[發明專利]介質諧振器裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 200880101006.0
• 申請日: 2008-07-14
• 公開（公告）號: CN101809809A
• 公開（公告）日: 2010-08-18
• 發明（設計）人: 塚本秀樹;中谷行宏;竹內知哉
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01P7/04
• 分類號: H01P7/04;H01P1/205;H01P1/212;H01P1/213
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 曾旻輝

技術領域

本發明涉及介質諧振器裝置及其制造方法，該介質諧振器裝置在介質塊的外表面形成外導體，在內導體形成孔內形成內導體，由此構成諧振器。

背景技術

以往，把內導體和外導體形成在介質塊上而構成的介質諧振器或介質濾波器、介質雙工器等已經普及(以下將它們統稱為介質諧振器裝置)。

在介質諧振器裝置中，為了實現預定的諧振頻率或諧振器間耦合度同時使介質塊小型化，會采用不連續地形成內導體形成孔的內周面的結構(例如，參照專利文獻1)。例如，采用在內導體形成孔中由大徑孔和小徑孔構成的臺階結構，或者采用軸心錯開的兩個孔構成的異軸結構等等。在這樣形成內導體形成孔的內周面的情況下，就在內導體形成孔中形成了略垂直于軸向的臺階面。

在介質諧振器裝置中，為了得到所期望的諧振頻率，有時在制造工序中在外導體上設置局部的電極非形成區，由此來進行諧振頻率的調整(例如，參照專利文獻2)。例如，1/4波長諧振器就是通過去除諧振器的開路端附近的外導體來上調諧振頻率，或者去除諧振器的短路端附近的外導體來下調諧振頻率。

專利文獻1：特開平10-065408號公報

專利文獻2：特開平05-145301號公報

在介質諧振器裝置中，除諧振頻率的限制條件之外，還必須滿足外形尺寸或其他頻率特性的限制條件。因此，僅僅使設置在外導體上的電極非形成區最優化可能很難同時滿足上述諧振頻率以外的限制條件。

以往，都是在介質塊的短路面的外導體上形成電極非形成區來下調介質諧振器裝置的諧振頻率。因此，在進行諧振頻率下調時，必須調整其放置方向，把介質塊的短路面作成加工面。

發明內容

本發明的目的在于提供一種容易滿足諧振頻率或外形尺寸、其他頻率特性的限制條件的介質諧振器裝置，以及能夠實施諧振頻率的下調而不限于對介質塊的短路面進行加工的介質諧振器裝置的制造方法。

本發明的介質諧振器裝置具備內導體、外導體和臺階面電極非形成區。內導體包含臺階面導體部；臺階面導體部被配置在內導體形成孔的內表面的臺階面上；內導體形成孔貫通介質塊的內部；臺階面是略垂直于內導體形成孔的軸向的內導體形成孔的內表面；外導體被配置在介質塊的外表面，與內導體一起構成諧振器；臺階面電極非形成區與臺階面導體部一起被配置在臺階面上，并從內導體形成孔的一端露出來。

按照該構成，內導體的兩端間的電流路徑因設置臺階面電極非形成區而伸長，該內導體形成的等效諧振器長度伸長。這樣，該內導體和外導體決定的諧振器的諧振頻率降低。臺階面電極非形成區產生的等效諧振器長度的變化程度因臺階面電極非形成區的配置或面積而異。因此，適當形成臺階面電極非形成區就能夠下調諧振頻率。由于臺階面電極非形成區也可以實現諧振頻率的下調，所以容易滿足介質諧振器裝置中的諧振頻率或外形尺寸、其他頻率特性的限制條件。

也可以把多個臺階面電極非形成區分別配置在多個內導體形成孔的臺階面的某一個上，此時，各個臺階面電極非形成區最好在介質塊的同一外表面上露出來。

按照該構成，由于設置有多個內導體形成孔，所以必須把多個諧振器之間的耦合特性設定得合適。假如在將電極非形成區形成在內導體的臺階面以外或外導體上，由于對諧振器之間的耦合特性產生影響，所以有可能很難滿足限制條件。因此，就像本構成那樣，即使設置臺階面電極非形成區，也幾乎不會影響諧振器之間的耦合特性，能夠相對于諧振器間的耦合特性獨立地設定各諧振器的諧振頻率。只要各臺階面電極非形成區在介質塊的同一外表面上露出來，從該外表面側進行各臺階面電極非形成區的加工，在加工時就不需改變放置方向。

也可以在介質塊的開放面上設置第一開放面電極非形成區，第一開放面電極非形成區呈環狀，圍住內導體形成孔。這種情況下，臺階面電極非形成區最好在介質塊的開放面上露出來。

由于第一開放面電極非形成區和臺階面電極非形成區在介質塊的開放面上露出來，所以從該開放面側加工第一開放面電極非形成區和臺階面電極非形成區，在加工時也可以不進行姿勢控制。

也可以在介質塊的開放面上設置第二開放面電極非形成區，第二開放面電極非形成區從第一開放面電極非形成區向內側突出。

可以用該第二開放面電極非形成區上調諧振頻率。由于第二開放面電極非形成區在介質塊的開放面上露出來，所以從該開放面側加工第二開放面電極非形成區和臺階面電極非形成區，在加工時也可以不進行姿勢控制。

最好把臺階面電極非形成區配置在比臺階面的軸心方向內側端與軸心方向的外側端的中央更靠近軸心方向內側的位置上。