[發明專利]存儲器系統

無效

• 申請號: 200880006501.3
• 申請日: 2008-09-22
• 公開（公告）號: CN101641680A
• 公開（公告）日: 2010-02-03
• 發明（設計）人: 矢野純二;松崎秀則;初田幸輔
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: G06F12/08
• 分類號: G06F12/08;G06F12/00;G06F3/06;G06F12/02;G06F3/08;G11C16/02
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所
• 代理人: 楊曉光;周良玉

1.一種存儲器系統，包括：

作為高速緩沖存儲器的第一存儲區，其包括在易失性半導體存儲器中；

第二存儲區和第三存儲區，其包括在非易失性半導體存儲器中，在所述第二存儲區和所述第三存儲區中，通過頁單位執行數據讀取和寫入，且通過塊單位執行數據擦除，所述塊單位的大小為所述頁單位的大小的兩倍或更大的自然數倍；

第一輸入緩沖器，其包括在所述非易失性半導體存儲器中，配置用于在所述第一存儲區與所述第二存儲區之間進行緩沖；

第二輸入緩沖器，其包括在所述非易失性半導體存儲器中，配置用于在所述第一存儲區與所述第三存儲區之間進行緩沖；

保存緩沖器，其存儲容量等于或大于所述第一存儲區的存儲容量；以及

控制器，其通過與一個或多個塊相關聯的邏輯塊單位將所述非易失性半導體存儲器的存儲區分配給所述第二存儲區和所述第三存儲區以及所述第一輸入緩沖器和所述第二輸入緩沖器，其中

所述控制器執行：

第一處理，其用于以扇區單位將多個數據寫入所述第一存儲區中；

第二處理，其用于以第一管理單位將存儲在所述第一存儲區中的數據清理至所述第一輸入緩沖器，所述第一管理單位的大小為所述扇區單位的兩倍或更大的自然數倍；

第三處理，其用于以第二管理單位將存儲在所述第一存儲區中的數據清理至所述第二輸入緩沖器，所述第二管理單位的大小為所述第一管理單位的兩倍或更大的自然數倍；

第四處理，其用于將所述第一輸入緩沖器中所有頁都被寫入的邏輯塊重新定位至所述第二存儲區；

第五處理，其用于將所述第二輸入緩沖器中所有頁都被寫入的邏輯塊重新定位至所述第三存儲區；

第六處理，其用于以所述第二管理單位將存儲在所述第二存儲區中的多個數據清理至所述第二輸入緩沖器；以及

第七處理，其用于將寫入在所述第一存儲區中的所有有效數據寫入所述保存緩沖器中，并且

當接收到要求所述第二處理和所述第三處理中的至少一個的寫入請求時，以及當判斷正執行的包括所述第四處理至所述第六處理的輸入緩沖器清理處理超過預定時間時，掛起所述輸入緩沖器清理處理，并且執行包括所述第七處理的旁路處理。

2.根據權利要求1的存儲器系統，其中當分配給所述第二存儲區的邏輯塊的數目超過容許度時，所述控制器執行所述第六處理。

3.根據權利要求1的存儲器系統，其中所述控制器將所述第一輸入緩沖器的邏輯塊的一部分作為不是所述第二處理的寫入對象的所述保存緩沖器來進行管理。

4.根據權利要求3的存儲器系統，其中所述控制器通過所述第一管理單位管理所述第一存儲區和所述保存緩沖器。

5.根據權利要求4的存儲器系統，其中在所述旁路處理中，所述控制器執行第十二處理，所述第十二處理用于在執行所述第七處理之后通過所述邏輯塊的重新定位而將所述第二輸入緩沖器中的所有有效數據移動至所述第三存儲區。

6.根據權利要求5的存儲器系統，其中在所述旁路處理中，所述控制器執行第十三處理，所述第十三處理用于在執行所述第十二處理之后開始所述寫入請求的處理，且通過所述第一存儲區將輸入數據寫入所述第二輸入緩沖器中。

7.根據權利要求6的存儲器系統，其中在所述旁路處理中，所述控制器在執行所述第十三處理之后重新開始所述輸入緩沖器清理處理。

8.根據權利要求1的存儲器系統，其中當所述第一存儲區中的所述數據所屬于的所述第二管理單位中的數據的數目超過規定值時，所述控制器執行所述第二處理和所述第三處理中的至少一者。

9.根據權利要求1的存儲器系統，其中所述易失性半導體存儲器為DRAM，且所述非易失性半導體存儲器為NAND型閃速存儲器。