[實用新型]硅襯底外延片去邊裝片器

無效

• 申請號: 200820199506.X
• 申請日: 2008-12-12
• 公開（公告）號: CN201327825Y
• 公開（公告）日: 2009-10-14
• 發明（設計）人: 李迪;徐小紅;王健榮;封波
• 申請（專利權）人: 晶能光電(江西)有限公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;H01L21/306;C23F1/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及一種用于加工硅片的裝片器。

背景技術

在硅襯底上制作LED是一種新的LED制造技術。中國專利申請號為200510025179.7、名稱為“在硅襯底上制備銦鎵鋁氮薄膜及發光器件的方法”的專利文獻公開了一種具有臺面結構的硅襯底外延片，該外延片上分布有很多臺面，臺面之間間隔有溝槽，在臺面上生長有多層半導體結構。

在硅襯底臺面上形成的多層半導體結構，在生長完成后，每個臺面上生長的多層半導體結構的四邊存在各種缺陷，如邊緣翹起、毛刺不平等，因此需將四邊腐蝕掉，即需要進行去邊腐蝕的工藝。去邊腐蝕工藝是在腐蝕前，將每個臺面上的多層半導體結構的主要部分用掩膜覆蓋住，讓多層半導體結構的邊沿暴露出來，再將外延片置于沸騰的磷酸中，對臺面上的多層半導體結構的邊緣進行去邊腐蝕。

目前的硅襯底外延片的去邊腐蝕工藝常用到的裝片器是方形的花籃狀工具。如圖6所示，籃體2上面有兩排相對的柵格圓片槽，即圖中的第一圓片槽7和第二圓片槽9，圓片槽的上面設有壓條8。在籃體2上有手柄1。手柄1、籃體2和壓條8是可以拆分的組裝體。使用時將覆蓋有掩膜的圓片插入圓片槽內，夾持在第一圓片槽7和第二圓片槽9之間，壓上壓條8，由籃體兩邊的連接槽處掛上手柄1即可。然后將籃體連同圓片一起置入一百多度沸騰的磷酸中，對圓片上的芯片進行去邊腐蝕。

然而由于硅襯底外延片的硅基性質很脆，在硅基LED生產過程中，會產生很多破片，這是藍寶石襯底的外延片絕少遇到的問題，是硅襯底LED加工過程獨有一種現象。為了減少成本，通常需要盡量利用好每一破片，因此在生產工程中產生的破片仍然需要參與去邊腐蝕過程。對于可以回收利用的破片，破片的大小不一，將其與圓片一起置于圓片槽內，在沸騰的磷酸中進行去邊腐蝕時，很多破片會從籃體的頂部或圓片槽的縫隙中跳躍出籃體，掉入磷酸槽內而報廢。

為了解決上述問題，現行的一種方式是將破片單獨放在一種玻璃器皿內用電爐進行腐蝕。這樣的方式不僅浪費磷酸，增加了工序，而且使去邊腐蝕的生產效率非常的低下，占用了大量的人力和時間。而且為了控制玻璃器皿內磷酸的溫度，需要人工用溫度計進行及時測量，這增大了工作人員的被沸騰磷酸燙傷的風險，具有安全隱患。

發明內容

本實用新型所要解決的技術問題是：提供一種硅襯底外延片去邊裝片器，該裝片器用于提高破片的腐蝕效率的問題。

為了解決上述技術問題，本實用新型提出一種硅襯底外延片去邊裝片器，該裝片器包括有柵格槽的籃體，所述籃體包括至少一個上籃體、至少一個下籃體和一個用于提起籃體的提桿；其中上籃體和下籃體結構相同，上籃體和下籃體上設有沿中心軸呈放射狀分布的所述柵格槽；上籃體和下籃體相扣在一起使它們的柵格槽相對形成容置外延片的圓片槽；提桿與籃體連接。柵格槽用于間隔和托住圓片。

本實用新型的優選方案是：所述上籃體和下籃體中心設有提桿孔；所述提桿包括上端的手提端和下端的大頭端，提桿穿過上籃體和下籃體，由下端的大頭端在提桿孔的孔口處托住所述籃體。

本實用新型的優選方案是：所述籃體由一個上籃體和一個下籃體構成。

本實用新型的進一步改進是：所述籃體的柵格槽外側設有側擋邊。側擋邊可以是一條，也可以是多條。

本實用新型的優選方案是：所述籃體為球形體。

本實用新型的優選方案是：所述上籃體或下籃體上的柵格槽的柵格數為30格。

本實用新型的優選方案是：所述柵格槽的底部有托住圓片的筋條。筋條也可以用板面替換。

本實用新型的有益效果如下：本實用新型的圓片槽由上籃體和下籃體的柵格槽合扣組成，這樣的圓片槽相比現有技術的中間敞開結構，可以更大程度的限制圓片槽內的破片從頂部躍出；也可以防止破片在去邊腐蝕的過程中，從原來的圓片槽內跳竄到相鄰的圓片槽內，而影響相鄰槽內的外延片的腐蝕效果。本實用新型可以實現圓片和破片放在一起混合腐蝕，而無需單獨對破片進行腐蝕，進而提高了生產效率，特別是對破片的腐蝕效率，也節約了磷酸和提高了工作人員的操作安全性，使硅襯底外延片的去邊腐蝕工藝得到很大改善。

附圖說明

圖1是本實用新型的上籃體的結構圖；

圖2是下籃體的結構圖；

圖3是下籃體的俯視圖；

圖4是本實用新型的正面視圖；

圖5是提桿的結構簡圖；

圖6是現有技術的結構示意圖。

具體實施方式