[發明專利]光電轉換元件用電極基板、光電轉換元件用電極基板的制造方法以及光電轉換元件有效
| 申請號: | 200880116152.0 | 申請日: | 2008-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN101861677A | 公開(公告)日: | 2010-10-13 |
| 發明(設計)人: | 松井浩志;岡田顯一 | 申請(專利權)人: | 株式會社藤倉 |
| 主分類號: | H01M14/00 | 分類號: | H01M14/00;H01L31/04;H01M2/22 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 苗堃;金世煜 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電 轉換 元件 用電 極基板 制造 方法 以及 | ||
1.一種光電轉換元件用電極基板的制造方法,其特征在于,具有如下工序:
在基板上形成透明導電膜和集電配線的工序,
在所述透明導電膜上與所述集電配線不同的部分上形成多孔氧化物半導體層的工序,
將所述多孔氧化物半導體層進行煅燒的工序,
所述煅燒后,以覆蓋所述集電配線的方式形成由具有250℃以上的耐熱性的絕緣性樹脂構成的保護層的工序,和
形成所述保護層后,使色素吸附于所述多孔氧化物半導體層的工序;
進而,在所述形成保護層的工序中或之后,在所述使色素吸附于多孔氧化物半導體層的工序之前,具有在250℃以上加熱所述基板的工序。
2.根據權利要求1所述的光電轉換元件用電極基板的制造方法,其特征在于,所述加熱工序中的加熱溫度低于煅燒工序中的煅燒溫度。
3.一種光電轉換元件用電極基板,其特征在于,具備:
具有透明導電膜和集電配線的基板,在所述透明導電膜上與所述集電配線不同的部分上設置的多孔氧化物半導體層,和以覆蓋所述集電配線的方式形成的由絕緣性樹脂構成的保護層;
所述保護層由具有250℃以上的耐熱性的絕緣性樹脂構成。
4.根據權利要求3所述的光電轉換元件用電極基板,其特征在于,所述具有250℃以上的耐熱性的絕緣性樹脂是選自聚酰亞胺衍生物、硅酮化合物、氟彈性體、氟樹脂中的一種或多種。
5.一種光電轉換元件,其特征在于,具備權利要求3或4所述的光電轉換元件用電極基板。
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