半導體層的方法。?
背景技術
傳統的光伏電池相當普遍地由硅晶片形成。通常這種晶片由硅晶錠切割得到。當前的技術不能經濟地將小于170微米厚的晶片制造成為電池,并且在此厚度情況下,相當數量的硅在切割損耗或切縫中被浪費。對于有效或商業用途,硅太陽能電池并不需要這么厚。傳統太陽能電池的成本的大部分是硅施主的成本。?
因此,存在廉價并可靠地形成薄晶體半導體光伏電池的需求。?
發明內容
本發明由以下方面界定,并且此部分中的內容不應視為對權利要求的限制??傮w而言,本發明針對用于光伏電池的薄半導體層和用于制造這種電池的方法。?
本發明的第一方面提供了一種形成光伏電池的方法,所述方法包括:提供具有第一原料厚度的連續單層半導體施主體;以及解理連續單層半導體施主體的一部分以形成第一半導體材料層,其中第一半導體材料層具有第一層厚度,第一層厚度在約0.2微米與約100微米之間;以及制造所述光伏電池,其中第一半導體材料層包括光伏電池的基極或發射極或兩者的至少一部分。?
本發明的另一方面提供了一種制造光伏電池的方法,所述方法包括:將氫離子通過半導體施主體的第一表面注入到半導體施主體中,其中離子注入界定了在所述第一表面以下約0.2微米與約100微米之間深度處的解理平面;沿著解理平面從施主體解理半導體材料層;以及制造光伏電池,?其中層包括光伏電池的基極或發射極或兩者的至少一部分。?
本發明的又一方面提供了一種制造光伏電池的方法,所述方法包括:將第一連續單層半導體施主體的第一表面附裝到接收體;在附裝步驟之后,從第一施主體解理第一半導體材料層,其中第一半導體材料層包括所述第一表面并保持附裝到接收體;以及制造光伏電池,其中第一半導體材料層包括光伏電池的基極或發射極或兩者的至少一部分。?
本發明的實施例提供了一種用于制造光伏電池的方法,所述方法包括:摻雜半導體晶片的第一表面的至少一部分;將氫離子通過第一表面注入;將第一表面附裝到接收體;以及在附裝步驟之后,從半導體晶片解理第一半導體層,其中第一層包括所述第一表面,其中所述第一表面接合到接收體,其中當第一層暴露于光時在其內產生電流。?
本發明的另一實施例提供了一種制造光伏模組的方法,所述方法包括:將多個半導體晶片附裝到接收體;以及在所述附裝步驟之后,從半導體晶片中的每個解理半導體層,其中每個層接合到接收體,其中光伏模組包括接收體和層。?
本發明的又一方面提供了一種包括光伏電池的半導體層,該半導體層具有大體平行的第一和第二表面,其中第一和第二表面之間的厚度在約0.2與約100微米之間,其中導線接觸第一表面但是沒有導線接觸第二表面,并且其中入射光通過第二表面進入光伏電池。?
本發明的另一實施例提供了一種包括光伏電池的半導體層,該半導體層具有大體平行的第一和第二表面,其中第一和第二表面之間的厚度在約0.2與約100微米之間,其中導線接觸第一表面但是沒有導線接觸第二表面,并且其中入射光通過第二表面進入光伏電池。?
本發明的又一實施例提供了一種包括光伏電池的半導體層,該半導體層具有大體平行的第一和第二表面,其中第一和第二表面之間的厚度在約1與約100微米之間,其中第一表面或第二表面的峰谷表面粗糙度大于約600埃,并且其中層包括光伏電池或光伏電池的一部分。?
本發明的實施例提供了一種光伏模組,包括:接收體;和接合到接收體的多個半導體層,其中每個半導體層在約1與約100微米之間,其中每?個半導體層包括光伏電池的基極或發射極的至少一部分。相關實施例提供了一種光伏模組,包括:多個層,每個層具有在約0.2微米與約100微米之間的厚度,每個層包括光伏電池的基極或發射極的至少一部分;以及襯底,其中每個層接合到襯底。另一個相關實施例提供了一種光伏模組,包括:多個層,每個層具有在約0.2微米與約100微米之間的厚度,每個層包括光伏電池的基極或發射極的至少一部分;以及襯頂,其中每個層接合到襯頂。?
本發明的又一方面提供了一種形成器件的方法,所述方法包括:將半導體主體的第一表面粘附到接收體,其中接收體是金屬或聚合物;以及從半導體主體解理層,其中層包括所述第一表面,所述第一表面保持為粘附到接收體,并且層在約1與80微米之間厚。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





