[發(fā)明專利]發(fā)光器件及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200880002109.1 | 申請(qǐng)日： | 2008-04-01 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101584054A | 公開（公告）日： | 2009-11-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 樸炯兆 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/00 | 分類號(hào)： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 蔡勝有;吳亦華 |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 韓國(guó);KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種發(fā)光器件，包括：
包含第一類型雜質(zhì)的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；
在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的有源層；
在所述有源層上的包含第二類型雜質(zhì)的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，所述第二類型雜質(zhì)與所述第一類型雜質(zhì)的類型相反，所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；
使所述第二區(qū)域的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層與所述第一區(qū)域的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層電隔離的絕緣層；
在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第二區(qū)域上的第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層，所述第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層包含與所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的雜質(zhì)類型相同而與所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的雜質(zhì)類型相反的雜質(zhì)；
電連接所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與所述第二區(qū)域的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第一電極層；和
電連接所述第一區(qū)域的所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層與所述第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第二電極層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，包括在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的歐姆電極層，其中所述歐姆電極層與所述第二電極層電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，包括在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述歐姆電極層之間形成的阻擋層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中所述阻擋層包含所述第一類型雜質(zhì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，包括保護(hù)裝置，所述保護(hù)裝置包括所述第二區(qū)域的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述絕緣層的一部分被所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層所包圍。
7.一種發(fā)光器件，包括：
襯底；
在所述襯底的第一區(qū)域上的包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的有源層和在所述有源層上的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的LED區(qū)域；和
在所述襯底的第二區(qū)域上的包括所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層的保護(hù)裝置區(qū)域，所述第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層包含與所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的雜質(zhì)類型相同而與所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的雜質(zhì)類型相反的雜質(zhì)，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域電隔離；
使所述第二區(qū)域的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層與所述第一區(qū)域的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層電隔離的絕緣層；
電連接所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與所述第二區(qū)域的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第一電極層；
電連接所述第一區(qū)域的所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層與所述第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第二電極層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，包括使所述LED區(qū)域與所述保護(hù)裝置區(qū)域隔離的絕緣層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其中所述LED區(qū)域和所述保護(hù)裝置區(qū)域形成在一個(gè)襯底上。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，包括：在所述襯底和所述LED區(qū)域之間以及在所述襯底和所述保護(hù)裝置區(qū)域之間形成的緩沖層，其中所述LED區(qū)域和所述保護(hù)裝置區(qū)域形成在一個(gè)緩沖層上。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其中在所述LED區(qū)域的所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上形成所述保護(hù)裝置區(qū)域。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，包括：
與所述LED區(qū)域的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述保護(hù)裝置區(qū)域的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層電連接的第一電極層；和
與所述LED區(qū)域的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述保護(hù)裝置區(qū)域的第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層電連接的第二電極層。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，包括在所述LED區(qū)域的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的阻擋層。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其中所述第一和第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層包含N型雜質(zhì)，所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層包含P型雜質(zhì)。
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