[發(fā)明專利]在生產(chǎn)三氯硅烷的方法中制備硅和催化劑材料無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200880104573.1 | 申請日: | 2008-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN101790492A | 公開(公告)日: | 2010-07-28 |
| 發(fā)明(設計)人: | 小喬恩·M·比爾;卡爾·W·默克 | 申請(專利權(quán))人: | 動力工程公司 |
| 主分類號: | C01B33/00 | 分類號: | C01B33/00 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 柳冀 |
| 地址: | 美國得*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 生產(chǎn) 硅烷 方法 制備 催化劑 材料 | ||
1.用于制備三氯硅烷的方法,該方法包括以下步驟:
將硅和一種或多種催化劑一起層壓;
降低硅和一種或多種催化劑的顆粒尺寸;以及
使硅和氯化氫在該一種或多種催化劑存在的條件下反應,或者使四氯化硅和氫氣在硅和該一種或多種催化劑存在的條件下反應。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中層壓在輥壓機中進行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中顆粒尺寸的降低產(chǎn)生約5mm或更小的顆粒尺寸。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的方法,其中顆粒尺寸的降低產(chǎn)生約0.001mm到約1.0mm的顆粒尺寸。
5.根據(jù)權(quán)利要求3的方法,其中顆粒尺寸的降低產(chǎn)生約0.2mm到約0.6mm的顆粒尺寸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中顆粒尺寸的降低在粉碎機中進行,該粉碎機由其中從粉碎機中磨損的顆粒有助于期望的反應的催化作用的材料構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法,其中粉碎機涂有碳化鎢。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中該一種或多種催化劑選自鐵、銅、鐵氧化物、銅氧化物、鐵鹽、銅鹽及其組合。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中存在堿金屬鹽、堿金屬鹵化物或其組合的形式的二次催化劑。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法,其中將該一種或多種催化劑和二次催化劑分層,使得堿金屬鹽形式的二次催化劑在下游濃度較高,而硅和該一種或多種催化劑在上游濃度較高。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中該方法在約200到約800攝氏度的溫度下進行。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中該方法在約0到約4MPa的絕對壓力下進行。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中在氫氣、氯化氫、氮氣或其組合的氣氛下引入該一種或多種催化劑。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中在氫氣、氯化氫、氮氣或其組合的氣氛下降低該一種或多種催化劑的顆粒尺寸。
15.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中生產(chǎn)的三氯硅烷用于制備太陽能級或電子級多晶硅。
16.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,進一步包括添加氯化氫,使得氯化氫對四氯化硅的摩爾比為約0到4∶1,優(yōu)選約0.6∶1到約1.1∶1。
17.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中氫氣對四氯化硅的摩爾比為約1∶4到4∶1,優(yōu)選約1.1∶1到2∶1。
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