[發(fā)明專利]用于將薄膜封裝層組件施加至有機(jī)器件的方法，以及具有優(yōu)選用該方法施加的薄膜封裝層組件的有機(jī)器件

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200880016100.6
• 申請(qǐng)日: 2008-05-16
• 公開（公告）號(hào): CN101730949A
• 公開（公告）日: 2010-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 巴斯·揚(yáng)·埃米爾·范倫斯;伊沃·亨德里克·克龍恩;呂迪格·蘭格
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: OTB太陽能有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/52
• 分類號(hào): H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張英

1.一種用于將薄膜封裝層組件施加至有機(jī)器件諸如OLED的方法，其中，所述有機(jī)器件包括設(shè)置有活性堆疊體然后設(shè)置有用于遮蔽所述活性堆疊體使之基本不受氧和濕氣影響的所述薄膜封裝層組件的襯底，其中，所述薄膜封裝層組件通過將至少一個(gè)有機(jī)層和至少一個(gè)無機(jī)層施加至所述活性堆疊體而形成，其中，所述至少一個(gè)無機(jī)層是利用等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積(PECVD)或反應(yīng)濺射而施加的，

其特征在于，在施加所述薄膜封裝層組件的第一有機(jī)層之后，在利用PECVD或反應(yīng)濺射向其施加無機(jī)層之前，將金屬層施加至所述第一有機(jī)層，其中利用引起相對(duì)較少的輻射的沉積技術(shù)將所述金屬層施加至所述有機(jī)層，其中，所述金屬層設(shè)置成用于保護(hù)所述有機(jī)層免受隨后的用于施加無機(jī)層的PECVD或反應(yīng)濺射法步驟中的輻射的影響。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積(PECVD)是諸如電子回旋共振(ECR)、感應(yīng)耦合等離子體(ICP)或膨脹熱等離子體(ETP)的一種技術(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述金屬層具有與所述活性堆疊體中存在的陰極相同的成分。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述金屬層包括鋇和鋁。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述金屬層由具有優(yōu)選2至10nm的層厚度的鋇層和在其上具有優(yōu)選10至800nm的層厚度的鋁層構(gòu)成。

6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述金屬層包括純金屬例如鉻，或包括諸如鋰的堿金屬與例如鋁的一種金屬的組合。

7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述至少一種無機(jī)層是陶瓷或介電層，例如SiN_x層和SiO_x層等。

8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，用于沉積所述金屬層的并引起相對(duì)較少的輻射的沉積技術(shù)包括不是PECVD的化學(xué)氣相沉積(CVD)、蒸發(fā)、濺射等沉積技術(shù)。

9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，當(dāng)在所述有機(jī)器件上施加薄膜封裝層組件，其包括多個(gè)交替施加的有機(jī)層和無機(jī)層，金屬層沉積在多個(gè)施加至所述有機(jī)器件的有機(jī)層上。

10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述有機(jī)器件是頂發(fā)射器件，例如活性矩陣顯示器，其中將陰極設(shè)置在所述襯底上并且其中將透光性導(dǎo)電層設(shè)置在所述薄膜封裝層組件附近，其中所述薄膜封裝層組件是透光性的。

11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述薄膜封裝層組件的第一施加無機(jī)層是在施加它的所述第一有機(jī)層之前施加的。

12.根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述薄膜封裝層組件的第一施加無機(jī)層是在已經(jīng)將所述金屬層施加至所述薄膜封裝層組件的所述第一有機(jī)層之后施加的。

13.一種優(yōu)選利用根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法制造的有機(jī)器件，例如有機(jī)發(fā)光器件(OLED)，其中所述有機(jī)器件包括通過薄膜封裝層組件遮蔽的活性堆疊體，所述薄膜封裝層組件的無機(jī)層利用等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積(PECVD)或反應(yīng)濺射進(jìn)行施加，其中，所述薄膜封裝層組件包括第一施加有機(jī)層，其中在利用PECVD或反應(yīng)濺射向其施加無機(jī)層之前，將至少一個(gè)金屬層施加至所述第一施加有機(jī)層，其中，所述金屬層利用引起相對(duì)較少的輻射的沉積技術(shù)而施加至所述有機(jī)層，其中，所述金屬層設(shè)置成用于保護(hù)其下方的有機(jī)層在隨后的利用PECVD或反應(yīng)濺射的無機(jī)層施加中免受輻射的影響。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)器件，其中，利用例如電子回旋共振(ECR)、感應(yīng)耦合等離子體(ICP)或膨脹熱等離子體(ETP)的等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù)施加所述無機(jī)層。

15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的有機(jī)器件，其中，所述金屬層具有與所述活性堆疊體中存在的陰極相同的成分。

16.根據(jù)權(quán)利要求13-15中任一項(xiàng)所述的有機(jī)器件，其中，所述金屬層包括鋇和鋁的組合。