[發(fā)明專利]導(dǎo)電性高分子上的抗蝕劑膜的剝離劑、抗蝕劑膜的剝離方法及具有已圖案化的導(dǎo)電性高分子的基板

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200880020064.0
• 申請(qǐng)日: 2008-05-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101681131A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-03-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 井原孝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東亞合成株式會(huì)社;鶴見(jiàn)曹達(dá)株式會(huì)社;長(zhǎng)瀨化成株式會(huì)社;長(zhǎng)瀨產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G03F7/42
• 分類號(hào): G03F7/42;H01L21/027
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 朱 丹

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是關(guān)于導(dǎo)電性高分子上的抗蝕劑膜的剝離劑、抗蝕劑膜的剝離方法及具有已圖案化的導(dǎo)電性高分子的基板。

背景技術(shù)

近年，透明導(dǎo)電膜使用以ITO(氧化銦錫)作為成分，由于銦為稀有元素，故正進(jìn)行著以導(dǎo)電性高分子代替的研究。

導(dǎo)電性高分子不僅導(dǎo)電性、光透過(guò)性、發(fā)光性優(yōu)異，而且薄膜成膜性、薄膜性、撓性也優(yōu)異，從而持續(xù)進(jìn)行著于電解電容器、防靜電膜、高分子EL、太陽(yáng)能電池、透明導(dǎo)電膜等實(shí)用化的開(kāi)發(fā)。

例如，電解電容器的情況下，通過(guò)使用比該電解質(zhì)的導(dǎo)電性更高的導(dǎo)電性高分子，可制作在化學(xué)·物理性上安定，耐熱性也優(yōu)異，且頻率特性良好的電解電容器。

又，經(jīng)由將導(dǎo)電性高分子于聚合物薄膜的表面上形成薄薄的膜，因能夠在保持透明性的同時(shí)防止靜電，可使用作為使用狀況良好的防靜電薄膜或防靜電容器。

如以導(dǎo)電性高分子替代ITO使用的情況下，必須采用實(shí)用上有用的生產(chǎn)性高的圖案化法，而檢討各種的圖案化法。

例如，已知經(jīng)噴墨印刷法的圖案化(專利文獻(xiàn)1)。

相對(duì)于此，經(jīng)成膜的導(dǎo)電性高分子上涂布光致抗蝕劑，使用光刻法而于抗蝕劑膜上形成圖案后，將該抗蝕劑膜以作為掩模材料的底層的導(dǎo)電性高分子以蝕刻劑蝕刻的方法，有所謂可形成精密度優(yōu)良且縱橫比高的圖案的有利點(diǎn)。

作為經(jīng)由蝕刻導(dǎo)電性高分子而圖案化的方法，例如揭示于專利文獻(xiàn)2的技術(shù)方案。

導(dǎo)電性高分子的利用上經(jīng)常有進(jìn)行圖案化的情形。例如可列舉使用作為觸控面板或高分子EL顯示器的電極的情況下的引出線。通過(guò)光刻法進(jìn)行圖案化時(shí)，抗蝕劑的剝離液為必須，例如，已揭示非質(zhì)子性極性有機(jī)溶劑、有機(jī)胺類或有機(jī)季銨鹽、聚亞烷基二醇類與水組成的抗蝕劑剝離液用組合物，或多元醇、烷醇胺、乙二醇醚與水組成的抗蝕劑用剝離液(專利文獻(xiàn)3及4)。

另外，關(guān)于導(dǎo)電性高分子的圖案化，已揭示一種導(dǎo)電性圖案的形成方法，其特征為通過(guò)依次在支持體上形成含有導(dǎo)電性聚合物的層及光敏性(光感応性)樹(shù)脂層的工序、將光敏性樹(shù)脂層曝光的工序、及含有相當(dāng)于光敏性樹(shù)脂層的曝光部或未曝光部的導(dǎo)電性聚合物的層與所述曝光部或未曝光部同時(shí)去除的工序(專利文獻(xiàn)5)。

又，一般抗蝕劑膜的剝離為了縮短剝離時(shí)間及防止剝離殘留，于剝離處理時(shí)，必須加熱剝離液來(lái)使用，也經(jīng)常于高于60℃的高溫下處理。具體而言，已顯示使用防蝕性高的剝離液于70℃下剝離的例(專利文獻(xiàn)6)。

【專利文獻(xiàn)1】特開(kāi)2005-109435號(hào)公報(bào)

【專利文獻(xiàn)2】特開(kāi)平5-335718號(hào)公報(bào)

【專利文獻(xiàn)3】特開(kāi)2004-177740號(hào)公報(bào)

【專利文獻(xiàn)4】特開(kāi)2007-114519號(hào)公報(bào)

【專利文獻(xiàn)5】特開(kāi)2003-346575號(hào)公報(bào)

【專利文獻(xiàn)6】特開(kāi)2001-356495號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)1中記載的方法，因以印刷進(jìn)行圖案化，為簡(jiǎn)便而精密度良好的方法，但導(dǎo)電性高分子有難墨水化的缺點(diǎn)。

又，專利文獻(xiàn)2中記載的方法，于導(dǎo)電性高分子的蝕刻后必須剝離上層的抗蝕劑膜。

另一方面，使用專利文獻(xiàn)3及4中記載的剝離液于導(dǎo)電性高分子上的抗蝕劑膜的剝離的情況下，由于導(dǎo)電性高分子的分子中含有導(dǎo)電性基，例如噻吩基等，會(huì)有與剝離液中所含堿基性氨類、哌嗪類反應(yīng)而被氧化，降低導(dǎo)電性，導(dǎo)電性高分子浸透基板與導(dǎo)電性高分子的密著性會(huì)降低的問(wèn)題。

又，專利文獻(xiàn)5中記載的導(dǎo)電性圖案的形成方法中揭示，于導(dǎo)電性聚合物層的圖案化后去除光敏性樹(shù)脂層時(shí)，使用醚系或酮系的溶劑。本發(fā)明人們發(fā)現(xiàn)這些溶劑有使用上的困難，也有導(dǎo)電性聚合物層被剝離等問(wèn)題。

再者，專利文獻(xiàn)6中記載的方法，被認(rèn)為有惡化導(dǎo)電性高分子的導(dǎo)電性，且表面電阻也上升50％以上的現(xiàn)象。

即，比較導(dǎo)電性高分子膜與ITO膜的表面電阻時(shí)，膜的透過(guò)率成為80％以上的方式的薄膜的情況下，相對(duì)于ITO的表面電阻為100Ω/□以下，導(dǎo)電性高分子的表面電阻為100～10,000Ω/□，為了以導(dǎo)電性高分子替代ITO，必須極力抑制由藥劑影響造成表面電阻的上升。

又，即使未要求透過(guò)率的情況下，為了防止導(dǎo)電性的惡化，必須作厚膜等的處理，其結(jié)果使用途變窄。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供從導(dǎo)電性高分子剝離抗蝕劑膜時(shí)，不僅剝離性優(yōu)異且未給導(dǎo)電性高分子不良影響的剝離劑，及提供導(dǎo)電性高分子上的抗蝕劑膜的剝離方法。又本發(fā)明的其它目的是提供導(dǎo)電性良好、具有已圖案化的導(dǎo)電性高分子的基板。