[發明專利]半導體晶片磨削方法和在其中使用的樹脂組合物以及保護片

有效

• 申請號: 200880019656.0
• 申請日: 2008-06-18
• 公開（公告）號: CN101681823A
• 公開（公告）日: 2010-03-24
• 發明（設計）人: 九津見正信;金井朋之
• 申請（專利權）人: 電氣化學工業株式會社
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301;H01L21/304
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 苗 堃;陳劍華

技術領域

本發明涉及半導體晶片磨削方法和在其中使用的合適的樹脂組合 物以及保護片或固定用夾具。

背景技術

通過IC卡、移動電話、及PDA(Personal?Digital?Assistants)等電子 設備的薄型化等，廣泛認識到在這些電子設備的制造中的磨削技術的重要 性。在磨削工序中，要求確實可靠地固定被加工物。作為固定被加工物的 方法之一，已知有使用粘合片的方法(參照專利文獻1)。

但是，如果將晶片磨削得較薄，則晶片的強度會降低，所以如果晶片 內存在少許的缺陷，則會發生裂紋，使合格率降低。為了抑制這些破損， 提出如下所示的方法，即在半導體晶片的電路面側形成規定深度的槽，然 后從背面側進行磨削，分割成芯片狀的方法(參照專利文獻2)。

在制造電子部件時，在其中途工序中，大多數情況下是對在硅或鎵- 砷等半導體晶片上形成電路圖形而成的電子部件集合體、在平板狀的絕緣 基板等上形成電路圖形而成的電子部件集合體進行處理。在半導體晶片上 形成電路圖形而成的電子部件集合體中，以硅晶片上有30μm左右的電路 的晶片和晶片級CSP(芯片尺寸封裝：Chip?Size?Package)等為代表，大 多是具有30～500μm的凸起(bump)的電子部件集合體。

在以往的使用了粘合片的磨削中，如果使用具有30μm以上的凹凸的 電子部件集合體，則對凹凸的隨動性不足，會對電子部件集合體施加應力， 所以有時會出現磨削部的凹陷或裂紋。

對于具有50μm以上的凹凸的電子部件集合體，考慮到對凹凸的隨動 性，大多數情況下使用比較柔軟的基材膜(參照專利文獻3)，但在進行磨 削并分割成單個芯片時，已分割的芯片活動，成為芯片缺損、拾取不良的 原因。

為了解決上述問題，作為對晶片、光學部件的電路面的凹凸具有足夠 隨動性的材料且作為磨削時的支承體具有足夠剛性的組合物，提出了含有 含特定(甲基)丙烯酸單體的樹脂的樹脂組合物(專利文獻4、5)。在專 利文獻4、5中記載有上述樹脂組合物對背面磨削時的表面保護是有效的， 但沒有記載即便在氧氣氛圍下也會固化。

專利文獻1：特開昭61-010242號公報

專利文獻2：特開平05-335411號公報

專利文獻3：特許第3773358號公報

專利文獻4：國際公開WO2007/004620號國際公開文本

專利文獻5：國際公開WO2006/100788號國際公開文本

發明內容

本發明的目的在于，提供一種磨削加工時的凹凸隨動性以及使其分割 成單個芯片時的芯片保持性出色、不會發生芯片缺損或拾取不良、與半導 體晶片的粘接性、剝離性出色的構件、加工方法；特別是提供一種利用以 往技術無法應對的、對在電路面具有30μm以上的大凹凸的半導體晶片的 背面進行磨削而薄壁化的半導體晶片的新的磨削方法。

本發明的要旨如下。

(1)一種半導體晶片磨削方法，其特征在于，在半導體晶片的電路面 (表面)側，隔著能夠從上述半導體晶片剝離的樹脂層設置保護片或固定 用夾具，對上述半導體晶片的背面進行磨削。

(2)上述(1)的半導體晶片磨削方法，其中，在半導體晶片的電路 面側，形成深度比晶片厚度小的槽，在整個面涂布形成樹脂層的樹脂組合 物，對半導體晶片的背面進行磨削，分割成單個芯片。

(3)上述(1)或(2)的半導體晶片磨削方法，其中，在對半導體晶 片的背面進行了磨削之后，將樹脂層加熱而除去。

(4)上述(3)的半導體晶片磨削方法，其中，通過至少將樹脂層加 熱至40～150℃，來除去樹脂層。

(5)上述(1)～(3)中任意一項的半導體晶片磨削方法，其中，通 過至少使樹脂層與30～100℃的熱水接觸，來除去樹脂層。

(6)上述(1)～(5)中任意一項的半導體晶片磨削方法，其中，保 護片或固定用夾具具有透光性，樹脂層由丙烯酸系樹脂組合物形成。

(7)上述(1)～(6)中任意一項的半導體晶片磨削方法，其中，半 導體晶片在電路面上具有30μm以上1000μm以下的凹凸。

(8)上述(6)或(7)的半導體晶片磨削方法，其中，固定用夾具透 過波長為365nm的光20％以上。