[發(fā)明專利]導(dǎo)電性高分子上的抗蝕劑膜的剝離劑、抗蝕劑膜的剝離方法及具有已圖案化的導(dǎo)電性高分子的基板

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200880020064.0
• 申請(qǐng)日: 2008-05-27
• 公開（公告）號(hào): CN101681131A
• 公開（公告）日: 2010-03-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 井原孝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東亞合成株式會(huì)社;鶴見曹達(dá)株式會(huì)社;長瀨化成株式會(huì)社;長瀨產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G03F7/42
• 分類號(hào): G03F7/42;H01L21/027
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 朱 丹

1.一種導(dǎo)電性高分子上的抗蝕劑膜的剝離劑，其特征在于，含有選自如下非質(zhì)子性有機(jī)溶劑(a)和有機(jī)溶劑(b)中的至少一種有機(jī)溶劑：

非質(zhì)子性有機(jī)溶劑(a)為選自二烷基砜類、二烷基亞砜類、碳酸亞烴酯類及烷內(nèi)酯類中且不含有氮原子的非質(zhì)子性有機(jī)溶劑，

有機(jī)溶劑(b)為化學(xué)結(jié)構(gòu)中具有氮原子且除了伯胺化合物、仲胺化合物及有機(jī)季銨鹽以外的有機(jī)溶劑。

2.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性高分子上的抗蝕劑膜的剝離劑，其中，非質(zhì)子性有機(jī)溶劑(a)為選自二烷基亞砜、碳酸亞烴酯及烷內(nèi)酯中的至少一種非質(zhì)子性有機(jī)溶劑。

3.如權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電性高分子上的抗蝕劑膜的剝離劑，其中，非質(zhì)子性有機(jī)溶劑(a)為選自二甲基亞砜、碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯及γ-丁內(nèi)酯中的至少一種非質(zhì)子性有機(jī)溶劑。

4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子上的抗蝕劑膜的剝離劑，其含有非質(zhì)子性有機(jī)溶劑(a)及有機(jī)溶劑(b)。

5.如權(quán)利要求4所述的導(dǎo)電性高分子上的抗蝕劑膜的剝離劑，其中，非質(zhì)子性有機(jī)溶劑(a)與有機(jī)溶劑(b)的比例為(a)/(b)＝99/1～10/90(重量比)。

6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子上的抗蝕劑膜的剝離劑，其中，有機(jī)溶劑(b)為選自N-烷基吡咯烷酮及二烷基碳酰胺中的至少一種有機(jī)溶劑。

7.如權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子上的抗蝕劑膜的剝離劑，其中，有機(jī)溶劑(b)為選自N-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺及二甲基乙酰胺中的至少一種有機(jī)溶劑。

8.如權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子上的抗蝕劑膜的剝離劑，其中，導(dǎo)電性高分子為聚苯胺類及/或聚噻吩類。

9.如權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子上的抗蝕劑膜的剝離劑，其中，導(dǎo)電性高分子為聚(3，4-亞乙二氧基噻吩)。

10.一種抗蝕劑膜的剝離方法，其特征在于，

具有準(zhǔn)備在基板上依次具備導(dǎo)電性高分子及已圖案化的抗蝕劑膜的基板的工序及利用剝離劑來剝離基板上的導(dǎo)電性高分子上的抗蝕劑膜的剝離工序，

所述剝離劑為權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子上的抗蝕劑膜的剝離劑。

11.如權(quán)利要求10所述的抗蝕劑膜的剝離方法，其中，在所述剝離工序后，進(jìn)一步含有以清洗液清洗的清洗工序。

12.如權(quán)利要求11所述的抗蝕劑膜的剝離方法，其中，所述剝離工序及/或清洗工序于5℃～60℃的溫度下進(jìn)行。

13.如權(quán)利要求11或12所述的抗蝕劑膜的剝離方法，其中，清洗液為水、低級(jí)醇或者水與低級(jí)醇的混合物。

14.如權(quán)利要求10～13中任一項(xiàng)所述的抗蝕劑膜的剝離方法，其中，導(dǎo)電性高分子為聚苯胺類及/或聚噻吩類。

15.如權(quán)利要求10～14中任一項(xiàng)所述的抗蝕劑膜的剝離方法，其中，導(dǎo)電性高分子為聚(3，4-亞乙二氧基噻吩)。

16.如權(quán)利要求10～15中任一項(xiàng)所述的抗蝕劑膜的剝離方法，其中，準(zhǔn)備在基板上依次具備導(dǎo)電性高分子及已圖案化的抗蝕劑膜的基板的工序包含：在基板上使導(dǎo)電性高分子膜成膜的工序、在導(dǎo)電性高分子膜上使抗蝕劑膜成膜的工序及使用紫外線將抗蝕劑膜以圖案形狀曝光后以顯影液顯影的工序。

17.一種基板，其具備：利用權(quán)利要求10～16中任一項(xiàng)所述的方法剝離了抗蝕劑的、已圖案化的導(dǎo)電性高分子。