[發明專利]第Ⅳ族襯底表面上的氮化物半導體元件層結構

無效

• 申請號: 200880022501.2
• 申請日: 2008-04-28
• 公開（公告）號: CN101689483A
• 公開（公告）日: 2010-03-31
• 發明（設計）人: 阿明·達德加;阿洛伊斯·克羅斯特
• 申請（專利權）人: 阿祖羅半導體股份公司
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 賈靜環

1.具有第III族氮化物層結構的氮化物半導體元件，所述層結構外延沉積 在具有第IV族襯底表面的襯底上，所述第IV族襯底表面由具有立方晶體結構的 第IV族襯底材料制成，當不考慮表面重構時，所述第IV族襯底表面的單位晶格 具有C2對稱，但不具有比C2對稱更高的旋轉對稱，其中所述第III族氮化物層結 構在直接鄰接所述第IV族襯底表面處具有由GaN或AIN構成的或者由三元或四 元的Al_1-x-yIn_xGa_yN構成的籽晶層，其中0≤x，y＜1并x+y≤1，其特征在于所述 第IV族襯底表面為{nml}面，其中n、m為非零的整數，且l≥2。

2.根據權利要求1的氮化物半導體元件，其中所述第IV族襯底表面為硅 的{11l}面，其中l≥2。

3.根據權利要求1的氮化物半導體元件，其中所述第IV族襯底表面為硅 的{41l}面，其中滿足l≥2。

4.根據權利要求1的氮化物半導體元件，其在直接鄰接所述籽晶層處具 有由Al_1-x-yIn_xGa_yN構成的緩沖層，其中0≤x，y＜1并且x+y≤1。

5.制備氮化物半導體元件的方法，包括將第III族氮化物層結構外延沉積 到由具有立方晶體結構的第IV族襯底材料制成的第IV族襯底表面上，其中所 述第III族氮化物層結構外延沉積在第IV族襯底表面上，出于定義的目的，在 不考慮任何表面重構時，所述第IV族襯底表面的單位晶格具有C2對稱但是不 具有比C2對稱更高的旋轉對稱，以及在直接鄰接所述第IV族襯底表面處外延 沉積有由Al_1-x-yIn_xGa_yN構成的籽晶層，其中0≤x，y＜1并且x+y≤1，其特征在 于所述第IV族襯底表面為{nml}面，其中n、m為非零的整數，且l≥2。

6.根據權利要求5的方法，包括在外延沉積所述第III族氮化物層結構后， 部分或全部地以濕法或干法化學方式移除所述襯底。

7.根據權利要求5或6的方法，其中所述籽晶層是通過金屬有機化合物 氣相外延MOVPE進行況積的，其中對鋁原子含量占籽晶層中第III族原子總 數為至少90％的籽晶層進行外延沉積。