[發(fā)明專利]光電轉(zhuǎn)換元件用電極基板、光電轉(zhuǎn)換元件用電極基板的制造方法以及光電轉(zhuǎn)換元件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200880116152.0 | 申請(qǐng)日: | 2008-11-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101861677A | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-10-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 松井浩志;岡田顯一 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社藤倉(cāng) |
| 主分類號(hào): | H01M14/00 | 分類號(hào): | H01M14/00;H01L31/04;H01M2/22 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 苗堃;金世煜 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光電 轉(zhuǎn)換 元件 用電 極基板 制造 方法 以及 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及色素增感太陽(yáng)能電池等光電轉(zhuǎn)換元件中所使用的電極基板、光電轉(zhuǎn)換元件用電極基板的制造方法以及光電轉(zhuǎn)換元件。
本申請(qǐng)基于2007年11月15日在日本提出申請(qǐng)的特愿2007-296440號(hào)專利申請(qǐng)要求優(yōu)先權(quán),并在此引用其內(nèi)容。
背景技術(shù)
一直以來(lái),作為色素增感太陽(yáng)能電池等光電轉(zhuǎn)換元件中所使用的電極基板,采用透明基板的單面上形成了透明導(dǎo)電膜的電極基板。在制造耐使用的大面積、大輸出元件(組件)時(shí),為抑制透明導(dǎo)電基板導(dǎo)電性不足而引起的內(nèi)部電阻的增大,已有通過(guò)形成集電配線而提高電極基板導(dǎo)電率的嘗試。在集電配線中,因其優(yōu)良的導(dǎo)電性材質(zhì)而優(yōu)選使用金屬,尤其是低電阻金屬(如銀、銅等)。而且,還要求對(duì)于元件所用的電解液(如碘電解質(zhì))為化學(xué)、電化學(xué)(實(shí)質(zhì)上)惰性。因此,提出了包覆絕緣層或透明導(dǎo)電膜作為金屬配線層的保護(hù)層的方案(參照專利文獻(xiàn)1~5,非專利文獻(xiàn)1)。
專利文獻(xiàn)1:日本特表2002-536805號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2004-220920號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)3:日本特開(kāi)2004-146425號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)4:國(guó)際公開(kāi)第2004/032274號(hào)
專利文獻(xiàn)5:日本特開(kāi)2007-042366號(hào)公報(bào)
非專利文獻(xiàn)1:M.Spath等,Progress?in?Photovoltaics?Research?andApplications,2003年,第11期,207-220頁(yè)
發(fā)明內(nèi)容
為了完全隔開(kāi)金屬配線和碘電解液,集電配線上需要無(wú)缺陷的致密的保護(hù)層。雖然有使用透明的導(dǎo)電性金屬氧化物膜、玻璃等無(wú)機(jī)系材料作為配線保護(hù)層的研究,但難以形成能夠防止電解質(zhì)滲透的致密的膜。并且,通常具有硬且脆的性質(zhì),所以需要控制熱膨脹率等。
另外,也有使用樹(shù)脂系材料作為配線保護(hù)層的研究,但通常缺乏耐熱性,無(wú)法進(jìn)行成為色素增感太陽(yáng)能電池光電極的氧化物半導(dǎo)體納米粒子的高溫煅燒。尤其是使用固化性樹(shù)脂時(shí),還會(huì)發(fā)生源自該固化性樹(shù)脂的揮發(fā)成分污染納米粒子表面,而影響發(fā)電特性的問(wèn)題。
并且,配線保護(hù)層的制作方法中,使用透明導(dǎo)電性金屬氧化物作為保護(hù)層時(shí),需要真空裝置(濺射法、蒸鍍法等)或CVD裝置等大型裝置。并且,雖然也對(duì)利用熱塑性樹(shù)脂膜的方法進(jìn)行過(guò)研究,但由于其在配線圖案復(fù)雜等情況下,存在位置精度方面的問(wèn)題,所以膜的貼合困難。
