[發明專利]具有次表面二極管的集成電路

無效

• 申請號: 200880020977.2
• 申請日: 2008-03-28
• 公開（公告）號: CN101681910A
• 公開（公告）日: 2010-03-24
• 發明（設計）人: M·D·丘奇;A·寇尼斯基;L·G·皮爾斯;M·R·杰恩;T·A·裘川
• 申請（專利權）人: 英特賽爾美國股份有限公司
• 主分類號: H01L27/08
• 分類號: H01L27/08;H01L27/06
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 李 玲

1.一種集成電路，包括：

具有表面的基片；

具有第一擊穿電壓的第一二極管，所述第一二極管具有在所述基片的所述 表面處彼此毗鄰的第一P型區和第一N型區以形成橫向二極管；

具有低于所述第一擊穿電壓的第二擊穿電壓的第二二極管，所述第二二極 管具有在所述基片中彼此橫向毗鄰的第二P型區和第二N型區，以在所述表面 以下形成具有擊穿區的橫向二極管；

所述第二P型和N型區為從所述第二二極管的所述擊穿區延伸到毗鄰所 述表面的退化區；以及

所述第一和第二N型區交迭，而且所述第一和第二P型區電連接，藉此 所述第一和第二二極管并聯。

2.如權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述第二P型和N型區 在所述基片的所述表面以下具有最大雜質濃度。

3.如權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述基片包括在所述表 面中的絕緣溝槽，而且所述第二二極管在所述溝槽之下。

4.如權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述第一和第二P型區 在所述基片中被分隔開，而且通過所述基片之上的互連電連接。

5.如權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述第一和第二P型區 交迭以形成電連接。

6.一種集成電路，包括：

具有表面的基片；

具有第一擊穿電壓的第一二極管，所述第一二極管具有在所述基片的所述 表面處彼此毗鄰的第一P型區和第一N型區，以形成橫向二極管；

具有低于所述第一擊穿電壓的第二擊穿電壓的第二二極管，所述第二二極 管具有在所述基片中彼此橫向毗鄰的第二P型區和第二N型區，以在所述表面 以下形成橫向二極管；以及

所述第一和第二P型區是鄰接所述表面處的所述第一N型區和所述表面 以下的所述第二N型區的公用P型區，并且所述第一和第二N型區交迭，藉 此所述第一和第二二極管并聯。

7.如權利要求6所述的集成電路，其特征在于，所述公用P型區和所述 第二N型區在所述基片的所述表面以下具有最大雜質濃度。

8.如權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述第一P型區是橫向 場效應晶體管的體區，而所述第一N型區是所述場效應晶體管的漏區。

9.如權利要求8所述的集成電路，其特征在于，所述場效應晶體管是絕 緣柵型場效應晶體管。

10.如權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述第一P和N型區與 CMOS橫向場效應晶體管的阱區結構相同。