[發明專利]用于制造多個光電子器件的方法和光電子器件

有效

• 申請號: 200880018354.1
• 申請日: 2008-06-19
• 公開（公告）號: CN101681969A
• 公開（公告）日: 2010-03-24
• 發明（設計）人: 西格弗里德·赫爾曼
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳 煒;許偉群

1.一種用于制造多個光電子器件的方法，具有如下步驟：

-提供連接支承體復合結構，其具有多個器件區域，其中在器件區域 中分別設置有至少一個電連接區域，

-提供半導體本體支承體，在該半導體本體支承體上設置有多個單獨 的并且與半導體本體支承體連接的半導體本體，其中半導體本體分別具有 帶有有源區的半導體層序列，

-將連接支承體復合結構與半導體本體支承體相對于彼此設置，使得 半導體本體朝向器件區域，

-將多個半導體本體與連接支承體復合結構在與相應半導體本體關 聯的器件區域的安裝區域中以機械方式連接，將相應的半導體本體與同半 導體本體關聯的器件區域的電連接區域導電連接，并且將要與連接支承體 復合結構連接的或者已與之連接的半導體本體與半導體本體支承體分離，

-將連接支承體復合結構劃分成多個單獨的光電子器件，所述光電子 器件分別具有：連接支承體，其具有器件區域；以及設置在連接支承體上 的并且與該電連接區域導電連接的半導體本體，

其特征在于，

-將接觸斜面設置在半導體本體旁，其中接觸斜面楔形地構建并且朝 著連接支承體的朝向半導體本體的側走向，半導體本體設置在連接支承體 上。

2.根據權利要求1所述的方法，其中相應的電連接區域具有安裝區 域和連接導體區域，并且安裝區域突出于連接導體區域。

3.根據上述權利要求1和2中的任一項所述的方法，其中連接支承 體對于半導體本體中產生的輻射是透射的。

4.根據上述權利要求1和2中的任一項所述的方法，其中連接支承 體復合結構的電連接區域借助平版印刷來構建。

5.根據上述權利要求1和2中的任一項所述的方法，其中在器件區 域中多個半導體本體與連接支承體復合結構連接，并且在器件區域中的相 鄰半導體本體的距離為40μm或者更小。

6.根據上述權利要求1和2中的任一項所述的方法，其中在將半導 體本體固定在連接支承體復合結構上之后，在半導體本體之間將平面化材 料施加到連接支承體復合結構上，并且平面化材料在施加之后構建為使得 在相應的半導體本體旁邊設置有平面化層，其中接觸斜面通過平面化層形 成。

7.根據上述權利要求1和2中的任一項所述的方法，其中構建有接 觸導體，其層狀地從相應半導體本體的背離安裝區域的側朝著連接支承體 延伸。

8.根據權利要求7所述的方法，其中在將半導體本體固定在連接支 承體復合結構上之后，并且尚在劃分連接支承體復合結構之前，將接觸部 施加到相應半導體本體的背離安裝區域的側上，其中接觸部具有電流分布 結構，該電流分布結構施加到半導體本體的與半導體本體的安裝區域背離 的側上，并且接觸導體和電流分布結構借助平版印刷通過使用共同的掩膜 施加到連接支承體復合結構上。

9.根據上述權利要求1和2中的任一項所述的方法，

其中在將半導體本體與半導體本體支承體分離之后去除半導體本體 支承體并且提供另外的半導體本體支承體，

其中設置在所述另外的半導體本體支承體上的半導體本體與連接支 承體復合結構連接并且與所述另外的半導體本體支承體分離，并且

其中設置在所述另外的半導體本體支承體上的半導體本體分別固定 在已經與連接支承體復合結構連接的半導體本體上，并且導電地與已經與 連接支承體復合結構連接的半導體本體連接。

10.一種光電子器件，具有：

-半導體本體，其包括帶有有源區的半導體層序列，以及

-連接支承體，在該連接支承體上設置和固定有半導體本體，其中在 連接支承體的朝著半導體本體的側上構建有電連接區域，該電連接區域在 連接支承體的俯視圖中在半導體本體旁邊延伸，并且電連接區域與半導體 本體導電連接，

其特征在于，

-平面化層在半導體本體旁邊設置在連接支承體上，其中平面化層的 背離連接支承體的側距半導體本體的背離連接支承體的側的距離小于半 導體本體的背離連接支承體的側距連接支承體的距離。