[發明專利]發光器件封裝及其制造方法

有效

• 申請號: 200880119458.1
• 申請日: 2008-11-03
• 公開（公告）號: CN101889354A
• 公開（公告）日: 2010-11-17
• 發明（設計）人: 金根浩;宋鏞先;元裕鎬
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王萍;陳煒

1.一種發光器件封裝，包括：

基板；

所述基板上的發光器件；

齊納二極管，包括第一傳導類型雜質區和兩個第二傳導類型雜質區，所述第一傳導類型雜質區被放置在所述基板中，所述兩個第二傳導類型雜質區被分離地放置在所述第一傳導類型雜質區的兩個區域中；以及

第一電極層和第二電極層，它們中的每一個均電連接到所述第二傳導類型雜質區和所述發光器件。

2.如權利要求1所述的發光器件封裝，其中，所述發光器件封裝包括多個所述發光二極管和多個所述齊納二極管。

3.如權利要求1所述的發光器件封裝，其中，所述齊納二極管被放置在所述基板的底部。

4.如權利要求1所述的發光器件封裝，其中，所述發光器件和所述齊納二極管并聯連接在一起。

5.如權利要求1所述的發光器件封裝，其中，絕緣層被放置在所述基板、所述第一電極層和所述第二電極層之間。

6.如權利要求1所述的發光器件封裝，其中，所述第一電極層和所述第二電極層穿過所述基板。

7.如權利要求1所述的發光器件封裝，其中，空腔在所述基板中形成，以及，所述發光器件被安裝在所述空腔中。

8.如權利要求1所述的發光器件封裝，其中，所述發光器件被放置在所述第一和第二電極層上并且通過凸起與它們電連接。

9.一種發光器件封裝，包括：

基板；

所述基板上的發光器件；

齊納二極管，包括所述基板中的第一傳導類型雜質區和兩個第二傳導類型雜質區，所述兩個第二傳導類型雜質區被分離地放置在兩個區域中；

第一電極層和第二電極層，它們中的每一個均電連接到所述第二傳導類型雜質區和所述發光器件；以及

在所述基板和所述電極層中至少一個電極層之間的絕緣層。

10.如權利要求9所述的發光器件封裝，其中，所述第一電極層和所述第二電極層穿過所述基板并且在所述基板之下電分離。

11.如權利要求9所述的發光器件封裝，其中，所述第一電極層和所述第二電極層在所述基板上形成，以及，所述齊納二極管在所述基板中的面對所述發光器件的區中形成。

12.如權利要求9所述的發光器件封裝，其中，所述發光器件和所述齊納二極管具有相同的數量。

13.一種用于制造發光器件封裝的方法，所述方法包括：

形成齊納二極管，包括：在基板中形成第一傳導類型雜質區，以及，形成分離地放置在所述第一傳導類型雜質區的兩個區域中的兩個第二傳導類型雜質區；

在所述基板上安裝發光器件；以及

形成第一電極層和第二電極層，它們中的每一個均電連接到所述發光器件和所述齊納二極管。

14.如權利要求13所述的方法，包括：在形成所述發光器件、所述第一電極層和所述第二電極層之前在所述基板上形成絕緣層。

15.如權利要求13所述的方法，包括：在形成所述齊納二極管之前將第二傳導類型雜質注入到所述基板中。