[發明專利]光學記錄介質及其制造方法無效
| 申請號: | 200880000368.0 | 申請日: | 2008-03-21 |
| 公開(公告)號: | CN101541554A | 公開(公告)日: | 2009-09-23 |
| 發明(設計)人: | 酒井武光;池田悅郎;佐飛裕一 | 申請(專利權)人: | 索尼株式會社 |
| 主分類號: | B41M5/26 | 分類號: | B41M5/26;G11B7/24;G11B7/243;G11B7/254;G11B7/257;G11B7/26 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光學 記錄 介質 及其 制造 方法 | ||
1.一種具有無機記錄膜的光學記錄介質,其特征在于,
所述光學記錄介質包括相鄰于所述無機記錄膜的透明導電膜,
其中所述無機記錄膜具有
含有鈦(Ti)的第一記錄膜;和
含有鍺(Ge)的氧化物的第二記錄膜,并且
所述透明導電膜設置在所述第二記錄膜一側。
2.根據權利要求1所述的光學記錄介質,其特征在于,所述透明導電膜含有錫(Sn)的氧化物和銦(In)的氧化物中的至少一種。
3.根據權利要求1所述的光學記錄介質,其特征在于,所述第二記錄膜還含有錫(Sn)。
4.根據權利要求1所述的光學記錄介質,其特征在于,所述透明導電膜的厚度為1至5nm。
5.一種具有無機記錄膜的光學記錄介質的制造方法,其特征在于包括如下步驟:
形成含有鈦(Ti)的第一記錄膜;
形成相鄰于所述第一記錄膜且含有鍺(Ge)的氧化物的第二記錄膜;以及
形成相鄰于所述第二記錄膜的透明導電膜。
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