[發(fā)明專利]碳質(zhì)基材和產(chǎn)生氟的電解用電極

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200880108121.0
• 申請(qǐng)日: 2008-09-19
• 公開（公告）號(hào): CN101878329A
• 公開（公告）日: 2010-11-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田尾理惠;河野貴典;初代善夫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東洋炭素株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C25B11/12
• 分類號(hào): C25B11/12;C04B35/52
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 龐立志;孫秀武

1.碳質(zhì)基材，其具有復(fù)合曲線，該復(fù)合曲線具有至少2條以上的(002)衍射線，且具備面間隔不同的微晶。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳質(zhì)基材，其中，在X射線衍射圖形中，在2θ＝10°～30°中出現(xiàn)的(002)衍射線的形狀為非對(duì)稱，且至少具有以2θ＝26°為中心的衍射線和2θ比26°低的角度的衍射線這2條圖形成分。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的碳質(zhì)基材，上述碳質(zhì)基材中，以上述2θ＝26°為中心的上述衍射線的存在比例，相對(duì)于2θ＝10°～30°的(002)衍射線的總面積為30％以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的碳質(zhì)基材，其中，上述碳質(zhì)基材含有得自X射線衍射的層間距離d₀₀₂為0.34nm以上的結(jié)晶，且含有微晶尺寸Lc₀₀₂為20nm以下的衍射線。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的碳質(zhì)基材，其中，上述碳質(zhì)基材為各向同性碳材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的碳質(zhì)基材，其中，上述碳質(zhì)基材的填料為中間相微球。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的碳質(zhì)基材，其中，上述碳質(zhì)基材的顯氣孔率為5～30體積％。

8.氟電解用電極，其中，如權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的碳質(zhì)基材上形成有導(dǎo)電性金剛石薄膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的產(chǎn)生氟的電解用電極，其中，上述導(dǎo)電性金剛石薄膜使用硼為p型摻雜物，且使用氮或磷為n型摻雜物，上述p型摻雜物和/或上述n型摻雜物被含有100，000ppm以下。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的產(chǎn)生氟的電解用電極，其中，上述導(dǎo)電性金剛石薄膜的膜厚為0.5μm以上且10μm以下。

11.根據(jù)權(quán)利要求8～10中任一項(xiàng)所述的產(chǎn)生氟的電解用電極，其中，上述導(dǎo)電性金剛石薄膜被覆上述碳質(zhì)基材表面的10％以上。

12.根據(jù)權(quán)利要求8～11中任一項(xiàng)所述的產(chǎn)生氟的電解用電極，其中，對(duì)于上述導(dǎo)電性金剛石薄膜的結(jié)晶性，由X射線衍射求得的晶格常數(shù)為0.357nm以下，在基于拉曼分光分析的拉曼光譜中，在1320～1340cm^-1的SP³鍵合的C-C伸縮模式存在的峰的半峰寬為100cm^-1以下。