[發(fā)明專利]形成包括薄層的光伏電池的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910000498.0 | 申請(qǐng)日: | 2009-02-05 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101504957A | 公開(kāi)(公告)日: | 2009-08-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 斯里尼瓦桑·斯瓦瑞姆;阿蒂塔亞·阿加瓦爾;S·布萊德·赫內(nèi)爾;克里斯托弗·J·佩蒂 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 特溫克里克技術(shù)公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/18 | 分類號(hào): | H01L31/18;H01L31/042 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 趙 飛;南 霆 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 形成 包括 薄層 電池 方法 | ||
1.一種光伏電池,其包括:
單晶硅層,其具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面,所述 單晶硅層在所述第一表面與所述第二表面之間具有在1微米與20微米之 間的厚度;
與所述第一表面接觸的電介質(zhì)層;以及
與所述電介質(zhì)層接觸的金屬層,所述金屬層經(jīng)由被形成為通過(guò)所述電 介質(zhì)層的過(guò)孔與所述第一表面接觸,
其中所述電介質(zhì)層和所述金屬層被布置在所述單晶硅層與對(duì)所述單晶 硅層提供支撐的背側(cè)支撐襯底之間,
其中所述金屬層在全部所述過(guò)孔之間是連續(xù)的,并且
其中所述光伏電池包括所述單晶硅層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏電池,其中所述電介質(zhì)層包括氮化硅或 二氧化硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏電池,其中所述金屬層包括鋁。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏電池,還包括與所述第二表面接觸的抗 反射層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏電池,其中所述單晶硅層具有在1微米 與5微米之間的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏電池,其中所述第二表面的至少一部分 被n摻雜或p摻雜到至少1018個(gè)原子/cm3的濃度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏電池,其中所述第二表面被粗糙化。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏電池,其中所述背側(cè)支撐襯底包括玻 璃。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





