[實用新型]濺射薄膜的厚度均勻性修正裝置有效
| 申請號: | 200820301326.8 | 申請日: | 2008-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN201212059Y | 公開(公告)日: | 2009-03-25 |
| 發明(設計)人: | 張平;周瑞山;謝強;殷志茹;張敏;羅向陽;龔漫莉;葉萍;張青;張鐸;王倩;龔國剛 | 申請(專利權)人: | 貴州振華云科電子有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/54 | 分類號: | C23C14/54;C23C14/34 |
| 代理公司: | 貴陽中新專利商標事務所 | 代理人: | 李大剛 |
| 地址: | 550018貴州省*** | 國省代碼: | 貴州;52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 濺射 薄膜 厚度 均勻 修正 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種離子束濺射沉積薄膜的制造技術,具體涉及一種用于修正濺射原子流量分布以控制薄膜均勻性的修正裝置。
背景技術
薄膜技術在電子、通訊及其他領域都有重要的應用。制備薄膜的工藝和技術有許多種,按沉積過程可分為化學沉積和物理沉積,物理沉積尤以濺射技術的應用最為廣泛,發展最快。濺射是通過高能離子撞擊材料的表面,使表面原子逸出并沉積在基片上形成薄膜的過程。在電子器件的制造中,濺射比起其它技術有很多優點,如濺射靶材大,可在較大的基片上沉積均勻的薄膜;薄膜厚度容易控制;適宜于合金鍍膜,薄膜的強度、光潔度、晶粒結構良好,材料性能接近塊體材料;沒有X-射線對器件的損害等。
盡管濺射比起其他薄膜技術可以獲得更好的厚度均勻性,但對于尺寸較大的基片,以及愈來愈高的技術標準,控制好薄膜厚度的均勻性對于器件的性能是至關重要的。薄膜厚度的均勻性,還會影響薄膜器件性能參數的一致性,產品的批次合格率。對于大規模集成電路和片式薄膜元器件的制造來說,一塊十來公分的基片上要做成幾百個的微型元件,因此薄膜在整個基片上厚度的均勻性,對產品的性能、質量和規?;a無疑具有極其重要的意義。根據實驗測定,即使性能良好的濺射設備,直徑大于5cm的基片的厚度不均勻度可達1%以上,更大尺寸例如20cm的基片的不均勻度可達到5%以上。為了提高生產效率,必須采用大尺寸的基片,但是即使1%的偏差對于高精度的元器件(例如高精密的薄膜片式電阻器阻值偏差要求0.05%,0.1%,0.5%)來說也是不能接受的。大規模集成電路更是如此。所以,控制整個濺射基片上薄膜厚度的均勻性對于薄膜電子元器件的制造是至關重要的。
迄今為止,為提高濺射薄膜的均勻性,采取了很多措施,例如,基片采用行星運行的方式,就是說,基片在自身轉動的同時,隨著基座作公轉,此法可以改善薄膜的均勻性,但不能進一步提高均勻度。另一種方式是采用修正板技術,通常是采用一種棒狀的調節裝置,作小范圍的三維轉動,以進一步提高薄膜的均勻性,但該裝置的轉動方式是固定的,修正裝置的結構也是固定的,不便于根據具體的設備和使用情況作相應的調整,同時裝置在轉動時對粒子流產生一種攪動作用,會帶來一定的副作用。
實用新型內容
本實用新型所要解決的技術問題是提供一種濺射薄膜的厚度均勻性修正裝置。該裝置用于調節濺射原子流量分布以改善薄膜厚度的均勻性,可以方便地連續調節濺射原子流量分布,對沉積在基片上的薄膜厚度進行修正,提高薄膜的均勻性。
為解決上述技術問題,本實用新型采用如下技術方案:濺射薄膜的厚度均勻性修正裝置。包括修正塊和旋鈕,修正塊通過細桿與旋鈕固定連接;所述的修正塊是由固定塊和活動塊兩部分連接成一個整體,形成一個中間寬兩頭窄的偏平體。
上述的濺射薄膜的厚度均勻性修正裝置中,固定塊與細桿固定連接;在固定塊直邊一側的側面中部開有小槽和螺孔;在活動塊直邊的中部設有薄形凸緣和螺絲孔;活動塊的凸緣可插入固定塊的小槽中,活動塊的螺絲孔與固定塊的螺孔具有相同的尺寸;固定塊和活動塊是通過螺絲連接成一個整體。
前述的濺射薄膜的厚度均勻性修正裝置中,固定塊上小槽的深度或者是活動塊上凸緣的寬度可以根據需要進行加深或加長。
前述的濺射薄膜的厚度均勻性修正裝置中,在旋鈕上設有指針;細桿穿過一個刻度盤的中心孔;刻度盤位于旋鈕和修正塊之間,并且刻度盤與旋鈕、修正塊是分開固定的,不會隨旋鈕或修正塊一起轉動。
前述的濺射薄膜的厚度均勻性修正裝置中,細桿的長度是使得修正塊正好位于基片的中軸線上。
有益效果:本實用新型是通過修正塊對濺射原子流的遮擋作用來改變濺射原子在基片上的分布,從而改善薄膜的均勻性達到對濺射薄膜的厚度均勻性進行修正的目的。本實用新型的修正塊與旋鈕是固定連接,通過手動或電動轉動旋鈕可連續地調節修正塊的轉動角度,從而改變修正塊阻擋濺射原子流的投影寬度。同時由于本實用新型的修正塊是由活動塊和固定塊兩部分通過螺絲活動連接成一個整體,通過旋轉螺絲能在小范圍內調整修正塊的寬度,使修正塊能進一步改變阻擋濺射原子流的投影寬度,達到修正濺射原子流分布、更好的改善薄膜厚度均勻性的目的。與現有技術相比,具有結構簡單,操作方便,調節范圍大,修正效果好的特點。
附圖說明
圖1是本實用新型的結構示意圖;
圖2是本實用新型的爆炸示意圖;
圖3是固定塊的結構示意圖;
圖4是圖3的側視圖;
圖5是活動塊的結構示意圖;
圖6是圖5的側視圖;
圖7是本實用新型的應用示意圖;
圖8是本實用新型工作原理圖1;
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