[發明專利]用于制造光電子器件的方法以及光電子器件有效
| 申請號: | 200880018019.1 | 申請日: | 2008-05-07 |
| 公開(公告)號: | CN101681964A | 公開(公告)日: | 2010-03-24 |
| 發明(設計)人: | 赫爾穆特·菲舍爾;迪特爾·艾斯勒;亞歷山大·海因德爾 | 申請(專利權)人: | 歐司朗光電半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00;H01L21/78;H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人: | 王 萍;李春暉 |
| 地址: | 德國雷*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 制造 光電子 器件 方法 以及 | ||
1.一種用于制造多個光電子器件(1)的方法,包括以下步驟:
a)在輔助支承體(4)上提供多個分別帶有半導體層序列的半導體本 體(2),所述輔助支承體(4)實施為薄膜,其中半導體本體(2)分別構 建在用于半導體本體(2)的半導體層序列的生長襯底本體(20)上;
b)在器件支承復合結構(30)中提供多個器件支承體(3),其中器 件支承體(3)分別具有至少一個連接面(35);
c)將半導體本體相對于器件支承體(3)來定位;
d)建立器件支承體(3)的連接面(35)與關聯于所述連接面(35) 的半導體本體(2)的導電連接,并且將該半導體本體(2)固定在器件支 承體(3)上,其中將半導體本體(2)通過借助于電磁輻射減小薄膜的附 著特性來選擇性地從輔助支承體(4)剝離;
e)制成多個光電子器件(1),其中將生長襯底本體(20)從相應的 半導體本體(2)完全地或者僅僅部分地去除并且將器件支承復合結構(30) 劃分為器件支承體(3)。
2.根據權利要求1所述的方法,其中在步驟c)中將半導體本體(2) 單獨地設置在器件支承復合結構上。
3.根據權利要求1所述的方法,其中:
-在步驟c)中將輔助支承體(4)相對于器件支承體(3)定位,使 得半導體本體(2)朝向器件支承體(3);并且
-在步驟a)中在輔助支承體(4)上在兩個半導體本體(2)之間設 置有至少一個另外的半導體本體(2),其中在步驟d)中將所述兩個半導 體本體(2)并排地固定在器件支承體(3)上。
4.根據權利要求1所述的方法,其中輔助支承體(4)在步驟a)中 設置有分離的半導體本體(2),這些半導體本體關于其光電子特性被預先 選擇。
5.根據權利要求2所述的方法,其中輔助支承體(4)在步驟a)中 設置有分離的半導體本體(2),這些半導體本體關于其光電子特性被預先 選擇。
6.根據權利要求1至5中的任一項所述的方法,其中在步驟b)中 在器件支承體(3)上分別構建有至少一個安裝區域(31),該安裝區域設 計用于固定半導體本體(2)并且在半導體本體(2A)的情況下與輔助支 承體(4)分離,在步驟c)中將該半導體本體(2A)分別設置在安裝區 域(31)內,并且設置在安裝區域(31)之外的半導體本體(2B)保留 在輔助支承體(4)上。
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