[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 200880129496.5
• 申請日: 2008-06-17
• 公開（公告）號: CN102047411A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發明（設計）人: 尾崎史朗;中田義弘;小林靖志;美濃浦優一
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/316;H01L23/522
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 菅興成;吳小瑛

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成由硅化合物類絕緣材料構成的絕緣膜的工序；

在上述絕緣膜上形成開口部的工序；

通過在含有烴類氣體的環境中，對形成有上述開口部的上述絕緣膜照射活性能量線，由此至少在所述開口部的內面形成由結晶性SiC構成的阻擋層的工序；以及，

在形成有上述阻擋層的上述絕緣膜的上述開口部內，形成由銅構成的布線結構體的工序。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在上述形成阻擋層的工序中，形成由β-SiC構成的上述阻擋層。

3.如權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在上述形成阻擋層的工序中，將上述基板加熱為50～250℃的溫度的狀態下照射活性能量線。

4.如權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在上述形成絕緣膜的工序中，形成具有由硅聚合物構成的膜的上述絕緣膜，所述硅聚合物在結構的一部分中含有CH_x、Si-O-Si鍵、Si-CH₃鍵和Si-CH_x鍵，其中，x均表示0～2的整數。

5.如權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

上述由硅聚合物構成的膜是多孔質膜。

6.如權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

上述活性能量線是從電子束、紫外線或等離子體放出的放射線。

7.如權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

上述烴類氣體含有從甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、乙烯、丙烯、丁烯和乙炔組成的組中選出的至少一種氣體。

8.如權利要求1至7中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在上述形成開口部的工序中，所形成的上述開口部具有形成于上述絕緣膜的下方部分的通孔，以及與上述通孔連接而形成于上述絕緣膜的上方部分的布線溝。

9.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

具有開口部的絕緣膜；

由形成于上述絕緣膜的上述開口部內面的結晶性SiC所構成的阻擋層；以及，

由嵌入在形成有上述阻擋層的上述開口部內的銅所構成的布線結構體。

10.如權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，

上述阻擋層由β-SiC構成。

11.如權利要求9或10所述的半導體裝置，其特征在于：

上述布線結構體是接觸插塞和/或布線。

12.如權利要求9至11中任一項所述的半導體裝置，其特征在于：

上述絕緣膜由硅化合物類絕緣材料構成。

13.如權利要求9至12中任一項所述的半導體裝置，其特征在于：

上述阻擋層的膜厚是1～20nm。