[發明專利]利用再生晶圓的堆疊封裝有效
| 申請號: | 200880110215.1 | 申請日: | 2008-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN101861646A | 公開(公告)日: | 2010-10-13 |
| 發明(設計)人: | O·阿夫西楊;A·格林曼;G·漢普斯頓;M·毛爾高利特 | 申請(專利權)人: | 泰塞拉技術匈牙利公司 |
| 主分類號: | H01L21/98 | 分類號: | H01L21/98;H01L25/065;H01L23/538 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 鄔少俊;王英 |
| 地址: | 匈牙利*** | 國省代碼: | 匈牙利;HU |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 利用 再生 堆疊 封裝 | ||
對相關申請的交叉引用
本申請要求享有2007年8月3日提交的美國臨時申請No.60/963,209的權益,在此通過引用將其公開并入本文。
背景技術
本申請的主題涉及由堆疊的微電子元件構成的微電子封裝、或組件以及例如通過同時向設置成陣列的多個微電子元件施加處理而制造它們的方法。
微電子元件,例如半導體芯片,是前表面上設置觸點的平板體,觸點連接到元件自身的內部電氣線路。通常帶襯底封裝微電子元件以形成具有電連接到元件觸點的端子的微電子封裝或組件。然后可以將封裝或組件連接到測試裝置以判斷被封裝器件是否符合期望的性能標準。一旦進行了測試,可以將封裝連接到更大的電路,例如,電子產品,比如計算機或手機中的電路。
微電子封裝或組件還包括晶圓級封裝,可以同時向多個微電子元件,例如半導體管芯施加晶圓級處理,同時管芯仍然以晶圓或晶圓部分的形式連接在一起,從而形成晶圓級封裝。在對晶圓進行若干工藝步驟以在其上形成封裝結構之后,然后解理晶圓和封裝結構以釋放出個體管芯。晶圓級處理可以實現節省成本的優點。此外,封裝覆蓋區可以與管芯尺寸相同,從而非常高效地利用了管芯最終要連接的印刷電路板(PCB)上的區域。由于這些特征的原因,通過這種方式封裝的管芯通常被稱為晶圓級芯片尺度封裝(WLCSP)。
為了節省空間,一些常規設計在封裝或組件之內堆疊多個微電子芯片或元件。這使得封裝能夠在襯底上占據小于加在一起的堆疊中芯片總表面積的表面積。這種技術中的開發工作集中在生產可靠或薄或可測試的、或制造上經濟節約或具有這種特征的組合的晶圓級組件上。
發明內容
根據本發明的一方面,提供了一種制造堆疊微電子組件的方法。根據這種方法,形成第一子組件,其包括多個間隔開的第一微電子元件,第一微電子元件具有正面和暴露于正面的觸點,以及遠離正面的背面和延伸于正面背面之間的邊緣。可以將第一微電子元件結合到載體層。多條跡線可以從觸點延伸到第一微電子元件的邊緣之外。然后可以將多個間隔的第二微電子元件附著到第一子組件,第二微電子元件具有正面和暴露于正面的觸點,以及遠離正面的背面和延伸于正面背面之間的邊緣。第二微電子元件的背面可以位于第一微電子元件的相應元件的正面上方并與之相鄰。然后可以形成多條跡線,跡線從第二微電子元件的觸點延伸到第二微電子元件的邊緣之外。可以在延伸于第一微電子元件中的相鄰元件的相對邊緣之間和第二微電子元件中的相鄰元件的相對邊緣之間的至少一個開口中形成引線。引線可以連接到第一和第二微電子元件的跡線。
根據本發明的一方面,所述第一和第二微電子元件的每個可以在所述正面和所述背面之間具有小于大約50微米的厚度。在一個實施例中,所述微電子元件中的至少一個包括閃速存儲器。
根據本發明的一方面,可以在所述第一和第二微電子元件中的相鄰元件的邊緣之間將所述堆疊微電子組件切割成多個堆疊微電子單元,每個單元包括至少一個第一微電子元件和至少一個第二微電子元件。
根據本發明的一個方面,至少一個開口可以包括在第一和第二微電子元件中的相鄰元件的相對邊緣之間延伸的通道。
根據本發明的一個方面,至少一個開口可以包括與第一和第二微電子元件的邊緣對齊的多個間隔開的開口。引線可以在間隔開的開口的相應各個之內延伸,每條引線與單條跡線導電連接。
根據本發明的一方面,提供了一種制造堆疊微電子組件的方法。根據這種方法,可以提供第一和第二子組件,每個子組件具有前表面和遠離前表面的后表面。每個子組件可以包括多個間隔開的微電子元件,微電子元件具有正面和與前表面相鄰的觸點、與后表面相鄰的背面以及在正面和后面之間延伸的邊緣。可以在所述第一子組件的前表面上形成多條跡線,所述跡線從所述第一子組件的觸點延伸到所述第一子組件的微電子元件的邊緣之外。可以結合所述第一和第二子組件,使得所述第二子組件的后表面面對所述第一子組件的前表面。可以在所述第二子組件的前表面上形成多條跡線。跡線可以從第二子組件的觸點延伸到第二子組件的微電子元件的邊緣之外。可以在延伸于第一和第二子組件的相鄰微電子元件的邊緣之間的至少一個開口中形成引線。引線可以連接到第一和第二子組件的微電子元件的跡線。
根據本發明的一方面,所述第一和第二子組件的微電子元件的每個在所述正面和所述背面之間具有小于大約50微米的厚度。
根據本發明的一方面,所述微電子元件中的至少一個包括閃速存儲器。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





