[發明專利]自組裝側壁間隙壁

有效

• 申請號: 200880110864.1
• 申請日: 2008-10-01
• 公開（公告）號: CN101952947A
• 公開（公告）日: 2011-01-19
• 發明（設計）人: 布魯斯·多麗絲;卡爾·J·拉登斯
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/49;H01L21/266
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種半導體結構，包括：

圖案化區域，包括至少一個材料層并且具有至少一個形貌邊緣；和

直接抵接所述形貌邊緣的間隙壁，所述間隙壁包括自組裝嵌段共聚物的聚合嵌段成分。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其中所述自組裝嵌段共聚物包括：聚苯乙烯-嵌段-聚甲基丙烯酸甲酯(PS-b-PMMA)、聚苯乙烯-嵌段-聚異戊二烯(PS-b-PI)、聚苯乙烯-嵌段-聚丁二烯(PS-b-PBD)、聚苯乙烯-嵌段-聚乙烯吡啶(PS-b-PVP)、聚苯乙烯-嵌段-聚環氧乙烷(PS-b-PEO)、聚苯乙烯-嵌段-聚乙烯(PS-b-PE)、聚苯乙烯-嵌段-聚有機硅酸鹽(PS-b-POS)、聚苯乙烯-嵌段-聚二茂鐵基二甲基硅烷(PS-b-PFS)、聚環氧乙烷-嵌段-聚異戊二烯(PEO-b-PI)、聚環氧乙烷-嵌段-聚丁二烯(PEO-b-PBD)、聚環氧乙烷-嵌段-聚甲基丙烯酸甲酯(PEO-b-PMMA)、聚環氧乙烷-嵌段-聚乙基乙烯(PEO-b-PEE)、聚丁二烯-嵌段-聚乙烯吡啶(PBD-b-PVP)、或聚異戊二烯-嵌段-聚甲基丙烯酸甲酯(PI-b-PMMA)。

3.如權利要求1或2所述的半導體結構，其中所述間隙壁具有在其最底部測量的小于50nm的寬度。

4.如權利要求3所述的半導體結構，其中所述寬度從約10至約40nm。

5.如任意前述權利要求所述的半導體結構，其中所述圖案化區域通過光刻限定。

6.如任意前述權利要求所述的半導體結構，其中所述圖案化區域包括半導體材料、電介質材料、導電材料或它們的任何多層組合。

7.如任意前述權利要求所述的半導體結構，其中所述圖案化區域包括場效晶體管的圖案化柵極電極。

8.如任意前述權利要求所述的半導體結構，其中所述圖案化柵極電極包括含Si導體、導電金屬、導電金屬合金、金屬硅化物、金屬氮化物或它們的任何多層堆疊組合。

9.如任意前述權利要求所述的半導體結構，其中所述圖案化區域還包括位于所述圖案化柵極電極下方的柵極電介質。

10.如權利要求9所述的半導體結構，其中所述柵極電介質是具有大于4.0的介電常數的電介質材料。

11.一種根據任意前述權利要求的半導體結構，包括：半導體襯底和所述圖案化區域，所述圖案化區域包括至少具有圖案化柵極電極的圖案化材料堆疊，所述圖案化柵極電極具有形貌邊緣。

12.如權利要求11所述的半導體結構，還包括位于所述圖案化材料堆疊的足印的金屬半導體合金層，所述金屬半導體合金層具有與所述間隙壁的外邊緣對準的邊緣。

13.如權利要求11或12所述的半導體結構，還包括在所述半導體襯底和所述圖案化材料堆疊頂上的電介質襯里。

14.如權利要求11、12或13所述的半導體結構，還包括互聯電介質材料，所述互聯電介質材料具有形成在其中的且位于所述半導體襯底和所述圖案化材料堆疊頂上的導電接觸。

15.-種制造半導體結構的方法，包括：

設置圖案化區域，包括至少一個材料層并且具有至少一個形貌邊緣；以及

形成直接抵接所述形貌邊緣的間隙壁，所述間隙壁包括自組裝嵌段共聚物的聚合嵌段成分。

16.如權利要求15所述的方法，其中設置所述圖案化區域包括光刻圖案化工藝。