[發明專利]剝離片材及壓敏粘合劑制品

有效

• 申請號: 200880115211.2
• 申請日: 2008-10-30
• 公開（公告）號: CN101855080A
• 公開（公告）日: 2010-10-06
• 發明（設計）人: 別府史織;田矢直紀;杉崎俊夫
• 申請（專利權）人: 琳得科株式會社
• 主分類號: B32B27/32
• 分類號: B32B27/32;C08J5/18;C08L23/00;C09J7/02;C09J133/00
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;唐瑞庭

技術領域

本發明涉及具有由聚烯烴樹脂組合物形成的剝離劑層的剝離片材，尤其涉及用于諸如硬盤驅動器等的精密電子設備的名牌標簽或低逸氣帶的應用中的剝離片材。

背景技術

用于壓敏粘合劑帶的剝離片材通過在基底片材上層壓剝離劑層構成，硅氧烷剝離劑通常用于剝離劑層。對于硅氧烷剝離劑，盡管其剝離性能極佳，但是部分低分子硅氧烷化合物能被轉移至壓敏粘合劑，由此使得壓敏粘合劑帶粘附其上的粘附體會被硅氧烷化合物污染。因此，當將壓敏片材用于固定在諸如硬盤驅動器等的電子設備上的應用時，硅氧烷污染可引起電子設備失靈。

因此，正研究將非硅氧烷剝離劑，例如長鏈烷基剝離劑、醇酸樹脂剝離劑、氟化剝離劑、聚烯烴剝離劑等用于取代硅氧烷剝離劑以防止電子設備的硅氧烷污染。但是，使用長鏈烷基剝離劑和醇酸樹脂剝離劑的應用由于它們的大剝離力而受到限制；此外，氟化剝離劑盡管其剝離力小但是昂貴，因此很難將其用于批量生產工藝。

另一方面，聚烯烴剝離劑廣泛用于需要低剝離力的應用中，因為可使其剝離力較小(參見專利引文1至6)。最近，利用聚烯烴樹脂的剝離劑已得到各種各樣的改進，例如在專利引文1中討論了在剝離劑層的表面上形成由1至3微米的表面粗糙度Ra限定的粗糙(roughness)從而改進剝離劑層的剝離性能。

專利引文1：日本未審查專利公布(KOKAI)No.2005-350650

專利引文2：日本專利公布No.3776120

專利引文3：日本未審查專利公布(KOKAI)No.2003-147295

專利引文4：日本未審查專利公布(KOKAI)No.2003-147294

專利引文5：PCT專利申請國際公布的已公開日文翻譯(KOHYO)：No.11-508958

專利引文6：日本已審查申請公布(KOKOKU)No.57-45790

發明內容

技術問題

順便提一下，通常剝離片材被卷繞成輥狀形式，然后在粘合至壓敏粘合劑片材之前存儲起來。但是，由于將其以卷繞的輥狀形式進行存儲，因此剝離片材(其中聚烯烴樹脂用于剝離劑層)存在較難從輥卷展開成片材的問題，因為很容易發生所謂的“粘連”，即其中剝離片材的背面變得粘住剝離劑層。

此外，如專利引文2中所公開，用諸如茂金屬催化劑等的單位點催化劑聚合的聚烯烴樹脂通常用于剝離劑。但是，用單位點催化劑聚合的聚烯烴樹脂的物理性能可以通過加熱至預定的溫度得以極大地改變，因為分子量的分布范圍及其組成是狹窄的。因此，即使在制備后不立即發生粘連，在長期存儲過程中在相對高的溫度下也會發生粘連。而且，即使在剛制備后剝離性能是良好的，但在長期存儲后剝離性能也會損害。

因此，鑒于以上問題產生了本發明，本發明的目的是提供一種利用聚烯烴樹脂的剝離片材，其具有良好的剝離性能，但是其中即使在剝離片材以卷曲的輥狀形式長期存儲后也不會發生粘連。

技術方案

本發明的剝離片材包括剝離劑層，所述剝離劑層由包含密度為0.800至0.905克/立方厘米且用多位點催化劑聚合的聚烯烴熱塑性樹脂的聚烯烴樹脂組合物形成，所述剝離劑層在自其表面50至1000納米深度處采用納米壓痕法在23℃下測量的剝離劑層的平均彈性模量為0.1至0.3GPa，在表面上形成粗糙以使其表面粗糙度Ra₁為100至700納米。

如果表面粗糙度Ra₂為將剝離片材在40℃的環境條件下靜置30天后所述剝離劑層的表面粗糙度，則表面粗糙度比Ra₂/Ra₁優選為0.9至1.1。聚烯烴樹脂組合物的熔體流動速率優選地為1至20克/10分鐘。

例如，上述聚烯烴熱塑性樹脂包含至少一種選自聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚(4-甲基-1-戊烯)或乙烯與碳數為3至10的α-烯烴的共聚物的聚烯烴樹脂。

剝離片材可以通過將剝離劑層經底涂層層壓在基底上構成，優選地所述剝離片材基本上不含硅氧烷化合物。

本發明的壓敏粘合劑制品包括基底，層壓在基底上的剝離劑層，以及層壓在剝離劑層上并與其接觸的壓敏粘合劑層，其中所述剝離劑層由包含密度為0.800至0.905克/立方厘米且用多位點催化劑聚合的聚烯烴熱塑性樹脂的聚烯烴樹脂組合物形成，所述剝離劑層在自其表面50至1000納米深度處采用納米壓痕法在23℃下測量的剝離劑層的平均彈性模量為0.1至0.3GPa，在表面上形成粗糙以使其表面粗糙度Ra₁為100至700納米。