[發(fā)明專利]用于將薄膜封裝層組件施加至有機(jī)器件的方法，以及具有優(yōu)選用該方法施加的薄膜封裝層組件的有機(jī)器件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200880016100.6
• 申請日: 2008-05-16
• 公開（公告）號: CN101730949A
• 公開（公告）日: 2010-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 巴斯·揚(yáng)·埃米爾·范倫斯;伊沃·亨德里克·克龍恩;呂迪格·蘭格
• 申請（專利權(quán)）人: OTB太陽能有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張英

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種用于將薄膜封裝層組件施加至有機(jī)器件例如OLED的方法，其中，該有機(jī)器件包括設(shè)置有活性堆疊體然后設(shè)置有用于遮蔽該活性堆疊體使之基本不受濕氣和/或氧的影響的薄膜封裝層組件的襯底，其中，薄膜封裝層組件通過將至少一個有機(jī)層和至少一個無機(jī)層施加至活性堆疊體而形成，其中，該至少一個無機(jī)層是利用等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積(PECVD)或反應(yīng)濺射而施加的。

背景技術(shù)

這樣一種方法是實(shí)際中已知的。在用于施加薄膜封裝層組件的已知方法中，將第一密封無機(jī)層施加至活性堆疊體，用于保護(hù)該器件的功能層。接著，將第一有機(jī)層施加至活性堆疊體上的無機(jī)層上。之后，將第二無機(jī)層施加至有機(jī)層上，形成另一密封。此外，在這些層之上進(jìn)一步施加有機(jī)層和無機(jī)層也是可以的。使用等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積(PECVD)或通過反應(yīng)濺射來施加無機(jī)層。還已知的是，當(dāng)構(gòu)建薄膜封裝層組件時，將有機(jī)層作為第一層來施加，然后交替地施加無機(jī)層和有機(jī)層。

人們發(fā)現(xiàn)，設(shè)置有如此制造的薄膜封裝層組件的有機(jī)器件仍會性能變差(degrade)。經(jīng)過廣泛的研究，目前人們假定，當(dāng)利用等離子體沉積技術(shù)(諸如電子回旋共振(ECR)、感應(yīng)耦合等離子體(ICP)或膨脹熱等離子體(ETP))施加例如SiN層的無機(jī)層時，會出現(xiàn)有機(jī)器件的性能變差，因?yàn)榈入x子體輻射影響了先前施加的薄膜封裝層組件的一個有機(jī)層或多個有機(jī)層。此外，在反應(yīng)濺射中，在合適的工藝時間內(nèi)，加載至該有機(jī)層或多個有機(jī)層上的等離子體可能是密集的。由于受影響的該有機(jī)層或多個有機(jī)層，脫離出可能對活性堆疊體有害的材料，例如發(fā)光材料層(例如PDOT層)、或陰極中的鋇。

然而，當(dāng)利用不同的沉積技術(shù)例如化學(xué)氣相沉積(CVD)而不是PECVD或其他類似技術(shù)(在該沉積技術(shù)中，有機(jī)(聚合物)層并不受等離子體輻射的影響)來施加無機(jī)層時，無機(jī)層的沉積速率相對較低。這些沉積速率可以比等離子沉積中的沉積速率低至10倍。從工藝速度和工藝效率的角度考慮，這是不利的。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明的目的在于提供一種用于將薄膜封裝層組件施加至有機(jī)器件并且不具有上述缺點(diǎn)的方法。更具體地，本發(fā)明的目的在于提供一種用于將薄膜封裝層組件施加至有機(jī)器件的方法，從而使薄膜封裝層組件的有機(jī)層不會受到用于施加薄膜封裝層組件的沉積技術(shù)的輻射的影響，并由此同時工藝速度(或處理速度)相對較高。

結(jié)果，本發(fā)明提供了一種用于將薄膜封裝層組件施加至有機(jī)器件(諸如OLED)的方法，其中，該有機(jī)器件包括設(shè)置有活性堆疊體然后設(shè)置有用于遮蔽該活性堆疊體使之基本不受氧和濕氣影響的薄膜封裝層組件的襯底，其中，薄膜封裝層組件通過將至少一個有機(jī)層和至少一個無機(jī)層施加至活性堆疊體而形成的，其中，該至少一個無機(jī)層是利用等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積(PECVD)或反應(yīng)濺射(法)而施加的，其特征在于，在施加該薄膜封裝層組件的第一有機(jī)層之后，在利用PECVD或反應(yīng)濺射施加無機(jī)層之前，將金屬層施加到該第一有機(jī)層上，其中利用引起相對較少的(little)輻射的沉積技術(shù)將金屬層施加至該有機(jī)層，其中，設(shè)置金屬層是用于保護(hù)有機(jī)層以免受到隨后的用于施加無機(jī)層的PECVD或反應(yīng)濺射法步驟中的輻射的影響。

這樣的金屬層可防止有機(jī)(聚合物)層在無機(jī)層等離子體沉積在有機(jī)層上的過程中受到等離子體的影響。所以，例如，可見光、UV輻射、反應(yīng)性離子、電子和/或熱等不會影響有機(jī)層的質(zhì)量。結(jié)果，至少在很大的范圍內(nèi)防止了有機(jī)器件的功能層的變差(或退化)。

此外，金屬層在薄膜封裝層組件中的使用顯示出優(yōu)點(diǎn)，即該層在任何濕氣和/或氧到達(dá)該活性堆疊體的功能層之前，構(gòu)成了對于濕氣和/氧的額外的內(nèi)部屏障。這就提高了利用本發(fā)明的方法制造的有機(jī)器件的質(zhì)量。優(yōu)選地，等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積(PECVD)是例如電子回旋共振(ECR)、感應(yīng)耦合等離子體(ICP)或膨脹熱等離子體(ETP)的一種技術(shù)。

根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步的詳盡細(xì)節(jié)，金屬層具有與存在于活性堆疊體中的陰極相同的成分。由于用于金屬層的金屬還用于提供活性堆疊體中的陰極，因此，其在有機(jī)器件的制造過程中是已經(jīng)備好的(現(xiàn)有的，在手頭的)，這從成本的角度看是有利的。例如，對于小分子OLED，陰極和金屬層兩者均可包括例如鋰和鋁。