[發(fā)明專利]具有位于存儲(chǔ)元件之間的可單獨(dú)控制的屏蔽板的非易失性存儲(chǔ)裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200880021966.6 | 申請(qǐng)日： | 2008-06-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101711413A | 公開（公告）日： | 2010-05-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 東谷政昭 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 桑迪士克公司 |
| 主分類號(hào)： | G11C16/00 | 分類號(hào)： | G11C16/00;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 黃小臨 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 位于 存儲(chǔ) 元件 之間 單獨(dú) 控制 屏蔽 非易失性 裝置 | ||
1.一種操作非易失性存儲(chǔ)裝置的方法，包括：
將編程電壓施加到多個(gè)字線中的所選字線，所述多個(gè)字線與相關(guān)聯(lián)的多 個(gè)非易失性存儲(chǔ)元件通信；以及
在施加所述編程電壓期間，將電壓耦接到多個(gè)屏蔽板中的每個(gè)屏蔽板， 每個(gè)屏蔽板是導(dǎo)電的并可獨(dú)立控制，并在與相鄰字線相關(guān)聯(lián)的不同的相鄰非 易失性存儲(chǔ)元件之間延伸，其中所述電壓被獨(dú)立地耦接到每個(gè)屏蔽板。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中：
將電壓耦接到多個(gè)屏蔽板中的每個(gè)屏蔽板包括：將交替的較高電壓和較 低電壓施加到所述所選字線的源極側(cè)上的屏蔽板中交替的屏蔽板上，以及將 交替的較高電壓和較低電壓施加到所述所選字線的漏極側(cè)上的屏蔽板中交 替的屏蔽板上。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中：
在源極和漏極側(cè)上與所述所選字線相鄰的屏蔽板接收所述較高電壓。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中：
將電壓耦接到多個(gè)屏蔽板中的每個(gè)屏蔽板包括：將交替的第一電壓和第 二電壓施加到所述所選字線的漏極側(cè)上的屏蔽板中交替的屏蔽板上，以及將 交替的第一電壓和第二電壓施加到所述所選字線的源極側(cè)上的屏蔽板中交 替的屏蔽板上，所述第一電壓高于第二電壓。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中：
將電壓耦接到多個(gè)屏蔽板中的每個(gè)屏蔽板包括：將第一電壓施加到在所 述所選字線的漏極側(cè)上與所述所選字線相鄰的第一屏蔽板，以及施加到在所 述所選字線的源極側(cè)上與所述所選字線相鄰的第二屏蔽板。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中：
將電壓耦接到多個(gè)屏蔽板中的每個(gè)屏蔽板包括：將第三電壓施加到位于 所述第二屏蔽板的源極側(cè)上的第三屏蔽板，所述第三電壓低于所述第二電 壓。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中：
將電壓耦接到多個(gè)屏蔽板中的每個(gè)屏蔽板包括：將第四電壓施加到位于 所述第一屏蔽板的漏極側(cè)上的第四屏蔽板，所述第四電壓低于所述第二電 壓。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中：
將電壓耦接到多個(gè)屏蔽板中的每個(gè)屏蔽板包括：將第四電壓施加到位于 所述第一屏蔽板的漏極側(cè)上的第四屏蔽板，所述第四電壓與所述第三電壓相 同。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中：
所述多個(gè)非易失性存儲(chǔ)元件被布置在NAND串中，所述多個(gè)屏蔽板向 著所述NAND串橫向延伸。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中：
所述多個(gè)非易失性存儲(chǔ)元件在一個(gè)塊中，以及所述多個(gè)屏蔽板與該塊相 關(guān)聯(lián)。
11.一種非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，包括：
襯底，其上形成多個(gè)非易失性存儲(chǔ)元件；
多個(gè)字線，與所述多個(gè)非易失性存儲(chǔ)元件通信；以及
多個(gè)屏蔽板，每個(gè)屏蔽板在與相鄰字線相關(guān)聯(lián)的不同的相鄰非易失性存 儲(chǔ)元件之間延伸，每個(gè)屏蔽板是導(dǎo)電的并可獨(dú)立控制，其中在對(duì)多個(gè)字線中 的所選字線施加編程電壓期間，將電壓獨(dú)立地耦接到每個(gè)屏蔽板。
12.如權(quán)利要求11所述的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，還包括：
至少一個(gè)控制電路，用于將電壓獨(dú)立地耦接到每個(gè)屏蔽板。
13.如權(quán)利要求11所述的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，其中：
所述不同的相鄰非易失性存儲(chǔ)元件的每個(gè)包括浮置柵極；
每個(gè)屏蔽板包括導(dǎo)電材料；以及
對(duì)于每個(gè)屏蔽板，導(dǎo)電材料至少部分地在所述不同的相鄰非易失性存儲(chǔ) 元件的浮置柵極之間延伸。
14.如權(quán)利要求11所述的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，其中：
所述多個(gè)非易失性存儲(chǔ)元件被布置在NAND串中，所述多個(gè)屏蔽板向 著所述NAND串橫向延伸。
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