[發明專利]碎片防止系統、輻射系統以及光刻設備

無效

• 申請號: 200880024373.5
• 申請日: 2008-07-16
• 公開（公告）號: CN101689030A
• 公開（公告）日: 2010-03-31
• 發明（設計）人: M·M·J·W·范赫彭;W·A·索爾;K·杰里森
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G21K1/00;H05G2/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 王新華

技術領域

本發明主要涉及一種碎片防止系統、輻射系統和包括它們的光刻設備。更具體地，本發明涉及構造并布置用以防止從輻射源發射的碎片與輻射一起從輻射源傳播進入光刻設備或在光刻設備內部進行傳播。

背景技術

光刻設備是一種將所需圖案應用到襯底上，通常是襯底的目標部分上的機器。例如，可以將光刻設備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案。可以將該圖案轉移到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。通常，圖案的轉移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進行的。通常，單獨的襯底將包含被連續形成圖案的相鄰目標部分的網絡。公知的光刻設備包括：步進機，在所述步進機中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個目標部分；以及所謂掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向同步地掃描所述襯底來輻射每一個目標部分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底上的方式將圖案從圖案形成裝置轉移到襯底上。

除了EUV輻射之外，用在EUV光刻術中的輻射源產生可能對光學元件和執行光刻工藝所處的工作環境有害的污染物材料。因而，在EUV光刻術中，希望限制布置用以調節來自EUV源的輻射束的光學系統的污染。為了這個目的，已知的方案是采用例如在US6,838,684中公開的一種所謂的旋轉翼片阱(RFT)。翼片阱使用大量緊密排布的翼片，這些翼片可以基本上平行于由EUV源產生的輻射的方向對齊。污染物碎片，例如微米顆粒、納米顆粒以及離子，可以在翼片板提供的壁中被俘獲。因此，翼片阱用作俘獲來自源的污染物材料的污染物阻擋件。然而，由于輻射源帶來的熱載荷給現有技術的實施例中的旋轉構造帶來嚴重的挑戰，尤其是在冷卻旋轉部分的困難方面帶來嚴重的挑戰。

發明內容

本發明旨在減少旋轉翼片阱上的熱載荷。根據本發明的一個實施例，提供一種碎片防止系統，其構造并布置成防止從輻射源發射的碎片與來自輻射源的輻射一起傳播進入光刻設備或在光刻設備內部傳播。碎片防止系統包括：孔，其限定來自所述輻射源的所述輻射的最大發射角；和第一碎片阻擋件，其具有輻射透射率。第一碎片阻擋件包括可旋轉翼片阱。碎片防止系統還包括第二碎片阻擋件，其具有輻射透射率。第一碎片阻擋件配置成覆蓋所述發射角的一部分并且所述第二碎片阻擋件配置成覆蓋所述發射角的另一部分。

根據本發明的一個實施例，提供一種輻射系統，包括：輻射源，其包括配置用以產生極紫外輻射的產生等離子體的放電源。該放電源包括配置成提供電壓差的一對電極；以及放電系統，所述放電系統構造并布置成在所述一對電極之間產生放電以便在所述電極之間的中心區域中提供箍縮的等離子體。該輻射系統還包括碎片防止系統，該碎片防止系統構造并布置用以防止從所述輻射源發射的碎片與來自所述輻射源的輻射一起傳播進入光刻設備或在光刻設備內部傳播。所述碎片防止系統包括：孔，其限定來自所述輻射源的所述輻射的最大發射角；和第一碎片阻擋件，其具有輻射透射率。第一碎片阻擋件包括可旋轉翼片阱。該碎片防止系統還包括具有輻射透射率的第二碎片阻擋件。所述第一碎片阻擋件配置成覆蓋所述發射角的一部分并且所述第二碎片阻擋件配置成覆蓋所述發射角的另一部分。

根據本發明的一個實施例，提供一種輻射系統，包括：輻射源；和碎片防止系統，所述碎片防止系統構造并布置用以防止從所述輻射源發射的碎片與來自所述輻射源的輻射一起傳播進入光刻設備或在光刻設備內部傳播。該碎片防止系統包括：孔，其限定來自所述輻射源的所述輻射的最大發射角；和第一碎片阻擋件，其具有輻射透射率。第一碎片阻擋件包括可旋轉翼片阱。該碎片防止系統還包括第二碎片阻擋件，其具有輻射透射率。第一碎片阻擋件覆蓋所述發射角的一部分并且所述第二碎片阻擋件覆蓋所述發射角的另一部分。輻射系統還包括收集器，所述收集器限定一收集角，光在所述收集角上被收集。可旋轉翼片阱和所述第二碎片阻擋件布置成削減基本上在整個所述收集角上的碎片。