[發(fā)明專利]用于抑制晶體管陣列中的閾值電壓的布局靈敏度的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200880014245.2
• 申請日: 2008-01-17
• 公開（公告）號: CN101681923A
• 公開（公告）日: 2010-03-24
• 發(fā)明（設計）人: V·莫羅茲;D·普拉瑪尼克
• 申請（專利權）人: 新思科技有限公司
• 主分類號: H01L29/772
• 分類號: H01L29/772
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 王茂華;鄭 菊

1.一種用于平滑集成電路中的閾值電壓的變化的方法，包括步 驟：

識別與MOSFET陣列中的晶體管關聯(lián)的復合表面；

其中所述晶體管具有在其柵極下方的不平衡的摻雜分布；以及

通過以下方式處理所述復合表面以影響與這樣的表面鄰近的空 隙原子的復合，即所述方式減小所述MOSFET陣列中的晶體管的閾 值電壓的變化。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述處理步驟包括以下步 驟：處理與所識別的表面鄰近的柵電極以增強鄰近這樣的表面的填 隙原子的復合。

3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中所述處理步驟包括通過向 柵極材料中引入高k材料來處理鄰近所識別的表面的所述柵電極以 增強鄰近這樣的表面的填隙原子的復合。

4.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中所述處理步驟包括通過創(chuàng) 建中等k氧化物層來處理鄰近所識別的表面的所述柵電極以增強鄰 近這樣的表面的填隙原子的復合。

5.根據(jù)權利要求1-4中任一權利要求所述的方法，其中所述處 理步驟包括以下步驟：處理Si／STI界面以抑制鄰近這樣的表面的填 隙原子的復合。

6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其中所述處理步驟包括通過鄰 近Si／STI界面引入N或者F原子來處理所述界面以抑制鄰近這樣的 界面的填隙原子的復合。

7.根據(jù)權利要求5所述的方法，其中所述處理步驟包括通過在 STI中使用氮氧化物材料來處理Si／STI界面以抑制鄰近這樣的界面 的填隙原子的復合。

8.根據(jù)權利要求5所述的方法，其中所述處理步驟包括通過鄰 近Si／STI界面形成具有氮化物襯墊的STI來處理所述界面以抑制鄰 近這樣的界面的填隙原子的復合。

9.一種MOSFET陣列，所述陣列包括多個晶體管，所述多個晶 體管中的晶體管包括：

源區(qū)和漏區(qū)，形成在硅擴散區(qū)域中；

溝道區(qū)，位于所述源區(qū)和漏區(qū)之間并且被柵極材料覆蓋；以及

淺溝槽隔離(STI)區(qū)域，由絕緣材料形成，鄰接所述擴散區(qū)域 并且使所述擴散區(qū)域與相鄰的擴散區(qū)域分隔；

其中識別與所述多個晶體管中的晶體管關聯(lián)的復合表面，其中 所述晶體管具有在其柵極下方的不平衡的摻雜分布；并且

通過以下方式處理所述復合表面以影響與這樣的表面鄰近的空 隙原子的復合，即所述方式減小所述MOSFET陣列中的所述多個晶 體管的閾值電壓的變化。

10.根據(jù)權利要求9所述的MOSFET陣列，其中處理與所識別 的表面鄰近的柵極材料以增強鄰近這樣的表面的填隙原子的復合。

11.根據(jù)權利要求9或10所述的MOSFET陣列，其中處理Si／STI 界面以抑制鄰近這樣的界面的填隙原子的復合。

12.根據(jù)權利要求1-8中任一權利要求所述的方法，還包括：

選擇所述MOSFET陣列中特定晶體管用于處理以影響其閾值電 壓。

13.根據(jù)權利要求9-11中任一權利要求所述的MOSFET陣列， 其中所述MOSFET陣列中的特定晶體管被處理以影響其閾值電壓。