[發明專利]氧化鎂粉末無效
| 申請號： | 200880018079.3 | 申請日： | 2008-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN101707913A | 公開（公告）日： | 2010-05-12 |
| 發明（設計）人： | 大崎善久;川瀨厚哉;山元香織 | 申請（專利權）人： | 達泰豪化學工業株式會社 |
| 主分類號： | C01F5/06 | 分類號： | C01F5/06 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 范征;胡燁 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化鎂 粉末 | ||
【權利要求書】：
1.一種氧化鎂粉末，其特征在于，使用了Cu-Kα射線的粉末X射線衍射法中的(111)面、(200)面和(220)面的峰值的半寬度都在0.20度以下，且微晶直徑為以上。
2.如權利要求1所述的氧化鎂粉末，其特征在于，氧化鎂純度為99.9質量％以上。
3.如權利1或2所述的氧化鎂粉末，其特征在于，由具有光滑表面的立方體形狀的一次粒子構成。
4.如權利1或2所述的氧化鎂粉末，其特征在于，由激光衍射散射式粒度分布測定獲得的累積50％粒徑(D50)為0.1～10μm。
5.如權利1或2所述的氧化鎂粉末，其特征在于，在相對于氧化鎂前體總量為0.3～30質量％的鹵化物離子的存在下，通過在封閉系統中煅燒該氧化鎂前體而得到。
6.如權利要求5所述的制造方法，其特征在于，氧化鎂前體為堿式碳酸鎂、氫氧化鎂或它們的混合物。
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