[發明專利]用于等離子體處理裝置的組合噴淋頭電極組件的清潔硬件套件

有效

• 申請號: 200880008159.0
• 申請日: 2008-03-12
• 公開（公告）號: CN101632158A
• 公開（公告）日: 2010-01-20
• 發明（設計）人: 杰森·奧古斯蒂諾;查爾斯·瑞星
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 余 剛;吳孟秋

背景技術

等離子體處理裝置通過使用包括刻蝕、物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)、離子注入和光阻除去等技術來處理基片。用于等離子體處理的一種類型的等離子體處理裝置包括包含上下電極的反應室。在電極間建立電場以將處理氣體激勵到等離子態以在該反應室中處理基片。

發明內容

依照本發明的一個方面，提供一種用于清潔用于等離子體處理裝置的組合噴淋頭電極的裝置和方法。

用于清潔等離子體反應室的組合噴淋頭電極的清潔套件，其中該組合噴淋頭電極包括粘著于鋁支承板的硅板，該套件包含電極載臺，其支撐該組合噴淋頭電極，該硅板朝上；處理支架，其具有底部和多個嚙合該電極載臺并支撐該電極載臺的支柱；固定于該電極載臺的第一側的第一板和一個或多個固定構件，該固定構件嚙合該鋁板以支撐該組合噴淋頭電極，該硅板露出以對其進行清潔；第二板，其固定于該電極載臺的該第一側以便該第一板位于該第二板和該組合噴淋頭電極之間的空間，該第二板包括嚙合該電極載臺的該第一側的密封墊以及進氣口，通過該進氣口將氣體在一定壓強下引入以使其流入該鋁板中的氣孔并流出該硅板中的相應氣孔，該第二板允許在對該硅板的暴露表面的進行酸清洗的過程中將?氣體流過該氣孔；第三板，其固定于該電極載臺的第二側，該硅板朝上，該第三板包括嚙合該電極載臺的密封墊和進水口，通過該進水口將水在一定壓強下引入，以使其流入該硅板中的氣孔并流出該鋁板中的相應氣孔，該第三板允許低壓水流過該氣孔以在清潔該硅表面之后用水漂洗該組合噴淋頭電極；干燥支架，其具有底部框架和多個柱，該底部框架支撐該電極載臺和該組合噴淋頭電極以便可以將該電極載臺從該組合噴淋頭電極移除而不用手接觸該組合噴淋頭電極；以及第四板，其包括嚙合該底部框架的密封墊和進氣口，通過該進氣口將氣體在一定壓強下引入，以流入該硅板中的氣孔并流出該鋁板中的相應氣孔，該第四板允許氣體在水漂洗步驟之后干燥該組合噴淋頭電極。

在另一個實施方式中，提供一種使用上述清潔套件清潔等離子體處理裝置的組合噴淋頭電極組件的方法，該方法包括在電極載臺中支撐該組合噴淋頭電極，在處理支架上放置該電極載臺，固定該第一板，固定該第二板，將氣體引入該第二板中的該進氣口，同時對該硅板的暴露表面進行酸清洗，移除該第一和第二板，固定該第三板并將水引導通過該第三板中的進水口以漂洗該氣孔，移除該第三板并將該電極載臺放在該底部框架上，從該組合噴淋頭電極移除該電極載臺，將第四板固定于該干燥支架的柱上，將氣體引入該第四板中的該進氣口以干燥該組合噴淋頭電極，移除該第四板，并將該組合噴淋頭電極放入干燥箱中并支撐在該底部框架上。

附圖說明

圖1顯示了固定組合噴淋頭電極的電極載臺(electrodecarrier)的一個實施方式。

圖2A和2B顯示了該電極載臺的另一個實施方式的詳細視圖。

圖3顯示了圖1中的該電極載臺和電極，具有處理支架(treatment?stand)的一個實施方式。

圖4顯示了將該電極保持在該載臺上的星形板(spiderplate)的一個實施方式。

圖5A和5B顯示了該星形板的兩個詳細視圖。

圖6顯示了安裝在該電極載臺上的圖4中所示的該星形板的細節。

圖7顯示了圖1的該電極載臺，其中圖4的星形板背離該處理支架和氮氣吹掃板安裝。

圖8顯示了圖7中的安裝在該星形板上方的該電極載臺上的該吹掃板的細節。

圖9顯示了圖3的該電極載臺、電極和處理支架，該電極載臺的星形板安裝側面對該處理支架和水漂洗板的一個實施方式。

圖10顯示圖1的該電極載臺和電極以及干燥支架的一個實施方式。

圖11顯示了圖10所示的軌道支柱(rail?supports)的詳細視圖。

圖12顯示了被部分移除的圖10的該電極載臺和放在該干燥支架的軌道支柱上的該電極。

圖13顯示了安裝在圖12的該干燥支架上的電極上方的氮氣吹干板(blow?dry?plate)的一個實施方式。

具體實施方式

提供用于清潔硅電極組件表面的裝置，其控制或消除酸處理、噴淋清洗、吹干、烘烤和裝袋過程中對電極組件粘合材料可能的化學侵蝕并消除與待清潔部件的直接處理接觸。該電極組件可能是新的、用過的或修復過的。還提供清潔硅電極組件的方法。

在半導體基片的等離子體處理過程中，希望使由室的組件引入該等離子體處理室的微粒的數量最少化。這種微粒(稱為“添加物”)可能沉積在該基片上并因而減少處理產量。