本發(fā)明是鑒于上述情況進(jìn)行的,其課題為,提供能夠形成無(wú)缺陷的致密的保護(hù)層且能提高發(fā)電特性的光電轉(zhuǎn)換元件用電極基板、光電轉(zhuǎn)換元件用電極基板的制造方法以及光電轉(zhuǎn)換元件。
為了解決上述課題,本發(fā)明提供一種光電轉(zhuǎn)換元件用電極基板的制造方法,其特征在于,具有如下工序:在基板上形成透明導(dǎo)電膜及集電配線的工序,在上述透明導(dǎo)電膜上的與上述集電配線不同的部分上形成多孔氧化物半導(dǎo)體層的工序,將上述多孔氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行煅燒的工序,上述煅燒后,以覆蓋上述集電配線的方式形成由具有250℃以上的耐熱性的絕緣性樹(shù)脂構(gòu)成的保護(hù)層的工序,和形成上述保護(hù)層之后,使色素吸附于所述多孔氧化物半導(dǎo)體層的工序;進(jìn)而,在上述形成保護(hù)層的工序中或之后,在上述使色素吸附于多孔氧化物半導(dǎo)體層的工序之前,具有在250℃以上加熱上述基板的工序。
上述加熱工序中的加熱溫度優(yōu)選低于煅燒工序中的煅燒溫度。
另外,本發(fā)明提供一種光電轉(zhuǎn)換元件用電極基板,其特征在于,至少具備:具有透明導(dǎo)電膜和集電配線的基板,在上述透明導(dǎo)電膜上的與上述集電配線不同的部分上設(shè)置的多孔氧化物半導(dǎo)體層,以覆蓋上述集電配線的方式形成的有絕緣性樹(shù)脂構(gòu)成的保護(hù)層;上述保護(hù)層是由具有250℃以上的耐熱性的絕緣性樹(shù)脂構(gòu)成的。
在本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換元件用電極基板中,上述具有250℃以上的耐熱性的絕緣性樹(shù)脂優(yōu)選為選自聚酰亞胺衍生物、硅酮化合物、氟彈性體、氟樹(shù)脂中的一種或多種。
另外,本發(fā)明提供一種光電轉(zhuǎn)換元件,其特征在于,具備上述光電轉(zhuǎn)換元件用電極基板。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換元件用電極基板的制造方法,在形成由絕緣性樹(shù)脂構(gòu)成的配線保護(hù)層之前,能對(duì)多孔氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行充分的煅燒。并且,由于在保護(hù)層中使用了絕緣性樹(shù)脂,因而能形成無(wú)缺陷的致密的保護(hù)層。進(jìn)而,在形成保護(hù)層之后、吸附色素之前設(shè)置了加熱工序,所以能利用于具有優(yōu)良發(fā)電特性的光電轉(zhuǎn)換元件的制造。
根據(jù)本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換元件用電極基板,由于保護(hù)層具有250℃以上的耐熱性,所以能在多孔氧化物半導(dǎo)體層的煅燒之后、吸附色素之前設(shè)置加熱工序,而減少吸附在多孔氧化物半導(dǎo)體層上的污染物。
附圖說(shuō)明
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會(huì)社藤倉(cāng),未經(jīng)株式會(huì)社藤倉(cāng)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200880116152.0/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種C/C復(fù)合材料的制備方法
- 下一篇:模塊式流體加溫器
- 圖像轉(zhuǎn)換設(shè)備、圖像轉(zhuǎn)換電路及圖像轉(zhuǎn)換方法
- 數(shù)模轉(zhuǎn)換電路及轉(zhuǎn)換方法
- 轉(zhuǎn)換設(shè)備和轉(zhuǎn)換方法
- 占空比轉(zhuǎn)換電路及轉(zhuǎn)換方法
- 通信轉(zhuǎn)換方法、轉(zhuǎn)換裝置及轉(zhuǎn)換系統(tǒng)
- 模數(shù)轉(zhuǎn)換和模數(shù)轉(zhuǎn)換方法
- 轉(zhuǎn)換模塊以及轉(zhuǎn)換電路
- 熱電轉(zhuǎn)換材料、熱電轉(zhuǎn)換元件和熱電轉(zhuǎn)換模塊
- 熱電轉(zhuǎn)換材料、熱電轉(zhuǎn)換元件及熱電轉(zhuǎn)換模塊
- 熱電轉(zhuǎn)換材料、熱電轉(zhuǎn)換元件及熱電轉(zhuǎn)換模塊





