[發明專利]發光器件及其制造方法

有效

• 申請號: 200880002109.1
• 申請日: 2008-04-01
• 公開（公告）號: CN101584054A
• 公開（公告）日: 2009-11-18
• 發明（設計）人: 樸炯兆
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 蔡勝有;吳亦華

技術領域

本發明實施方案涉及發光器件及其制造方法。

背景技術

近來，對使用LED(發光器件)作為發光器件的設備進行了積極研究。

LED利用化合物半導體的特性將電信號轉化為光信號。LED包括：在襯底上堆疊的第一導電半導體層、有源層和第二導電半導體層。當LED通電時，有源層發出光。

第一導電半導體層可以是N型半導體層，第二導電半導體層可以是P型半導體層，反之亦然。

由于LED會被反向偏壓或ESD(靜電放電)電流所破壞，所以在LED的封裝工藝中，在LED上安裝用于保護LED免受反向偏壓或ESD電流影響的器件。

例如，適當地匹配穩壓二極管(Zener?diode)，以防止LED被反向偏壓或ESD電流破壞。

然而，由于LED封裝的尺寸變小，在LED封裝中安裝穩壓二極管可能難以進行并且這種封裝工藝所需要的成本可能增加。

發明內容

技術問題

本發明實施方案提供一種發光器件及其制造方法。

本發明實施方案提供一種包括保護裝置和LED的發光器件及其制造方法。

本發明實施方案提供一種具有高度集成的保護裝置和LED的發光器件及其制造方法。

技術方案

根據一個實施方案，一種發光器件包括：第一導電半導體層；在第一導電半導體層上的有源層；在有源層上的第二導電半導體層，其中第二導電半導體層包括第一區域和第二區域；在第二導電半導體層的第二區域上的第三導電半導體層；電連接第一導電半導體層與第二區域的第二導電半導體層的第一電極層；和電連接第二導電半導體層與第三導電半導體層的第二電極層。

根據一個實施方案，一種發光器件包括：襯底；在襯底的第一區域上的包括第一導電半導體層、有源層和第二導電半導體層的LED區域；和在襯底的第二區域上的包括第二導電半導體層和第三導電半導體層的保護裝置區域。

根據一個實施方案，一種制造發光器件的方法包括：形成第一導電半導體層、有源層和第二導電半導體層；在第二導電半導體層的至少一部分上形成第三導電半導體層；和通過蝕刻工藝選擇性地蝕刻第一導電半導體層、有源層和第二導電半導體層以及在經蝕刻的部分中形成絕緣層，由此分為包括第一導電半導體層、有源層和第二導電半導體層的第一區域以及包括第二和第三導電半導體層的第二區域。

有益效果

本發明實施方案可提供一種發光器件及其制造方法。

本發明實施方案可提供一種包括保護裝置和LED的發光器件及其制造方法。

本發明實施方案可提供一種具有高度集成的保護裝置和LED的發光器件及其制造方法。

附圖說明

圖1是顯示根據一個實施方案的發光器件的結構的截面圖；

圖2和3是說明根據一個實施方案的發光器件的操作的截面圖；和

圖4至13是說明根據一個實施方案制造發光器件的方法的截面圖。

具體實施方式

以下，將參照附圖描述根據一個實施方案的發光器件及其制造方法。以下實施方案僅僅用于說明性的目的。本發明要求保護的范圍不限于此。

在實施方案的描述中，應理解的是，當層(或膜)、區域、圖案或結構被稱為在另一襯底、另一層(或膜)、另一區域、另一墊或另一圖案的“上方”或“下方”時，其可以“直接地”或“間接地”位于其它的襯底、層(或膜)、區域、墊、或圖案的上方，或者也可存在一個或多個中間層。

此外，出于清楚說明的目的，可簡化或放大附圖中所示的層的厚度或尺寸。此外，每個元件的尺寸可從其實際尺寸進行縮小或者放大。

圖1是顯示根據實施方案的發光器件的結構的截面圖。

參照圖1，根據該實施方案的發光器件包括：襯底110、緩沖層112、第一導電半導體層120、有源層130、第二導電半導體層140、勢壘層150、歐姆電極層170、第一電極層190、第二電極層180、絕緣層160、和第三導電半導體層152。

根據實施方案的發光器件可通過絕緣層160分為LED區域10和保護裝置區域20。在圖1中，排列在絕緣層160左側的層適合執行產生光的LED功能，排列在絕緣層160右側的層適合執行ESD保護裝置的功能。

具體而言，當對第一和第二電極層190和180施加正向偏壓時，包括第一導電半導體層120、有源層130和第二導電半導體層140的LED區域10通過結合電子和空穴來執行有源層130發光的LED功能。