[發明專利]發光器件封裝及其制造方法

有效

• 申請號: 200880119458.1
• 申請日: 2008-11-03
• 公開（公告）號: CN101889354A
• 公開（公告）日: 2010-11-17
• 發明（設計）人: 金根浩;宋鏞先;元裕鎬
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王萍;陳煒

技術領域

本發明涉及一種發光器件封裝及其制造方法。

背景技術

發光二極管(LED)是一種將電流轉換成光的半導體發光器件。

從發光二極管發射的光的波長是根據用于制造發光二極管的半導體材料而確定的。這是因為所發射的光的波長對應于半導體材料的帶隙，帶隙被定義為價帶中的電子與導帶中的電子之間的能量差。

近來，隨著LED的亮度的增加，LED被用作顯示設備、交通工具和照明設備的光源。基于具有多種顏色的LED的組合或者磷光體的使用，能夠實現具有優良的照明效率的發射白色光的LED。

發明內容

技術問題

實施例提供了一種具有新型結構的發光器件封裝及其制造方法。

實施例提供了一種具有改進的電學穩定性的發光器件封裝及其制造方法。

技術方案

在實施例中，一種發光器件封裝包括：基板；基板上的發光器件；齊納二極管，包括第一傳導類型雜質區和兩個第二傳導類型雜質區，第一傳導類型雜質區被放置在基板中，兩個第二傳導類型雜質區被分離地放置在第一傳導類型雜質區的兩個區域中；以及第一電極層和第二電極層，它們中的每一個均電連接到第二傳導類型雜質區和發光器件。

在實施例中，一種發光器件封裝包括：基板；基板上的發光器件；齊納二極管，包括基板中的第一傳導類型雜質區和兩個第二傳導類型雜質區，兩個第二傳導類型雜質區被分離地放置在兩個區域中；第一電極層和第二電極層，它們中的每一個均電連接到第二傳導類型雜質區和發光器件；以及在基板與電極層中的至少一個電極層之間的絕緣層。

在實施例中，一種用于制造發光器件封裝的方法包括：形成齊納二極管，包括：在基板中形成第一傳導類型雜質區，以及形成分離地放置在第一傳導類型雜質區的兩個區域中的兩個第二傳導類型雜質區；在基板上安裝發光器件；以及形成第一電極層和第二電極層，它們中的每一個均電連接到發光器件和齊納二極管。

有益效果

實施例能夠提供一種具有新型結構的發光器件封裝及其制造方法。

實施例能夠提供一種具有改進的電學穩定性的發光器件封裝及其制造方法。

附圖說明

圖1是示出根據第一實施例的發光器件封裝的橫截面視圖。

圖2是示出根據第一實施例的發光器件封裝的等效電路視圖。

圖3至圖8是示出用于制造根據第一實施例的發光器件封裝的方法的橫截面視圖。

圖9是示出根據第一實施例的發光器件封裝中的基板中的多個發光器件的平面視圖。

圖10是示出在圖9的基板底部的多個齊納二極管的后視圖。

圖11是示出根據第二實施例的發光器件封裝的橫截面視圖。

圖12是示出根據第三實施例的發光器件封裝的橫截面視圖。

圖13是示出根據一個實施例的發光器件封裝中的齊納二極管的電壓-電流特性的曲線圖。

具體實施方式

在下文中，現在將參照附圖對根據本發明實施例的發光器件封裝及其制造方法進行描述。

對于本領域的技術人員將明顯的是，在不偏離本發明的精神或范圍的前提下，可以在本發明中進行各種修改和變化。因此，本發明意在涵蓋所附權利要求及其等同物的范圍內的本發明的修改和變化。

附圖中的相同的附圖標記表示相同的元件，并且因此將省略它們的描述。在附圖中，為清楚起見放大了層和區的厚度。

在以下描述中，將理解，當層(或膜)被稱作在另一層或基板“上”或“下”時，它可以直接在另一層或基板“上”或“下”，或者還可以存在中間層。進一步地，將理解，當諸如表面的組成元件被稱作“內部的”時，這意味著該表面比其它組成元件距器件的外側更遠。

將進一步理解，附圖中的組成元件的取向不限于此。另外，在提到詞“直接地”時，意指不存在中間的組成元件。詞“和/或”意指一個或更多個相關組成元件或者其組合是可能的。

圖1是示出根據第一實施例的發光器件封裝的橫截面視圖，而圖2是示出根據第一實施例的發光器件封裝的等效電路視圖。

參照圖1，在根據一個實施例的發光器件封裝中，在基板10中形成空腔11，并且在基板10的表面上形成絕緣層20。

發光器件30安裝在基板10的空腔11中并通過導線40電連接到第一電極層51和第二電極層52。

在基板10的底部放置第一傳導類型雜質區61，并且兩個第二傳導類型雜質區62在第一傳導類型雜質區61中彼此分隔。第二傳導類型雜質區62分別電連接到第一電極層51和第二電極層52。

第一傳導類型雜質區61和第二傳導類型雜質區62形成了齊納二極管60。