[發明專利]半導體晶片磨削方法和在其中使用的樹脂組合物以及保護片

有效

• 申請號: 200880019656.0
• 申請日: 2008-06-18
• 公開（公告）號: CN101681823A
• 公開（公告）日: 2010-03-24
• 發明（設計）人: 九津見正信;金井朋之
• 申請（專利權）人: 電氣化學工業株式會社
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301;H01L21/304
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 苗 堃;陳劍華

1.一種半導體晶片磨削方法，其特征在于，

(1)在半導體晶片的電路面側，形成深度比晶片厚度小的槽；

(2)在整個面涂布形成樹脂層的樹脂組合物；

(3)隔著能夠從所述半導體晶片剝離的樹脂層設置保護片或固定用夾 具，照射可見光或紫外線，使由樹脂組合物形成的層固化；

(3’)代替上述(2)及(3)，在涂布樹脂組合物之后，照射可見 光或紫外線，使由樹脂組合物形成的層固化，然后隔著能夠從所述半導 體晶片剝離的樹脂層設置保護片或固定用夾具；

(4)對所述半導體晶片的背面進行磨削，分割成單個芯片；

(5)將樹脂層加熱而除去。

2.根據權利要求1所述的半導體晶片磨削方法，其中，

通過至少將樹脂層加熱至40～150℃，來除去樹脂層。

3.根據權利要求1所述的半導體晶片磨削方法，其中，

通過至少使樹脂層與30～100℃的熱水接觸，來除去樹脂層。

4.根據權利要求1所述的半導體晶片磨削方法，其中，

保護片或固定用夾具具有透光性，樹脂層由丙烯酸系樹脂組合物形成。

5.根據權利要求1所述的半導體晶片磨削方法，其中，

半導體晶片在電路面上具有30μm以上1000μm以下的凹凸。

6.根據權利要求4或者5所述的半導體晶片磨削方法，其中，

固定用夾具透過波長為365nm的光20％以上。

7.一種樹脂組合物，在權利要求1～5中任意一項所述的半導體晶片 磨削方法中使用。

8.根據權利要求7所述的樹脂組合物，其中，

含有(A)多官能(甲基)丙烯酸酯、(B)單官能(甲基)丙烯酸酯 以及(C)聚合引發劑，相對于(A)和(B)的總計量100質量份，含有 50～97質量份的(B)、0.1～20質量份的(C)。

9.根據權利要求8所述的樹脂組合物，其中，

所述(A)和(B)均為疏水性。

10.根據權利要求8或者9所述的樹脂組合物，其中，

所述(C)是光聚合引發劑。

11.一種保護片，在權利要求1～5中任意一項所述的半導體晶片磨削 方法中使用。

12.根據權利要求11所述的保護片，其中，

含有由乙烯乙酸乙烯酯形成的層至少一層以上。

13.根據權利要求11或12所述的保護片，其中，

表面具有粘合層。

14.根據權利要求13所述的保護片，其中，

粘合層由丙烯酸系樹脂組合物形成。