[發明專利]介質諧振器裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 200880101006.0
• 申請日: 2008-07-14
• 公開（公告）號: CN101809809A
• 公開（公告）日: 2010-08-18
• 發明（設計）人: 塚本秀樹;中谷行宏;竹內知哉
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01P7/04
• 分類號: H01P7/04;H01P1/205;H01P1/212;H01P1/213
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 曾旻輝

1.一種介質諧振器裝置，具備：包含被配置在貫通介質塊內部的內導體形成孔的內表面的略垂直于軸向的臺階面上的臺階面導體部的內導體、被配置在所述介質塊的外表面而與所述內導體一起構成諧振器的外導體、和與所述臺階面導體部一起被配置在所述臺階面上而從所述內導體形成孔的一端露出來的臺階面電極非形成區。

2.根據權利要求1所述的介質諧振器裝置，其特征在于：多個所述臺階面電極非形成區分別被配置在多個所述內導體形成孔的所述臺階面的某一個上，并且分別在所述介質塊的同一外表面上露出來。

3.根據權利要求1或2所述的介質諧振器裝置，其特征在于：所述臺階面電極非形成區在所述介質塊的開放面露出來，在介質塊的開放面上具備圍住所述內導體形成孔的環狀的第一開放面電極非形成區。

4.根據權利要求3所述的介質諧振器裝置，其特征在于：在所述介質塊的開放面上設置有從所述第一開放面電極非形成區向內側突出的第二開放面電極非形成區。

5.根據權利要求1至4任一項所述的介質諧振器裝置，其特征在于：所述臺階面電極非形成區被配置在比所述臺階面的軸心方向內側端與軸心方向的外側端的中央更靠近所述軸心方向內側的位置處。

6.根據權利要求1至5任一項所述的介質諧振器裝置，其特征在于：所述臺階面電極非形成區是激光加工痕跡。

7.一種介質諧振器裝置的制造方法，該介質諧振器裝置具備：包含被配置在貫通介質塊內部的內導體形成孔的內表面的略垂直于軸向的臺階面上的臺階面導體部的內導體、和被配置在所述介質塊的外表面而與所述內導體一起構成諧振器的外導體，其中，該制造方法包含對形成了所述內導體的所述介質塊除掉所述臺階面導體的一部分而形成從所述內導體形成孔的一端露出來的臺階面電極非形成區的工序。

8.根據權利要求7所述的介質諧振器裝置的制造方法，其特征在于：形成所述臺階面電極非形成區的工序用激光照射的方法來進行。

9.根據權利要求8所述的介質諧振器裝置的制造方法，其特征在于：包含對形成了所述內導體和所述外導體的所述介質塊的開放面進行激光照射來除掉所述外導體的一部分而形成圍住所述內導體形成孔的環狀的第一開放面電極非形成區的工序。

10.根據權利要求8或9所述的介質諧振器裝置的制造方法，其特征在于：包含對形成了所述內導體和所述外導體的所述介質塊的開放面進行激光照射來除掉所述外導體的一部分而形成從所述第一開放面電極非形成區向內側突出的第二開放面電極非形成區的工序。