[發(fā)明專利]利用再生晶圓的堆疊封裝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200880110215.1
• 申請(qǐng)日: 2008-08-01
• 公開（公告）號(hào): CN101861646A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: O·阿夫西楊;A·格林曼;G·漢普斯頓;M·毛爾高利特
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 泰塞拉技術(shù)匈牙利公司
• 主分類號(hào): H01L21/98
• 分類號(hào): H01L21/98;H01L25/065;H01L23/538
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 鄔少俊;王英

1.一種制造堆疊微電子組件的方法，包括：

a)形成第一子組件，所述第一子組件包括多個(gè)間隔開的第一微電子元件，所述第一微電子元件具有正面和暴露于所述正面的觸點(diǎn)、遠(yuǎn)離所述正面并結(jié)合到載體層的背面、在所述正面和背面之間延伸的邊緣、以及從所述觸點(diǎn)延伸到所述第一微電子元件的邊緣之外的多條跡線；

b)將所述第一子組件附著到多個(gè)間隔開的第二微電子元件，所述第二微電子元件具有正面和暴露于所述正面的觸點(diǎn)、遠(yuǎn)離所述正面的背面、在所述正面和背面之間延伸的邊緣，使得所述第二微電子元件的所述背面位于所述第一微電子元件的相應(yīng)元件的正面上方并與之相鄰；

c)形成多條跡線，所述多條跡線從所述第二微電子元件的觸點(diǎn)延伸到所述第二微電子元件的邊緣之外；以及

d)在延伸于所述第一微電子元件中的相鄰元件的相對(duì)邊緣之間和所述第二微電子元件中的相鄰元件的相對(duì)邊緣之間的至少一個(gè)開口中形成引線，所述引線連接到所述第一和第二微電子元件的所述跡線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一和第二微電子元件的每個(gè)在所述正面和所述背面之間具有小于大約50微米的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述微電子元件中的至少一個(gè)包括閃速存儲(chǔ)器。

4.一種制造堆疊微電子單元的方法，包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，在步驟(d)之后還包括，在所述第一和第二微電子元件中的相鄰元件的邊緣之間將所述堆疊微電子組件切割成多個(gè)堆疊微電子單元，每個(gè)單元包括至少一個(gè)第一微電子元件和至少一個(gè)第二微電子元件。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述至少一個(gè)開口包括在所述第一和第二微電子元件中的相鄰元件的相對(duì)邊緣之間延伸的通道。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述開口包括與所述第一和第二微電子元件的邊緣對(duì)齊的多個(gè)間隔開的開口，并且所述引線在所述間隔開的開口中的相應(yīng)單獨(dú)開口之內(nèi)延伸，每條引線與所述跡線中的單條跡線導(dǎo)電連接。

7.一種制造堆疊微電子組件的方法，包括：

a)提供第一和第二子組件，每個(gè)子組件具有前表面和遠(yuǎn)離所述前表面的后表面，每個(gè)子組件包括多個(gè)間隔開的微電子元件，所述微電子元件具有正面和與所述前表面相鄰的觸點(diǎn)、與所述后表面相鄰的背面以及在所述正面和背面之間延伸的邊緣；

b)在所述第一子組件的前表面上形成多條跡線，所述跡線從所述第一子組件的觸點(diǎn)延伸到所述第一子組件的微電子元件的邊緣之外；

c)結(jié)合所述第一和第二子組件，使得所述第二子組件的后表面面對(duì)所述第一子組件的前表面；

d)在所述第二子組件的前表面上形成多條跡線，所述跡線從所述第二子組件的觸點(diǎn)延伸到所述第二子組件的微電子元件的邊緣之外；以及

e)在延伸于所述第一和第二子組件的相鄰微電子元件的邊緣之間的至少一個(gè)開口中形成引線，所述引線連接到所述第一和第二子組件的微電子元件的所述跡線。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述第一和第二子組件的微電子元件的每個(gè)在所述正面和所述背面之間具有小于大約50微米的厚度。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述微電子元件中的至少一個(gè)包括閃速存儲(chǔ)器。

10.一種制造堆疊微電子單元的方法，包括根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，在步驟(e)之后還包括，在相鄰微電子元件的邊緣之間將所述堆疊微電子組件切割成多個(gè)堆疊微電子單元，每個(gè)單元包括來自所述第一和第二子組件的每個(gè)的微電子元件和連接到所述微電子元件的跡線的引線。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述至少一個(gè)開口包括在相鄰微電子元件的相對(duì)邊緣之間延伸的通道。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述至少一個(gè)開口包括與所述微電子元件的邊緣對(duì)齊的多個(gè)間隔開的開口，且每個(gè)堆疊微電子單元的引線在所述間隔開的開口的相應(yīng)開口之內(nèi)延伸，每條引線與所述跡線中的單條跡線導(dǎo)電連接。

13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述第二子組件的給定微電子元件的正面有至少一個(gè)尺度與所述給定微電子元件的正面覆蓋的所述第一子組件的微電子元件的正面的對(duì)應(yīng)尺度不同。