[發(fā)明專利]脫模薄膜有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200880016639.1 | 申請日: | 2008-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN101678605A | 公開(公告)日: | 2010-03-24 |
| 發(fā)明(設計)人: | 土谷雅弘;松本弘丈;五藤靖志;森伸浩 | 申請(專利權)人: | 積水化學工業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | B29C59/04 | 分類號: | B29C59/04;B29C33/68;B32B27/00;C08J5/18 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 李貴亮 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 脫模 薄膜 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種兼顧抗皺性和脫模性的脫模薄膜。
背景技術
進行了如下所述的方法,即:通過對依次層疊印刷基板、熱固型粘合 劑或熱固性粘合片、覆蓋薄膜或加強板、脫模薄膜、緩沖薄膜、沖壓熱板 而成的層疊體進行加熱加壓沖壓,來制造利用覆蓋薄膜或加強板保護形成 有電路的印刷基板本體的回路面的層疊基板的方法。這樣的制造方法尤其 在柔性印刷基板等的制造中被廣泛進行。
近年來,在制造印刷基板時,存在的問題在于,在沖壓時易轉印在脫 模薄膜中發(fā)生的皺紋,從而印刷基板的成品率悪化。
針對脫模薄膜的皺紋的發(fā)生的問題,例如在專利文獻1~4中記載了 向脫模薄膜的表面賦予凹凸形狀從而防止皺紋的發(fā)生的方法。例如在專利 文獻2中記載了在將具有滿足表面粗糙度(Ra)等一定條件的凹凸形狀的 表面粗化薄膜用作印刷基板制造的脫模薄膜時,可以防止皺紋的發(fā)生。但 是,如果向脫模薄膜的表面賦予凹凸形狀,則存在起模性低下的問題。
專利文獻1:特開平6-23840號公報
專利文獻2:特開2007-83459號公報
專利文獻3:特開平2-238911號公報
專利文獻4:特開平3-61011號公報
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種同時具有抗皺性與起模性的脫模薄膜。
本發(fā)明的脫模薄膜中,對于至少一方的表面性狀而言,利用基于JIS B0601:2001的方法,使用前端半徑2μm、圓錐的錐角60°的觸針,在測 定力為0.75mN、截斷值λs=2.5μm、λc=0.8mm的條件下測定的粗糙度 曲線的最大高度粗糙度Rz為0.5~20μm且粗糙度曲線要素的平均長度 RSm為50~500μm。
以下詳述本發(fā)明。
通常,作為提高脫模薄膜的起模性的方法,已知有實施在薄膜的表面 涂布或散布脫模劑,或者在薄膜的表面實施化學的、物理的處理等脫模處 理的方法。但是,即使對于專利文獻1~4中記載的賦予了凹凸形狀的薄 膜實施這些脫模處理,也不能得到需要的脫模性能。本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn),即 使向這些已賦予凹凸形狀的薄膜實施脫模處理,也不能得到需要的起模性 能的原因在于,在薄膜表面賦予的凹凸形狀的間隔過細,不能充分地實施 脫模處理直至凹部的底部,以及,由于凹凸而脫模薄膜與被脫模體之間的 接觸面積增大。另外,本發(fā)明人等還發(fā)現(xiàn),越加大凹凸的間隔,則越提高 起模性,在薄膜的表面平坦部分越多,則越提高脫模處理的効果。
接著,本發(fā)明人等著眼于薄膜表面的凹凸形狀的粗糙度曲線,以使作 為高度方向的參數(shù)的最大高度粗糙度Rz與作為橫方向的參數(shù)的粗糙度曲 線要素的平均長度RSm在一定的范圍內的情況下,才可以兼顧高抗皺性 和起模性,以至完成本發(fā)明。
本發(fā)明的脫模薄膜中,對于至少一方的表面(以下也稱為“脫模面”。) 的性狀而言,利用基于JIS?B0601:2001的方法,使用前端半徑2μm、圓 錐的錐角60°的觸針,在測定力為0.75mN,截斷值為λs=2.5μm,λc= 0.8mm的條件下測定的粗糙度曲線的最大高度粗糙度Rz的下限為0.5、 上限為20μm。如果上述粗糙度曲線的最大高度粗糙度Rz不到0.5μm,則 抗皺性差,如果超過20μm,則起模性差。上述粗糙度曲線的最大高度粗 糙度Rz的優(yōu)選上限為10μm。
此外,上述脫模面可以為本發(fā)明的脫模薄膜的至少一方的表面,也可 以為兩面。
上述脫模面在利用基于JIS?B0601:2001的方法,使用前端半徑2μm、 圓錐的錐角60°的觸針,在測定力為0.75mN,截斷值為λs=2.5μm,λc= 0.8mm的條件下測定的粗糙度曲線要素的平均長度RSm的下限為50μm、 上限為500μm。如果上述粗糙度曲線要素的平均長度RSm不到50μm,則 起模性差,如果超過500μm,則抗皺性差。上述粗糙度曲線要素的平均長 度RSm的優(yōu)選下限為200μm,優(yōu)選上限為400μm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于積水化學工業(yè)株式會社,未經積水化學工業(yè)株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200880016639.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:層疊多孔質薄膜
- 下一篇:一種含有納米尾礦的魚礁膠凝材料及其制造方法





