[發明專利]半導體裝置的制造方法、半導體裝置以及曝光裝置

無效

• 申請號: 200880101115.2
• 申請日: 2008-07-14
• 公開（公告）號: CN101765908A
• 公開（公告）日: 2010-06-30
• 發明（設計）人: 內田誠一;小川裕之
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;G03F7/20;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/786
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種半導體裝置的制造方法，所述半導體裝置在基板上具有半導體層和平坦化層，當俯視基板時所述平坦化層為包圍半導體層的形狀，所述制造方法的特征在于，包括：

在基板上形成半導體層的工序；

在半導體層上形成感光性有機膜的工序，所述感光性有機膜具有與半導體層的光吸收波段重復的感光波段；和

將該感光波段的光從基板側對感光性有機膜曝光，并對感光性有機膜進行顯影而形成平坦化層的工序。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述制造方法還包括：在半導體層上形成層間絕緣膜的工序；和在層間絕緣膜的相對于半導體層重疊的區域中形成開口部的工序。

3.如權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述制造方法還包括在平坦化層上形成層間絕緣膜的工序，

所述感光性有機膜使用介電常數比層間絕緣膜的材料更低的材料形成。

4.一種半導體裝置，其在基板上具有半導體層，該半導體裝置的特征在于：

該半導體裝置具有當俯視基板時為包圍半導體層的形狀的平坦化層，

該平坦化層由感光性有機膜形成，所述感光性有機膜具有與半導體層的光吸收波段重復的感光波段。

5.如權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于：

所述半導體裝置在半導體層上具有層間絕緣膜，

該層間絕緣膜在其與半導體層重疊的區域中具有開口部。

6.如權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于：

所述半導體裝置在平坦化層上具有層間絕緣膜，

所述感光性有機膜由介電常數比層間絕緣膜的材料更低的材料形成。

7.一種曝光裝置，其為半導體裝置制造用的曝光裝置，所述半導體裝置在基板上具有半導體層和平坦化層，所述平坦化層是將感光性有機膜形成圖案為當俯視基板時包圍半導體層的形狀而形成，所述曝光裝置的特征在于：

具備光源，所述光源從基板側對感光性有機膜照射與半導體層的光吸收波段和平坦化層的感光波段重復的波段的光。