[發(fā)明專利]光學記錄介質(zhì)及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200880000368.0
• 申請日: 2008-03-21
• 公開（公告）號: CN101541554A
• 公開（公告）日: 2009-09-23
• 發(fā)明（設計）人: 酒井武光;池田悅郎;佐飛裕一
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼株式會社
• 主分類號: B41M5/26
• 分類號: B41M5/26;G11B7/24;G11B7/243;G11B7/254;G11B7/257;G11B7/26
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 彭久云

技術(shù)領域

本發(fā)明涉及光學記錄介質(zhì)及其制造方法。特別是，本發(fā)明涉及具有無機記錄膜的光學記錄介質(zhì)。

背景技術(shù)

近年來，需要能記錄大量信息的高密度記錄用光學記錄介質(zhì)。例如，為了滿足該需求，藍光光盤(Blue-ray?Disc)(注冊商標：在下文，稱為BD)的標準已經(jīng)被規(guī)范化，并且高清晰度的圖像可以被記錄并存儲在光學記錄介質(zhì)中。假設通常高清晰度的再現(xiàn)速度為一倍速，則根據(jù)該記錄類型的BD，光盤已經(jīng)可以處理高達二倍速的記錄速度。

例如，作為適合藍激光記錄的光學記錄介質(zhì)，已經(jīng)提出了具有無機記錄膜的介質(zhì)，該無機記錄膜由含有鍺(Ge)的氧化物的第一記錄膜和相鄰于該第一記錄膜設置并含有鈦(Ti)的第二記錄膜構(gòu)造(例如，參考JP-A-2006-281751)。這樣的光學記錄介質(zhì)雖然由四層膜形成，但具有很寬的功率裕度(power?margin)和很好的耐久性。然而，未來所需要的是實現(xiàn)更高的線速度記錄。

發(fā)明內(nèi)容

為了實現(xiàn)高線速度記錄，需要達到高記錄靈敏度這樣的記錄特性。然而，如果通過優(yōu)化含有鍺(Ge)的氧化物的第一記錄膜的氧成分和膜厚度以及含有鈦(Ti)的第二記錄膜的膜厚度等來達到高記錄靈敏度，則會發(fā)生記錄功率裕度變窄的問題。

在采用鍺(Ge)的氧化物作為記錄材料的情況下，因為記錄原理根本上基于熱記錄，所以記錄靈敏度對線速度的依賴性具有一定的預定比率，而例如功率裕度等記錄特性對線速度的依賴性很小。因此，為了在高線速度記錄的同時提高記錄靈敏度，即使在低線速度下提高記錄靈敏度也是有效的。為了同時保證很寬的功率裕度，即使在低線速度下也保證很寬的功率裕度的方法變成了改善全部特性的指示(index)。

因此，本發(fā)明的目的是提供可以實現(xiàn)很寬的功率裕度的光學記錄介質(zhì)及制造該介質(zhì)的方法。

為了解決上面的問題，根據(jù)本發(fā)明的第一發(fā)明，提供具有無機記錄膜的光學記錄介質(zhì)，其特征在于

該光學記錄介質(zhì)包括相鄰于無機記錄膜的透明導電膜，

其中該無機記錄膜具有

含有鈦(Ti)的第一記錄膜和

含有鍺(Ge)的氧化物的第二記錄膜，并且

透明導電膜設置在第二記錄膜側(cè)。

根據(jù)本發(fā)明的第二發(fā)明，提供具有無機記錄膜的光學記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于包括下面的步驟：

形成含有鈦(Ti)的第一記錄膜；

形成與第一記錄膜相鄰并且含有鍺(Ge)的氧化物的第二記錄膜；以及

形成與第二記錄膜相鄰的透明導電膜。

根據(jù)本發(fā)明，當輻射記錄光時，分離出第二記錄膜中所含的氧，并且在第一記錄膜和第二記錄膜之間的交界面上形成氧含量很大的鍺層。就是說，第二記錄膜分成光學常數(shù)不同且保存穩(wěn)定性很高的兩個穩(wěn)定層。因此，當輻射再現(xiàn)光時，被輻射記錄光的部分的反光量與沒有被輻射記錄光的部分的反光量之間存在改變，從而獲得很好的信號特性。第一記錄膜的物理特性在記錄前和記錄后基本不變，但可進行適于在與第二記錄膜的交界面上促進反應的所謂催化操作。

如上所述，根據(jù)本發(fā)明，因為在無機記錄膜和介電膜之間提供了透明導電膜，所以可以實現(xiàn)很寬的功率裕度。

附圖說明

圖1的示意性截面圖顯示了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的光學記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)示例；

圖2的示意性截面圖顯示了根據(jù)本發(fā)明第二實施例的光學記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)示例；

圖3的曲線圖顯示了示例1-1至1-6和比較示例1-1的每一個中SnO₂膜的厚度與功率裕度之間的關(guān)系；

圖4的曲線圖顯示了示例2-1至2-5和比較示例2-1的每一個中SnO₂膜的厚度與功率裕度之間的關(guān)系；和

圖5的曲線圖顯示了示例3-1至3-5和比較示例3-1的每一個中SnO₂膜的厚度與功率裕度之間的關(guān)系。

具體實施方式

下面將參考附圖描述本發(fā)明的實施例。

(1)第一實施例

光學記錄介質(zhì)的構(gòu)造

圖1的示意性截面圖顯示了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的光學記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)示例。光學記錄介質(zhì)10的結(jié)構(gòu)為在基片1上依次層疊無機記錄膜2、透明導電膜3、介電膜4和透光層5。