[實(shí)用新型]集成電路組件堆棧的絕緣結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200820302167.3 | 申請日: | 2008-09-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN201307592Y | 公開(公告)日: | 2009-09-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬嵩荃;鄒尚志 | 申請(專利權(quán))人: | 茂邦電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/50 | 分類號(hào): | H01L23/50 |
| 代理公司: | 長沙正奇專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 | 代理人: | 何 為 |
| 地址: | 中國臺(tái)灣桃園縣蘆*** | 國省代碼: | 中國臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成電路 組件 堆棧 絕緣 結(jié)構(gòu) | ||
【權(quán)利要求1】一種集成電路組件堆棧的絕緣結(jié)構(gòu),其包括晶粒、金屬層、及多數(shù)絕緣單元,該金屬層層疊于上述晶粒的一面上,且該金屬層上具有多數(shù)連通晶粒的置放區(qū);其特征在于:所述數(shù)絕緣單元分別設(shè)于所述各置放區(qū)中,且各絕緣單元由鋁合金制成。
【權(quán)利要求2】如權(quán)利要求1所述的集成電路組件堆棧的絕緣結(jié)構(gòu),其特征在于:所述各置放區(qū)由金屬層配合光阻形成。
【權(quán)利要求3】如權(quán)利要求1所述的集成電路組件堆棧的絕緣結(jié)構(gòu),其特征在于:所述各絕緣單元于一絕緣槽中形成。
【權(quán)利要求4】如權(quán)利要求1所述的集成電路組件堆棧的絕緣結(jié)構(gòu),其特征在于:所述金屬層與各絕緣單元的頂面上進(jìn)一步設(shè)有拋光面。
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